关于沈阳芯源微电子设备股份有限公司
2021 年度向特定对象发行 A 股股票申请文件
审核问询函的回复
保荐机构（主承销商）
北京市朝阳区建国门外大街 1 号国贸大厦 2 座 27 层及 28 层
上海证券交易所：
贵所于 2021 年 9 月 30 日出具的《关于沈阳芯源微电子设备股份有限公司向
特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（上证科审（再融资）[2021]75 号）（以下简称“审核问询函”）已收悉。沈阳芯源微电子设备股份有限公司（以下简称“发行人”“公司”）与中国国际金融股份有限公司（以下简称“保荐机构”）、国浩（上海）律师事务所（以下简称“发行人律师”）、容诚会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“申报会计师”）等相关方对审核问询函所列问题进行了逐项核查，现回复如下，请予审核。
如无特别说明，本回复使用的简称与《沈阳芯源微电子设备股份有限公司2021 年度向特定对象发行 A 股股票募集说明书》中的释义相同。在本回复中，若合计数与各分项数值相加之和在尾数上存在差异，均为四舍五入所致。
审核问询函所列问题 黑体
审核问询函所列问题的回复 宋体
对募集说明书的修订、补充 楷体（加粗）
目 录
问题 1：关于高端晶圆处理设备产业化项目（二期）项目......4
问题 2：关于上海临港研发及产业化项目......11
问题 3：关于设备及材料供应......26
问题 4：关于前次募集资金使用 ......28
问题 5：关于本次募投投资金额 ......36
问题 6：关于收益测算......46
问题 7：关于财务性投资......52
问题 1：关于高端晶圆处理设备产业化项目（二期）项目
IPO招股说明书披露：通过IPO募投项目项目之高端晶圆处理设备产业化项目建设，公司形成高端晶圆处理设备（主要包括8/12英寸单晶圆前道涂胶/显影机和8/12英寸前道单片式清洗机等产品）产业化规模生产能力。
募集说明书披露：（1）高端晶圆处理设备产业化项目原规划地点拟进行地下铁路修建，不再具备进行募投项目建设的条件，公司变更了该项目的实施地点，该项目的达到预定可使用状态时间延期至2022年6月30日；（2）本次再融资募投项目之高端晶圆处理设备产业化项目（二期）本项目建成并达产后，主要用于前道I-line与KrF光刻工艺涂胶显影机、前道Barc（抗反射层）涂胶机以及后道先进封装Bumping制备工艺涂胶显影机。
请发行人说明：（1）高端晶圆处理设备产业化项目与高端晶圆处理设备产业化项目（二期）对应的涂胶/显影机技术规格、应用领域及目标客户之间的关系；（2）除选址改变外，高端晶圆处理设备产业化项目是否存在技术、生产设备、人员方面的实施障碍，项目目前实施进展。
回复：
一、发行人说明
（一）高端晶圆处理设备产业化项目与高端晶圆处理设备产业化项目（二期）对应的涂胶/显影机技术规格、应用领域及目标客户之间的关系
1、公司所处行业的旺盛需求
随着下游电子、汽车、通信等行业需求的稳步增长，以及物联网、云计算及大数据等新兴领域的快速发展，集成电路产业面临着新型芯片与先进制程的产能扩张需求，半导体设备市场空间广阔。近年来，下游晶圆制造厂商产能持续吃紧，各大厂商均纷纷布局扩产计划，相关生产线建设热情高涨，同时伴随着集成电路产业国际产能不断向我国大陆地区的转移，国内半导体设备市场将持续维持高景气度状态。据SEMI统计，2016-2020年，我国大陆的半导体设备市场规模从64.60亿美元增长至187.20亿美元，期间年复合增长率达30.50%。由于半导体设备市场需求庞大，且在持续增长，细分领域的涂胶显影设备及清洗机等产品也面临着旺盛的需求。
然而，当前我国半导体设备领域国产化程度仍然较低，特别是在前道设备领域，我国目前还主要依赖国外进口。公司专注于高端半导体专用设备领域，通过持续的技术研发和供应链建设，推出更高工艺等级的前道涂胶显影设备与清洗设备产品，成功打破国外厂商垄断并填补国内空白。截至2021年9月30日，公司在手订单金额为133,055.34万元，较2020年末新增56,338.79万元，增长73.44%。前道设备方面，2021年1-9月，公司前道设备新签订单金额为31,035.75万元，同比新增21,382.19万元，增长221.50%，随着公司前道涂胶显影设备以及清洗机的研发取得进展，未来新增前道设备订单将呈较快增长趋势。后道设备方面，2021年1-9月，公司后道先进封装设备新签订单金额同比增长36,186.66万元，同比增长率217.52%。公司计划通过本次募投项目的建设，提高上述产品的生产和交付能力，满足下游客户的需求增长。
2、公司主要产品工艺发展路线及规划布局
