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3-3上市保荐书(申报稿)(株洲宏达电子股份有限公司)

公告日期:2021-09-27

3-3上市保荐书(申报稿)(株洲宏达电子股份有限公司) PDF查看PDF原文

  关于株洲宏达电子股份有限公司
2021 年度向特定对象发行 A 股股票的
          上市保荐书

            保荐机构(主承销商)

  (北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦 2 座 27 层及 28 层)


              株洲宏达电子股份有限公司

      2021 年度向特定对象发行 A 股股票上市保荐书

深圳证券交易所:

  株洲宏达电子股份有限公司(以下简称“宏达电子”、“发行人”或“公司”)拟申请向不超过 35 名特定投资者发行不超过 4,001.00 万股(含本数)的人民币普通股股票(以下简称“本次证券发行”、“本次发行”或“向特定对象发行 A股股票”),并已聘请中国国际金融股份有限公司(以下简称“中金公司”)作为本次证券发行的保荐机构(以下简称“保荐机构”或“本机构”)。

  根据《中华人民共和国公司法》(以下简称“《公司法》”)、《中华人民共和国证券法》(以下简称“《证券法》”)、《证券发行上市保荐业务管理办法》(以下简称“《保荐办法》”)、《创业板上市公司证券发行注册管理办法(试行)》(以下简称“《注册管理办法》”)、《深圳证券交易所创业板上市保荐书内容与格式指引》(以下简称“《内容与格式指引》”)、《保荐人尽职调查工作准则》等法律法规和中国证券监督管理委员会(以下简称“中国证监会”)、深圳证券交易所的有关规定,中金公司及其保荐代表人诚实守信,勤勉尽责,严格按照依法制订的业务规则、行业执业规范和道德准则出具本上市保荐书,并保证本上市保荐书的真实性、准确性和完整性。

  (本上市保荐书中如无特别说明,相关用语具有与《关于株洲宏达电子股份有限公司 2021 年度向特定对象发行 A 股股票之尽职调查报告》中相同的含义)
一、发行人概况
(一)发行人基本资料

  公司中文名称:株洲宏达电子股份有限公司

  公司英文名称:Zhuzhou Hongda Electronics Corp.,Ltd.

  法定代表人:钟若农

  注册资本:40,010.0000 万元

  总股本:40,010 万股

  成立日期:1993 年 11 月 18 日(2015 年 11 月 27 日整体变更为股份有限公
司)

  注册地址:湖南省株洲市荷塘区新华东路 1297 号

  办公地址:湖南省株洲市天元区渌江路 2 号

  邮政编码:412000

  董事会秘书:曾垒

  联系方式:0731-22397170

  传真号码:0731-22397170

  公司网址:www.zzhddz.com

  公司股票上市地:深圳证券交易所

  证券简称:宏达电子

  宏达电子证券代码:300726

  统一社会信用代码:91430200616610317F

  经营范围:电阻电容电感及其他元件、滤波器、变压器、磁珠、微波铁氧体磁性器件、微波功率器件、电子电路、微电路模块、IF 模块、VF 模块、微波组
件、集成电路、电源管理芯片、电子专用材料研发、制造、销售及服务;计算机硬件、支撑软件开发、制造、销售及服务;电子仪器、电气设备开发、生产、销售及服务;电子产品检测。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
(二)主营业务

    发行人是一家以高可靠电子元器件和电路模块为核心进行研发、生产、销售及相关服务的高新技术企业,产品涵盖钽电容器、陶瓷电容器、微电路模块及其他电子元器件,客户覆盖车辆、飞行器、船舶、雷达、电子对抗等系统工程和装备等领域。

    发行人拥有 20 多年电子元件研发生产经验、十多条国内先进的电子元器件
和电路模块生产线、完善的质量检测体系和完整的检验试验技术,拥有多项电子元器件和电路模块的核心技术与专利,其中高能钽混合电容器、高分子钽电容器等产品在国内属于领先地位,公司是国内高可靠钽电容器生产领域的龙头企业。近年来,公司在巩固高可靠产品业务的同时,积极进行民品业务的开拓,民品销售收入持续上涨。公司未来将以钽电容器为核心进行扩展,致力于打造拥有核心技术和重要影响力的高可靠电子元器件集团公司。

    发行人最近三年及一期的营业收入按产品类别分类构成如下:

                                                                    单位:万元

              2021 年 1-6 月      2020 年度        2019 年度        2018 年度

  项目

              金额    比例    金额    比例    金额    比例    金额    比例

非固体电解  30,922.60  33.51% 49,422.19 35.28% 34,616.93 41.01% 26,099.23 41.02%
质钽电容器

