605111 沪市 新洁能

股票代码：605111                                      股票简称：新洁能
      无锡新洁能股份有限公司

              2021 年度

      非公开发行 A 股股票预案

                    2021 年 11 月


                        发行人声明

  本公司及董事会全体成员保证本预案内容真实、准确、完整，确认不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

  本次非公开发行股票完成后，公司经营与收益的变化由公司自行负责；因本次非公开发行股票引致的投资风险由投资者自行负责。

  本预案是公司董事会对本次非公开发行股票的说明，任何与之相反的声明均属不实陈述。

  投资者如有任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、专业会计师或其他专业顾问。

  本预案所述事项并不代表审批机关对于本次非公开发行股票相关事项的实质性判断、确认或批准，本预案所述本次非公开发行股票相关事项的生效和完成尚待取得有关审批机关的批准或核准。


                        重要提示

  本部分所述词语或简称与本预案“释义”所述词语或简称具有相同含义。
  1、本次非公开发行股票相关事项已经获得公司第三届董事会第十八次会议审议通过。本次非公开发行股票的方案尚需取得股东大会的审议通过以及中国证监会的核准。

  获得中国证监会核准批复后，公司将依法实施本次非公开发行，并向上海证券交易所和中国证券登记结算有限责任公司上海分公司申请办理股票发行、登记和上市事宜，履行本次非公开发行股票的相关程序。

  2、本次非公开发行的发行对象为不超过35名特定投资者，包括符合中国证监会规定条件的证券投资基金管理公司、证券公司、信托公司、财务公司、保险机构投资者、合格境外机构投资者，以及符合法律法规规定的其他法人、自然人或其他合格投资者。证券投资基金管理公司、证券公司、合格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的2只以上产品认购的，视为一个发行对象。信托公司作为发行对象，只能以自有资金认购。

  最终具体发行对象将由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权，在本次非公开发行获得中国证监会关于本次发行核准批复后，按照相关法律、法规和规范性文件的规定，根据发行对象申购报价的情况，遵照价格优先等原则与保荐机构（主承销商）协商确定。所有发行对象均以现金方式认购本次非公开发行的股票。

  3、本次发行的定价基准日为公司本次非公开发行的发行期首日。

  本次发行股票的价格为不低于定价基准日前20个交易日（不含定价基准日当天，下同）公司股票交易均价的80%（定价基准日前20个交易日公司股票交易均价＝定价基准日前20个交易日股票交易总额÷定价基准日前20个交易日股票交易总量）。

  最终发行价格将在本次发行申请获得中国证监会的核准批复后，按照相关法律法规的规定和监管部门的要求，根据发行对象申购报价情况，由公司董事会或
董事会授权人士根据股东大会授权和保荐机构（主承销商）协商确定。

  4、本次非公开发行股票的数量为募集资金总额除以本次非公开发行股票的发行价格，且不超过本次发行前公司总股本的10.00%，即不超过14,168,000股（含14,168,000股）。

  若公司股票在本次非公开发行董事会决议日至发行日期间发生送红股、资本公积金转增股本、配股等除权事项，本次发行股票数量上限将作相应调整。最终发行数量由公司董事会根据公司股东大会的授权、中国证监会相关规定及发行时的实际情况，与本次发行的保荐机构（主承销商）协商确定。

  5、本次非公开发行股票完成后，发行对象所认购本次发行的股票自发行结束之日起6个月内不得转让，法律法规对限售期另有规定的，依其规定。本次非公开发行完成后至限售期满之日止，本次发行对象所取得公司本次非公开发行的股票因公司分配股票股利、资本公积金转增等形式所衍生取得的股票亦应遵守上述股份锁定安排。本次发行对象取得的公司股票在限售期届满后减持还需遵守《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所股票上市规则》等法律、法规、规范性文件的相关规定。

