上海硅产业集团股份有限公司
（上海市嘉定区兴邦路 755 号 3 幢）
关于上海硅产业集团股份有限公司
向特定对象发行股票申请文件的审核问询函的回复
保荐机构（主承销商）
上海市广东路 689 号
上海证券交易所：
根据贵所《关于上海硅产业集团股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（上证科审（再融资）〔2021〕19 号）（以下简称“审核问询函”）要求，海通证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”、“海通证券”）会同上海硅产业集团股份有限公司（以下简称“公司”、“沪硅产业”或“发行人”）及普华永道中天会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称 “申报会计师”）、国浩律师（上海）事务所（以下简称 “发行人律师”）等中介机构，按照贵所的要求对审核问询中提出的问题进行了认真研究，现逐条进行说明，请予审核。
说明：
一、如无特别说明，本回复报告中的简称或名词释义与募集说明书中的相同。
二、本回复中的字题代表以下含义：
审核问询函所列问题 黑体（加粗）
对审核问询函所列问题的回复 宋体
对募集说明书的修改、补充 楷体（加粗）
三、本回复中部分表格中单项数据加总数与表格合计数可能存在微小差异，系为四舍五入所致。
目 录
1.关于募投项目 ...... 3
2.关于补充流动资金 ...... 51
3.关于财务性投资 ...... 58
4.关于公司财务状况 ...... 68
5.其他 ...... 78
1.关于募投项目
1.1 募集说明书披露，本次募投项目之一集成电路制造用 300mm 高端硅片研
发与先进制造项目计划投资金额 46.04 亿元，其中使用募集资金投入 15 亿元。项目实施后，公司将新增 30 万片/月可应用于先进制程的 300mm 半导体硅片产能。
根据公司招股说明书，公司首发募投项目之一为集成电路制造用 300mm 硅
片技术研发与产业化二期项目，总投资金额 21.73 亿元。项目实施后，公司将新增 15 万片/月 300mm 半导体硅片的产能。
请发行人披露：（1）本次募投项目与前述首发募投项目的联系与区别，产品特性、技术工艺、应用芯片制程范围、下游应用领域是否相同；（2）本次募投项目的预计效益情况。
请发行人说明：（1）结合公司目前技术储备情况，论证募投项目实施的技术可行性，是否存在重大不确定性风险；（2）结合公司现有同类项目单位产能投资额及同行业公司情况，说明本次募投项目投资数额的测算过程，测算依据及谨慎性；（3）目前全球已实现量产 300mm 高端硅片产品的企业、存量产能及市场竞争情况；（4）结合当前半导体行业周期波动情况、下游集成电路先进制程芯片市场需求变动、300mm 高端硅片在手订单、客户认证进展等情况，说明新增 300mm 高端硅片产能是否存在无法消化的风险，如存在，请披露相关应对措施并补充风险提示。
答复：
一、发行人披露：
（一）本次募投项目与前述首发募投项目的联系与区别，产品特性、技术工艺、应用芯片制程范围、下游应用领域是否相同
发行人已在募集说明书“第三节 本次募集资金运用的可行性分析”之“二、（一）集成电路制造用 300mm 高端硅片研发与先进制造项目”中补充披露如下：
“7、本次募投项目与首发募投项目的联系与区别
公司主要从事半导体硅片的研发、生产和销售。不同集成电路芯片产品对芯片制造工艺的要求不同，对用于芯片制造的半导体硅片要求也不同。根据集成电路芯片制造对最小线宽要求的不同，芯片制造工艺可分为 14nm 及以下、20-14nm、40-28nm、65nm、90nm 及以上等工艺制程。不同的工艺制程对半导体硅片的尺寸以及各项参数均提出了不同要求。
（1）本次募投项目与首发募投项目的联系
①业务经营
经营方面，本次募投项目与首发募投项目均属于扩产项目，两次募投项目实施后均显著提升公司 300mm 半导体硅片的供应能力。
②工艺技术
工艺技术方面，本次募投项目与首发募投项目采用的核心技术、工艺流程一致。其中，核心技术主要包括单晶生长技术、滚圆与切割技术、研磨技术、化学腐蚀技术、抛光技术、清洗技术、外延技术等；工艺流程主要包括拉晶环节、硅锭加工环节、成型环节、抛光环节、外延环节以及清洗出货环节。
