证券代码：300346 证券简称：南大光电 公告编号：2020-093
江苏南大光电材料股份有限公司
关于购买专利资产的公告
本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
重要内容提示：
1、江苏南大光电材料股份有限公司（以下简称“公司”）拟购买美国杜邦集团（英
文全称：DuPont de Nemours, Inc.）的全资子公司美国 DDP 特种电子材料公司（英
文全称：DDP Specialty Electronic Materials US 9, LLC，以下简称“DDP 公司”）名下
新型硅前驱体系列的 19 项专利资产组。购买价款包括一次性付款 1000 万美元和商业化付款，即转让专利有效期间所有涵盖产品净销售额的 8.5%。
2、本次交易不构成关联交易，亦不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组，无需提交公司股东大会审议。
一、交易概述
为进一步完善产业链，丰富前驱体产品结构，增强技术实力，提高公司在行业
中的地位和竞争优势，公司于 2020 年 9 月 4 日召开第七届董事会第二十八次会议，
审议通过了《关于购买专利资产的议案》，同意公司购买 DDP 公司名下新型硅前驱体系列的 19 项专利资产组。购买价款包括一次性付款 1000 万美元和商业化付款，即转让专利有效期间所有涵盖产品净销售额的 8.5%。资金来源为公司自有或自筹资金。
根据《深圳证券交易所创业板股票上市规则》、《公司章程》等相关规定，本次交易事项在董事会权限内，无需提交公司股东大会审议。近日，公司与 DDP 公司协商拟定了《资产购销协议》。董事会授权董事长或其指定的授权代理人办理本次购买专利资产事项涉及的相关事宜。
本次交易不涉及关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。
二、交易对方基本情况
公司名称：美国 DDP 特种电子材料公司（英文全称：DDP Specialty Electronic
Materials US 9, LLC）
地 址：美国特拉华州威尔明顿市中心路 974 号，邮编 19805
公司类型：有限责任公司
注 册 号：6406159
注册日期：2017 年 5 月 10 日
最终控股方：DuPont de Nemours, Inc.（美国杜邦集团）
主要业务： DDP 公司系美国杜邦集团的全资子公司，主要从事美国杜邦集团
旗下的电子材料的技术研发，知识产权管理，生产和销售。
上述交易对方与公司及公司前十名股东在产权、业务、资产、债权、债务、人
员等方面不存在关联关系，也不存在可能或已经造成公司对其利益倾斜的其他关系。
三、标的专利的基本情况
公司本次拟购买的 19 项专利资产组，涵盖近 10 个新型硅前驱体的化学成分、
合成/生产工艺和应用，在全球主要芯片制造国家和地区适用。这些高性能硅前驱体
可通过化学气相沉积或原子层沉积生成新型半导体所需要的特种含硅薄膜，可以满
足高性能计算和低功耗需求的高级逻辑和存储器芯片制造要求，应用领域主要有电
脑、手机芯片等。标的专利资产清单如下表（不包括 6 项正在受理尚未公开的专利
申请）：
序 专利 专利名称 国际申请号 国家或 国家或地区专利号 法律状态
号 类别 地区
Composition Comprising
Neopentasilane and Method of 美国 US12/440299 授权
Preparing Same
含新戊硅烷的组合物及其制备方法 中国 CN200780039179.X 授权
네오펜타실란을 포함하는 조성물 韩国 KR1020097008553 授权
发明 및 이의 제조 방법 PCT/US2007
1 专利 ネオペンタシランを含む組成物及び /019165
その製造方法 日本 JP2009534570 授权
Composition comprising neopentasilane 欧洲 EP2007811642 授权
and method of preparing same
包含新戊矽烷之組合物及其製造方法 台湾 TW096134053 授权
Composition comprising neopentasilane 新加坡 SG200901906 授权
and method of preparing same
Method of making 美国 US14/915404 授权
2,2,4,4-tetrasilylpentasilane
2，2，4，4-四甲硅烷基五硅烷及其组 中国 CN201480054107.2 授权
合物、方法和用途
발명의 명칭
发明 2,2,4,4-테트라실릴펜타실란 및 이의 PCT/US2014 韩国 KR1020167008588 实质审查
2 专利 조성물, 방법 및 용도 /053774
2,2,4,4-テトラシリルペンタシラン並 日本 JP2016540322 授权
びにその組成物、方法及び使用
2,2,4,4- tetrasilylpentasilane and its 欧洲 EP2014766329 授权
compositions, methods and uses
2,2,4,4-四矽基五矽烷及其組成物、方 台湾 TW103130048 授权
法及用途
Monoaminosilane Compounds 美国 US15/314323 授权
发明 单氨基硅烷化合物 PCT/US2015 中国 CN201580023434.6 实质审查
3 专利 /033074 韩国 授权
모노아미노실란 화합물 KR1020167036446
單胺基矽烷化合物 台湾 TW104117615 公开
Diaminosilane Compounds 美国 US15/314300 授权
二氨基硅烷化合物 中国 CN201580027866.4 实质审查
发明 다이아미노실란 화합물 PCT/US2015 韩国 KR1020167036880 授权
4 专利 /033075
ジアミノシラン化合物 日本 JP2017515018 授权
ジアミノシラン化合物 日本 JP2019126265 实质审查
二胺基矽烷化合物 台湾 TW104117616 公开
Process of synthesizing 美国 US15/300987 授权
diisopropylamino-disilanes
다이아이소프로필아미노-다이실란의 韩国 KR1020167036883 授权
发明 합성 공정 PCT/US2015
5 专利 /033092
다이아이소프로필아미노-다이실란의 韩国 KR1020197000853 实质审查
합성 공정
合成二異丙基胺基-二矽烷之程序 台湾 TW104117612 实质审查
Silicon Precursor, Method of Forming A
Layer Using The Same, and Method of 美国 US15/223685 授权
Fabricating Semiconductor Device
发明 Using The Same
6 专利 발명의 명칭 실리콘 전구체, 이를 N/A
이용한 박막 형성 방법 및 이를 韩国 KR1020150053180 实质审查
이용한 반도체 장치의 제조 방법
Pentachlorodisilane 美国 US15/558726
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