证券代码：002156 证券简称：通富微电 公告编号：2010-033
南通富士通微电子股份有限公司
与富士通半导体株式会社
签署合作设立研发中心意向书的公告
本公司及董事会全体成员保证公告内容真实、准确和完整，并对公告中的虚假
记载、误导性陈述或者重大遗漏承担责任。
为深化公司与富士通半导体株式会社（以下简称“富士通半导体”）的合作，
促进双方的科技创新和进步，公司与富士通半导体拟在合作、平等、共赢的基础上
建立合作研发平台，利用半导体产业快速发展的机遇加快先进封装技术成果的转化
及产业化。2010 年8 月30 日，双方签署了《合作设立研发中心意向书》。
一、合作方与公司的关联关系
富士通半导体与公司第二大股东富士通（中国）有限公司同为富士通株式会社
的全资子公司，同受富士通株式会社控制，为公司关联方。
二、《合作设立研发中心意向书》的主要内容
1．研发中心设在公司，研发中心设主任一名，副主任两名。主任由公司董事长
石明达担任，副主任分别由双方各推荐一名担任。富士通半导体委派3-4 名研发人
员在研发中心工作。富士通半导体委派人员的薪资待遇参照现行委派人员执行。
研发中心计划在2010 年年内开始运行。
2．双方共同协商制定研发中心的研发战略、方向及项目。在今后1-2 年内，研
发的重点是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA 等技术。
3．研发过程中形成的专利技术根据贡献度确定专利所有，双方均可使用该项专2
利技术。
三、设立研发中心对公司的影响
研发中心的设立，将加大公司研发新型封装产品和技术的力度，有利于公司综
合技术水平的提升，有利于加快先进封装技术成果的转化及产业化。同时，对公司
优化产品结构，实现产品技术处于行业领先地位的目标也会产生实质性的积极作用。
四、风险提示
该意向书表达了双方的合作意向，具体合作事宜有待于双方进一步协商，并通
过签署正式协议的方式确定。公司将根据合作进展情况，及时履行信息披露义务。
特此公告。
南通富士通微电子股份有限公司董事会
2010 年8 月31 日