半导体抛光片、外延片工艺流程图
（2）本次募投项目与首发募投项目的区别
由于本次募投项目与首发募投项目达产后所生产 300mm 半导体硅片产品可达到的技术指标有所不同，两次募投项目在产品特性及规格、可应用的芯片制造工艺制程范围及下游终端应用领域的覆盖程度等方面存在一定差异。
①产品特性及规格
半导体硅片是用于集成电路芯片制造加工的基本原材料，半导体硅片产品的性能参数直接影响芯片性能。一般来说，芯片制造工艺的制程越先进，意味着工艺线宽越小、芯片的集成度越高，半导体硅片产品的表面质量及硅单晶原生缺陷水平等关键技术指标都将对芯片制造工艺的良率及芯片产品的性能产生重要影响。
在首发募投项目中，公司已掌握完美晶体生长技术，成功解决硅单晶原生缺陷问题；与首发募投项目相比，本次募投项目实施完成后，300mm 半导体硅片产品表面质量将进一步改善，可满足更先进工艺制程的参数要求。
半导体硅片产品表面质量的重要参数表征主要包括局部平整度、翘曲度、弯曲度、表面金属残余量以及表面颗粒等,芯片制造工艺节点越先进，意味着芯片制造的最小线宽越小，对半导体硅片表面质量等重要参数要求也越高。两次项目相关技术指标的参数对比及指标差异分析情况如下：
主要技术指标 首发募投项目 本次募投项目 指标差异分析
该指标用于表征硅片表面平整度
质量，指标 MAX 数值越大，表示
局部平整度 MAX40nm MAX35nm 硅片表面起伏越大，平整度越差。
本次募投项目完成后，该指标可改
善 12.5%。
该指标用于表征硅片形变程度，指
标 MAX 数值越大，表示硅片表面
翘曲度 MAX50μm MAX15μm 形变程度越严重，对芯片制造过程
中各工艺环节的影响越大。本次募
投项目完成后，该指标可改善
70%。
该指标用于表征硅片整体弯曲程
度，是指硅片中线面的中心点处凸
和凹的变形量，指标 MAX 数值越
弯曲度 MAX50μm MAX10μm 大，表示硅片整体弯曲程度越大，
对芯片制造工艺精度的影响也越
大。本次募投项目完成后，该指标
可改善 80%。
该指标用于表征硅片表面金属杂
Cu,Fe,Cr,Ni,Zn≤1 Cu,Fe,Cr,Ni,Zn≤ 质情况，单位面积内残余的金属原
表面金属残余量 E10 atoms/cm2 1E9 atoms/cm2 子数量越大，对芯片的性能影响越
大。本次募投项目完成后，该指标
参数可降低一个数量级。
表面颗粒 ≤70 @37nm ≤50 @26nm 该指标用于表征硅片表面杂质颗
粒情况，颗粒尺寸越大、数量越多，
对芯片结构、特别是采用先进制程
的高集成度芯片结构影响越大。本
次募投项目完成后，表面颗粒最大
尺寸将由此前的 37nm 降低至
26nm；颗粒数量减少 28.6%。
②应用芯片制程范围
不同制程的芯片制造工艺对半导体硅片有不同的技术参数要求，工艺制程越先进，对半导体硅片相关技术参数的要求往往也越高。
相较于首发募投项目以面向 28nm 及以上制程应用为主、兼顾 20-14nm 制程
应用的 300mm 半导体硅片的产能扩充，本次募投项目将以面向 20-14nm 制程应
用的 300mm 半导体硅片产能扩充为主、兼顾 10nm 及以下制程应用的 300mm 半
导体硅片产能。同时，本次募投项目新增 300mm 半导体硅片也能够应用于先进存储器等特殊产品规格的芯片制造。
③下游应用领域
根据 WSTS 分类标准，半导体芯片主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，其中，集成电路芯片可进一步细分为存储器、模拟芯片、逻辑芯片与微处理器。本次募投项目与首发募投项目新增的产品均为半导体芯片制造用 300mm 半导体硅片，面向的终端应用领域包括消费类电子产品、汽车电子、计算机、工业电子、通信等。
由于本次募投项目新增 300mm 半导体硅片的主要技术指标要求更高、可应用的工艺制程更先进，因此本次募投项目新增产品在兼容首发募投项目产品下游应用领域的同时，可进一步应用于前
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