  6、本次非公开发行股票拟募集资金总额不超过145,000.00万元（含145,000.00万元），扣除发行费用后的募集资金净额全部用于投资以下项目：

                                                                    单位：万元

              项目名称                  总投资金额      拟投入募集资金金额

第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的          22,380.52              20,000.00
研发及产业化

功率驱动 IC 及智能功率模块（IPM）的研          61,726.54              60,000.00
发及产业化

SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车          50,852.30              50,000.00
规级）的研发及产业化

补充流动资金                                  15,000.00              15,000.00

                合计                          149,959.36              145,000.00

  本次非公开发行募集资金到位后，如实际募集资金净额少于上述拟投入募集资金金额，公司董事会及其授权人士将根据实际募集资金净额，在符合相关法律法规的前提下，在上述募集资金投资项目范围内，根据募集资金投资项目进度以
及资金需求等实际情况，调整并最终决定募集资金的具体投资项目、优先顺序及各项目的具体投资额，募集资金不足部分由公司以自有资金或通过其他融资方式解决。

  本次非公开发行募集资金到位之前，公司可根据募集资金投资项目的实际情况以自筹资金先行投入，并在募集资金到位之后根据相关法律法规的程序予以置换。

  7、本次非公开发行前后，公司控股股东和实际控制人仍为朱袁正，未发生变化。公司的股权分布符合上海证券交易所的相关规定，本次发行不会导致公司不具备上市条件。

  8、关于公司最近三年利润分配和现金分红政策及执行的详细情况、未来三年股东分红回报规划，详见本预案“第四节 公司利润分配政策及执行情况”。
  9、本次发行摊薄即期回报对公司主要财务指标的影响及公司拟采取的措施详见本预案“第五节 本次非公开发行股票摊薄即期回报情况及填补措施”。特此提醒投资者关注本次非公开发行股票摊薄股东即期回报的风险，虽然本公司为应对即期回报被摊薄风险制定了填补措施，但所制定的填补措施不等于对公司未来利润做出保证。

  10、本次非公开发行股票相关事项尚需中国证监会核准。


                          释 义

  在本预案中，若无特别说明，下列词语具有以下特定含义：
公司、本公司、新洁  指  无锡新洁能股份有限公司

  能、发行人
本次发行、本次非公

开发行、本次非公开  指  无锡新洁能股份有限公司 2021 年度非公开发行 A 股股票

    发行股票

  本预案、预案    指  《无锡新洁能股份有限公司 2021 年度非公开发行 A 股股票预
                      案》

  定价基准日    指  本次非公开发行股票的发行期首日

  《公司法》    指  《中华人民共和国公司法》

  《证券法》    指  《中华人民共和国证券法》

  《公司章程》    指  《无锡新洁能股份有限公司章程》

中国证监会、证监会  指  中国证券监督管理委员会

 元、万元、亿元  指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

    报告期      指  2018 年度，2019 年度，2020 年度，2021 年 1-9 月

                      常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材
    半导体      指  料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，
                      在商业应用上最具有影响力的一种。

                      一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个
  IC 或集成电路    指  电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，
                      制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一
                      个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。

                      半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制
                      备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在
    分立器件      指  集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立
                      器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT
                      等。

                      又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控
半导体功率器件、功  指  制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行
    率半导体          间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部
                      分。

 MOSFET、功率        金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，
    MOSFET      指  目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使
                      用以实现特定功能。

  沟槽型功率    指  MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导
    MOSFET          通损耗等特点。

                      基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
 超结功率 MOSFET  指  限”，特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工作频率高、
                      导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前主要用在高
                      端电源管理领域。

  屏蔽栅功率        基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
    MOSFET      指  限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导通电阻低、
                      开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、


                      电机驱动、汽车电子等领域。

                      绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优
      IGBT        指  点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、
                      工作频率高等特点，适用于 600V~6500V 高压大电流领域。与功
                      率 MOSFET 相比，更侧重于大电流、低频应用领域。

功率模块、功率集成      将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一
  模块（PIM）    指  起，形