固体电解质  25,032.65  27.13% 36,309.99 25.92% 25,277.53 29.95% 25,617.83 40.26%
钽电容器

微电路模块  9,275.63  10.05% 11,413.50  8.15% 5,449.81  6.46% 2,417.35  3.80%

陶瓷电容器  7,740.21  8.39% 12,160.62  8.68% 7,497.56  8.88% 4,080.99  6.41%

其他产品    18,521.65  20.07% 30,352.20 21.67% 10,094.55 11.96% 5,078.27  7.98%

主营业务收  91,492.74  99.16% 139,658.49 99.69% 82,936.38 98.26% 63,293.67 99.47%


其他业务收    777.21  0.84%    427.26  0.31% 1,467.79  1.74%  337.79  0.53%



            2021 年 1-6 月      2020 年度        2019 年度        2018 年度

  项目

            金额    比例    金额    比例    金额    比例    金额    比例

  合计    92,269.95 100.00% 140,085.76 100.00% 84,404.17 100.00% 63,631.46 100.00%

(三)核心技术及研发水平

    1、技术情况

  公司的研发人员积极吸收国际前沿技术,针对高可靠元件进行自主研发,根据市场需求状况、国内外先进技术研发方向和市场反馈信息,通过自主创新、技术积累和改进优化不断提升核心技术的应用水平,拓展核心技术的应用领域。
  公司自成立以来一直致力于高可靠电子元器件的研究开发工作,目前在高可靠钽电容器领域具有较强的研发能力,在片式固体电解质钽电容器、高能钽混合电容器和高分子固体钽电容器等小型化、高性能化钽电容器领域具有技术优势,自主研发的 THC 系列高能钽混合电容器和高分子固体钽电容器填补了国内空白,处于国内领先地位。

  非钽电容业务方面,公司在陶瓷电容器、环行器及隔离器、微电路模块、嵌入式板卡、LTCC 滤波器、薄膜电容器、温度传感器等系列产品上均实现了技术突破,形成了多元化的核心技术体系。

  公司在长期的研发实践中,逐渐掌握了以下各项核心技术:

序号  核心技术名称            技术现状、水平描述                技术来源

钽电容领域:

                      通过采用多级赋能技术,改善了氧化膜的质

 1  高能钽混合电容  量,提高产品的可靠性,该技术已广泛应用      自主研发

        器赋能技术    于该类产品的各种型号规格产品中,技术水

                      平为国内领先。

                      传统的阳极引出线为一根直钽丝,为了保证

                      烧结后,阳极引出线能与芯块接触良好,具

                      有较低的接触损耗角,公司将钽丝设计成不

 2  高能钽混合电容  同形式,使烧结后的钽丝不会在阳极芯块内      自主研发

        器成型技术    部转动,改善阳极芯块的容量、损耗角正切

                      值和 ESR 值等性能参数。该技术已广泛应用

                      于该类产品的各种型号规格产品中,技术水

                      平为国内领先。


序号  核心技术名称            技术现状、水平描述                技术来源

                      该技术优化了阳极赋能形成液的电导率,使

      非固体电解质钽  得在保证电容形成效率的前提下,进一步提

 3  电容器赋能过程  高形成液的闪火电压,提高成品电容的可靠      自主研发
      电流电压控制技  性。该技术主要应用于非固体电解质钽电容

            术        器生产线上的各型号电容,技术水平为国内

                      领先。

                      该技术通过对赋能形成电流、电压、时间的

      非固体电解质钽  优化,确保了电容芯块的电容量和漏电流满

 4  电容器电解液配  足标准要求,并降低了漏电流。该技术主要      自主研发
          制技术      应用于非固体电解质钽电容器生产线上的各

                      型号电容,技术水平为国内领先。

                      该技术对非固体电解质钽电容器中的硅溶

      非固体电解质钽  胶、硫酸及其他添加剂配方的不断优化,摸

 5  电容器赋能形成  索出一套闪火电压满足电容要求而又能降低      自主研发
        液配制技术    ESR 的电解液体系,达到了国内先进水平。

                      主要应用于非固体电解质钽电容器生产线上

                      的各型号电容。

                      该技术解决了五氧化二钽介质膜形成质量不

      固体电解质钽电  一致的问题,通过热处理释放了内部应力,

 6  容器介质膜形成  提高了介质膜耐受热应力的能力,达到了国      自主研发
          技术      内先进水平,应用于固体电解质钽电容器生

                      产线上的各型号电容。

                      该技术通过调整浸渍硝酸锰的溶液比重、浸

      固体电解质钽电  渍时间以及次数,解决了产品容量引出率偏

 7  容器二氧化锰阴  低,损耗一致性不好的问题,达到了国内先      自主研发
        极被覆技术    进水平,主要应用于固体电解质钽电容器生

                      产线上的各型号电容。

 8  片式高分子聚合  该技术解决了片式高分子钽电容器国产化问      自主研发
          技术      题,填补了国内高分子钽电容器的空白。

      片式钽电容高压  解决了钽阳极块压制时容易出现缺角、缺块、

 9  制密度下的阳极  疏松等技术难题,提高了成型工序合格率,      自主研发
      钽块成型技术  该技术达到了国内先进水平。

      片式钽电容
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