公司代码：688396                                        公司简称：华润微
          华润微电子有限公司

          2024 年半年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存
    在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示

  公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人李虹、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声
    明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、  董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
√适用 □不适用
公司治理特殊安排情况：
√本公司为红筹企业

  公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用


                        目录


第一节  释义 ...... 4
第二节  公司简介和主要财务指标 ...... 6
第三节  管理层讨论与分析 ...... 9
第四节  公司治理 ...... 29
第五节  环境与社会责任 ...... 31
第六节  重要事项 ...... 35
第七节  股份变动及股东情况 ...... 51
第八节  优先股相关情况 ...... 58
第九节  债券相关情况 ...... 59
第十节  财务报告 ...... 60

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的
    备查文件目录    财务报告

                    报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及
                    公告的原稿


                        第一节  释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义

本公司、公司、华润微电子、        China Resources Microelectronics Limited（华润微电子有
CRM、华润微                指  限公司）。在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根
                                  据文义需要，亦包括其各分子公司

董事会                      指  华润微电子有限公司董事会

股东大会                    指  华润微电子有限公司股东大会

《章程》                    指  《经第八次修订及重列的组织章程大纲和章程细则》

中国华润、实际控制人        指  中国华润有限公司，本公司的实际控制人

CRH、华润集团              指  China Resources (Holdings) Company Limited（华润（集团）
                                  有限公司）

CRH (Micro)、华润集团（微电  指  CRH (Microelectronics) Limited（华润集团（微电子）有限
子）、控股股东                    公司），本公司的控股股东

润安科技                    指  华润润安科技（重庆）有限公司

矽磐微电子                  指  矽磐微电子（重庆）有限公司

中国证监会                  指  中国证券监督管理委员会

上交所                      指  上海证券交易所

元、万元、亿元              指  人民币元、万元、亿元

本报告期、报告期            指  2024 年 1 月 1 日至 6 月 30 日

                                  一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定规律变
传感器                      指  换为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传
                                  输、处理、存储、显示、记录、控制等要求

分立器件                    指  单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立
                                  式半导体器件有二极管、三极管、光电器件等

功率 IC                      指  功率集成电路，常见的功率 IC 包括电源管理芯片、电机
                                  驱动芯片、LED 驱动芯片、音频功放芯片等

功率半导体                  指  功率器件与功率 IC 的统称

晶圆                        指  半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各
                                  种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品

                                  处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号
模拟芯片                    指  是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而
                                  形成的连续性的电信号

氮化镓、GaN                指  一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、
                                  电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质

                                  为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一
流片                        指  个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检
                                  验电路是否具备所需要的性能和功能

短路能力                    指  功率器件发生短路后的承受与控制能力，是器件可靠性的
                                  一种重要参数

                                  高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功
超结 MOS                    指  率器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶
                                  体管的基础上，引入电荷平衡结构

金属势垒                    指  金属势垒即肖特基势垒，是一种由势垒金属与轻掺杂半导
                                  体接触所形成的具有一定势垒高度的整流结构

铜片夹扣键合工艺、Copper  指  指用铜块替代打线的工艺的一种新型的封装工艺，类似的
Clip                              有铝带/铜丝/金丝键合工艺

碳化硅、SiC                  指  一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁


                                  场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质

                                  Bipolar-CMOS-DMOS 的简称，BCD 是一种单片集成工艺
BCD                        指  技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管 bipolar，
                                  CMOS 和 DMOS 器件，称为 BCD 工艺

BMS                        指  电池管理系统，能够提高电池的利用率，防止电池出现过
                                  度充电和过度放电

                                  Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化
CMOS                      指  物半导体，互补式金属氧化物半导体，一种在同一电路设
                                  计上结合负信道及正信道的集成电路

                                  双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金属氧化物
DMOS                      指  半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半
                                  导体场效应管 LDMOSFET

EMI                        指  Electromagnetic Interference，即电磁干扰。指电磁波与电
                                  子元件作用后而产生的干扰现象

ESD                        指  Electro-Static discharge，静电释放。静电防护是电子产品
                                  质量控制的一项重要内容

FRD                        指  快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短
                                  特点的半导体二极管

HVIC                        指  高压集成电路

IDM                        指  IDM 模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内
                                  全部或主要业务环节的经营模式

                                  绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体
IGBT                        指  管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率
                                  控制能力高、工作频率高等特点

TMBS                        指  沟槽式肖特基势垒二极管，简称 TMBS（Trench MOS
                                  Barrier