无锡新洁能股份有限公司
（无锡市新吴区电腾路 6 号）
2021 年度非公开发行 A 股股票募集资金
使用的可行性分析报告
二〇二一年十一月
无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）拟通过非公开发行 A 股股票（以下简称“本次非公开发行”或“本次发行”）的方式募集资金。公司董事会对本次非公开发行募集资金运用的可行性分析如下：
一、本次募集资金使用计划
本次申请非公开发行股票拟募集资金总额不超过 145,000.00 万元（含），所募集资金扣除发行费用后，拟用于以下项目的投资：
单位：万元
序号 项目名称 拟投资总额 拟用募集资金投资金额
1 第三代半导体 SiC/GaN 功率器件 22,380.52 20,000.00
及封测的研发及产业化
2 功率驱动 IC 及智能功率模块 61,726.54 60,000.00
（IPM）的研发及产业化
SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成
3 模块（含车规级）的研发及产业 50,852.30 50,000.00
化
4 补充流动资金 15,000.00 15,000.00
合计 149,959.36 145,000.00
本次非公开发行募集资金到位后，如实际募集资金净额少于上述拟投入募集资金金额，公司董事会及其授权人士将根据实际募集资金净额，在符合相关法律法规的前提下，在上述募集资金投资项目范围内，根据募集资金投资项目进度以及资金需求等实际情况，调整并最终决定募集资金的具体投资项目、优先顺序及各项目的具体投资额，募集资金不足部分由公司以自有资金或通过其他融资方式解决。
本次非公开发行募集资金到位之前，公司可根据募集资金投资项目的实际情况以自筹资金先行投入，并在募集资金到位之后根据相关法律法规的程序予以置换。
二、本次募集资金投资项目的基本情况
（一）第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化
1、项目概况
本项目总投资 22,380.52 万元，拟使用募集资金 20,000.00 万元。项目建设期
24 个月，项目实施主体为新洁能，建设地点为位于江苏省无锡市新吴区锡兴路与锡新二路交叉口。公司已与无锡新吴区多次沟通并达成初步意向，正在准备招拍挂申请流程，预计取得本次项目规划用地的土地使用权不存在实质性障碍。
2、项目投资概算
单位：万元
序号 项目 金额
1 设备购置费 14,347.20
2 安装工程费 404.92
3 工程建设其它费用 221.28
4 预备费用 299.47
5 研发费用 5,470.00
6 铺底流动资金 1,637.65
合计 22,380.52
3、项目建设的必要性和可行性
（1）项目建设的必要性
①顺应行业发展趋势，实现产品结构升级的需要
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体典型材料，其研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点，是行业未来发展的主流趋势。第三代半导体SiC/GaN具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点，具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力，可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求。在部分高端下游应用领域，宽禁带半导体功率器件具备不可替代的优势，切合节能环保、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，已成为支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、航海航空等产业自主创新发展和转型升级的重点核心电子元器件。通过本募投项目的实施，有助于公司顺应半导体功率器件行业发展趋势，提前布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产品，实现公司产品结构升级，从而进一步强化公司在半导体
功率器件高端应用市场的核心竞争力。
②把握市场机遇，巩固公司国内领先地位的需要
宽禁带半导体功率器件的性能已得到国内外的公认，相关的衬底生产工艺、外延工艺、器件制备工艺等也逐步成熟。半导体功率器件部分下游行业需求逐渐由硅基向SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件转变，尤其以新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业成为SiC/GaN产品规模扩张的主要动力。当下是进入SiC/GaN等半导体功率器件市场领域的机遇期。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。公司作为国内半导体功率器件十强企业之一，需把握全球宽禁带半导体功率器件的发展契机，抓住机遇窗口，实现在宽禁带半导体领域的技术突破。通过本募投项目的实施将有助于公司加快SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发及产业化进度，抢占宽禁带半导体功率器件的技术高地，从而巩固公司在国内的领先地位。