公司致力于向精细化前沿技术领域发展，针对前道设备产品需求的增长制定了产品工艺发展路线及未来产能规划。公司前次募投项目高端晶圆处理设备产业化项目与本次募投项目高端晶圆处理设备产业化项目（二期）、上海临港研发及产业化项目在产品技术等级上逐步提升，满足下游客户对精细工艺下高产能的要求。
（1）前道涂胶显影设备
行业方面，半导体光刻工艺根据曝光光源波长不同来分类，光源波长越短，光刻机分辨率越高，制程工艺越先进，历史上半导体光刻工艺波长大致按照G-line（436nm）→I-line（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→ArFi（193nm，等效134nm）→EUV（13.5nm）方向转移。早期光刻机的光源是采用汞灯产生的紫外光源，从G-line一直发展到I-line，波长缩小到365nm；随后出现准分子激光的深紫外光源将波长进一步缩小到ArF的193nm，同时采用浸没技术将镜头和硅片之间的空间浸泡于折射率为1.44的纯净水中，实现了ArFi（浸没式）的等效波长193nm/1.44=134nm；之后业界开始采用极紫外光源EUV进一步提供更短波长的13.5nm光源。
类型 第一代 第二代 第三代 第四代 第五代
光源 G-line I-line KrF ArF EUV
波长 436nm 365nm 248nm 193nm 13.5nm
步进扫描投
接触式光刻 接触式光刻 扫描投影式 影光刻机、浸 极紫外光刻
对应设备 机、接近式光 机、接近式光 光刻机 没式步进扫 机
刻机 刻机 描投影光刻
机
制程节点 800-250nm 800-250nm 180-130nm 130-14nm 14nm-
资料来源：半导体行业观察，中金公司研究部
公司方面，发行人将沿着offline（前道Barc、PI）→inline（I-line→KrF→ArF→ArFi（浸没式））的工艺发展路线，逐步实现前道涂胶显影设备的工艺提升。
offline设备不与光刻机联机作业，主要为前道Barc（抗反射层）涂胶机与PI涂胶显影机。前道Barc（抗反射层）涂胶机主要用于前道制程光刻胶涂覆前，在衬底表面沉积一层有机或无机抗反射物质，以达到或增大光刻工艺窗口、提高光刻条宽控制的目的。PI涂胶显影机主要用于集成电路制造前道晶圆加工环节中的PI涂覆环节，PI即Polyimide聚酰亚胺，是一种有机高分子材料，将PI作为表面保护层涂覆可提高功率器件在高温高压环境下的可靠性。
inline设备与光刻机联机作业，整体上来讲技术要求相对更高，随着半导体产品制造技术特征尺寸的不断减小，公司根据主流光刻技术发展路线将逐步实现I-line→KrF→ArF→ArFi（浸没式）工艺的设备研发生产。
（2）前道清洗机
公司将沿着单片式物理清洗机→单片式化学清洗机的产品工艺路线，逐步扩大单片清洗机的市场覆盖率。相比于物理清洗机，化学清洗机能适用多种清洗液类型，覆盖的工艺环节更为广泛，可应用于更高工艺等级的前道晶圆制造领域。
公司根据上述产品工艺路线发展的实际需求，制定未来产能规划，具体规划布局如下：
厂区名称 厂区位置 产品类型 对应募投项目
及（拟）投产时间
飞云路厂区（公 集成电路制造后道先进封装、化
司现有厂区） 沈阳市 合物、MEMS、LED 芯片制造等 -
环节产品等
厂区名称 厂区位置 产品类型 对应募投项目
及（拟）投产时间
高端晶圆处理 前道 Barc（抗反射层）涂胶机、 前次募投项目，预计达到
设备产业化项 沈阳市 PI 涂胶显影机、I-line 涂胶显影 预定可使用状态时间为
目厂区 机以及前道单片物理清洗机等 2022 年 6 月 30 日
高端晶圆处理 前道 Barc（抗反射层）涂胶机、 本次募投项目，预计建设
设备产业化项 沈阳市 I-line 涂胶显影机、KrF 涂胶显影 期为 30 个月，第 3 年项目
目（二期）厂区 机、后道先进封装 Bumping 制备 正式投产
工艺涂胶显影机等
上海临港研发 ArF 光刻工艺涂胶显影机、浸没 本次募投项目，预计建设
及产业化项目 上海市 式光刻工艺涂胶显影机及单片 期为 30 个月，第 3 年项目
厂区 化学清洗机等 正式投产
3、高端晶圆处理设备产业化项目与高端晶圆处理设备产业化项目（二期） 对应的涂胶/显影机技术规格、应用领域及目标客户之间的关系
与高端晶圆处理设备产业化项目相比，高端晶圆处理设备产业化项目（二期） 生产的I-line光刻工艺涂胶显影机、前道Barc（抗反射层）涂胶机系在前者基础上 进行扩产及升级，同时也将新增KrF光刻工艺涂胶显影机和后道先进封装 Bumping制备工艺涂胶显影机的产业化，两个项目生产的涂胶/显影机产品在技术 规格、应用领域、目标客户等方面的对比情况如下表所示：
项目 产业化设 技术规格 应用领域 目标客户
备名称
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