③缩小与国际先进水平差距，提高国际竞争力的需要
不同于“硅基”半导体材料及半导体产业与国际先进水平存在较大差距，我国在宽禁带半导体技术领域的研究工作与国际前沿水平差异相对较小，且虽然现有技术与国际先进水平仍存在差距，但随着全球半导体产业逐步向亚洲转移，国内产业实力不断提升，同时依托 5G 通信、新能源汽车、物联网、智能装备制造、光伏发电等新兴产业带来的广阔市场空间、以及上下游产业链的协同，我国已经初步具备发展宽禁带半导体产业的能力。通过本募投项目的实施，有助于公司加大研发投入，充分借助目前在硅基半导体功率器件方面的技术基础，实现公司产品和技术向宽禁带半导体领域的过渡，缩小与国际半导体功率器件一流企业的技术差距，从而提高国际竞争力。
（2）项目建设的可行性
①国家政策的重点支持提供了良好发展环境
国家高度重视宽禁带半导体的研究与开发，从2004年即开始对宽禁带半导体
国制造2025》，新材料是其中十大重点领域之一，其中第三代半导体被纳入关键战略材料发展重点。2019年12月，国家级战略《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》明确要求加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展。2020年7月，国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》指出，国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%法定税率减半征收企业所得税。2021年，“十四五”规划出炉，提出要瞄准集成电路等前沿领域，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。国家针对宽禁带半导体密集出台的一系列产业政策和重大扶持措施，支撑了本募投项目的有效实施，为本募投项目提供了强有力的政策可行性。
②研发实力和技术积累为项目开发提供条件
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，为“中国半导体功率器件十强企业”，具备独立的MOSFET和IGBT芯片设计能力和自主的工艺技术平台，形成了具有自主知识产权的核心技术体系。公司紧跟半导体功率器件发展前沿，时刻关注SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的技术迭代更新，自2015年起逐步开展对SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发工作，不断研究相关设计难点、可靠性瓶颈、工艺技术等，并形成了一定的技术突破，目前已开发了“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可靠终端耐压保护技术”、“碳化硅功率器件高雪崩耐量技术”和“碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术”等多项SiC宽禁带半导体功率器件核心技术，并申请多项专利技术，而在GaN半导体功率器件方面，公司亦已完成多项目晶圆实验流片（MPW）阶段，并加快研发进程。此外，SiC/GaN材料半导体功率器件工作原理、设计理论与公司现有的MOSFET、IGBT等硅基半导体功率器件具有部分共同之处，其研发、设计、代工、封测等的技术难点与硅基功率器件亦有一定的相似之处。因此，硅基半导体功率器件部分低损耗技术、可靠性技术以及公司积累的封测工艺和技术可以较好应用到SiC/GaN功率器件的研发设计及产业化中。公司在现有MOSFET、IGBT等硅基功率器件技术和工艺积累以及在SiC宽禁带半导体功率器件方面的技术探索，为本募投项目的实施提供了必要的技术支撑。
③领先的产业链资源和客户资源为项目产业化打下基础
公司具有较强的产业链协作优势，不仅与国际著名的芯片代工厂商和封装测试厂商建立了良好的合作关系，还不断拓展其他国内外供应渠道，这为 SiC/GaN宽禁带半导体功率器件项目的实施打下了产业协作基础。在 SiC/GaN 宽禁带半导体芯片代工方面，公司已与国内外的 SiC/GaN 芯片代工厂商积极洽谈并展开初期合作，可以保证 SiC/GaN 半导体功率器件芯片的代工生产；在 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的封装测试方面，公司已积累了较为丰富的封测技术和工艺，本次募投项目亦将新增 SiC/GaN 的封装测试产线，实现部分器件的自主封装。此外，目前国内已有部分企业可以实现 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的封装测试，公司亦可选择部分委外代工的方式进行产品封测。在下游市场方面，SiC/GaN功率器件与公司高压超结功率 MOSFET 和 IGBT 产品的潜在市场领域具有一定的重合度，目前公司相当一部分客户已使用进口 SiC/GaN 功率器件，并多次咨询公司 SiC/GaN 功率器件产品开发进度，希望公司加快开发产品。上述情况为本募投项目的实施奠定了较好的供应商和客户基础。
4、经济效益分析
本募投项目建设期为 24 个月，预计按计划投入建设并如期投产后的第 1 年
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