公司代码：688689 公司简称：银河微电
常州银河世纪微电子股份有限公司
2021 年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
详情敬请参阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”相关内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人杨森茂、主管会计工作负责人关旭峰及会计机构负责人（会计主管人员）李福承
声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，每10股派发现金红利3.50元（含税）。截至2021年12月31日，公司总股本为12,840万股，以此为基数计算，合计拟派发现金红利4,494.00万元（含税），占2021年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的31.90%。2021年度公司不送红股，不进行公积金转增股本。
如在实施权益分派股权登记日前，因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例，并将另行公告具体调整情况。
上述利润分配预案已经公司第二届董事会第十六次会议及第二届监事会第十二次会议审议通过，独立董事及监事会均发表明确同意意见，尚需提交股东大会审议。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告内容涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述因存在不确定性，不构成公司对投资者的实质承诺，提请投资者注意投资风险。
十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标...... 7
第三节 管理层讨论与分析...... 11
第四节 公司治理 ...... 38
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...... 56
第六节 重要事项 ...... 65
第七节 股份变动及股东情况...... 92
第八节 优先股相关情况 ...... 101
第九节 公司债券相关情况...... 102
第十节 财务报告 ...... 102
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
备查文件目录 人员）签名并盖章的财务报表
载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、上 指 常州银河世纪微电子股份有限公司
市公司、银河微电
银河星源 指 常州银河星源投资有限公司，本公司控股股东
恒星国际 指 恒星国际有限公司（Action Star International Limited），本公
司股东
银江国际 指 常州银江投资管理中心（有限合伙），本公司股东
银冠投资 指 常州银冠投资管理中心（有限合伙），本公司股东
清源知本 指 常州清源知本创业投资合伙企业（有限合伙），本公司股东
聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），本公司
股东
银河电器 指 常州银河电器有限公司，本公司子公司
银河寰宇 指 泰州银河寰宇半导体有限公司，本公司孙公司
银微隆 指 常州银微隆电子有限公司，本公司子公司，2021 年 12 月注销
恒星贰号 指 常州恒星贰号实业投资合伙企业（有限合伙）
银汐实业 指 常州银汐实业投资有限公司
优曜半导体 指 上海优曜半导体科技有限公司，本公司参股公司
数明半导体 指 上海数明半导体有限公司，本公司参股公司
华海诚科 指 江苏华海诚科新材料股份有限公司
IDM 指 Integrated Device Manufacture 的缩写，又称纵向一体化经营，指
半导体行业集产品设计、芯片制造、封装测试、销售服务一体化整合
的经营模式，能够实现设计、制造环节的协同优化，充分挖掘技术潜
力，有条件率先试验并推行新的半导体技术，为诸多领先分立器件厂
商采用。
半导体分立器件、 指 以半导体材料为基础的，具有固定单一特性和功能的电子器件。
分立器件
集成电路 指 将一定数目的二极管、三极管、电阻、电容和电感等集成在一个芯片
里，从而实现电路或者系统功能的电子器件。
小信号器件 指 耗散功率小于 1W（或者额定电流小于 1A）的分立器件
功率器件 指 耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小于 1A）的分立器件。
光电器件 指 利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件。
二极管 指 是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件。
三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等。
MOSFET、MOS 管 指 是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效
应晶体管，属于电压控制型器件。
桥式整流器 指 用多只（四只、六只等）二极管芯片以桥式整流方式连接，并用绝缘
模塑料封装成整体，具有将单相（三相）交流电转换成直流电功能的
半导体分立器件。
光电耦合器 指 是由发光二极管和光敏三极管合并使用，以光作为媒介传递信号的
光电器件。
轴向二极管 指 在同一轴线上两端引出引线的半导体二极管。
芯片 指 如无特殊说明，本文所述芯片专指半导体分立器件芯片，系通过在硅
晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工后，在一
个硅晶圆片上同时制成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片
分离后便得到单独的晶粒，即为芯片。
GPP 芯片 指 在晶圆片制作芯片流程阶段，进行腐蚀台面分隔 PN 结，涂覆玻璃进
行终端保护制作出的芯片称为 GPP（玻璃钝化）芯片。
OJ 芯片 指 将做过 PN 结的晶圆片直接分离开所形成的（开放结）芯片，需要进
行引线焊接、台面腐蚀，涂覆硅橡胶保护层等才能形成稳定的电性。
晶圆 指 是制造半导体芯片的硅单晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。
整流 指 用二极管将周期变化的交流电变成单向脉动直流电的过程。
开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用。
稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程。
肖特基/SBD 指 肖特基势垒，是指具有整流特性的金属-半导体界面，和 PN 结具有
类似的整流特性。肖特基势垒相较于 PN 结最大的区别在于具有较低
的接面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）耗尽层宽
度。
封装测试、封测 指 封装是把芯片按一定工艺方式加工成具有一定外形和功能的器件的
过程。测试是把封装完的器件按一定的电性规格要求进行区分，把符
合规格与不符合规格的产品分开的过程。
塑封 指 用注塑、挤压等方法将热塑性或热固性树脂施加在制件上包覆成特
定外形而作为保护或绝缘层的一种作业。
固晶 指 固晶又称为 Die Bond 或装片。固晶即通过将芯片粘结在引线支架的
指定区域，形成良好的接触，从而形成热通路或电通路的过程。
共晶 指 在特定的温度下，两种或两种以上金属材料发生共晶物熔合形成良
好欧姆接触的现象。
氧化 指 在特定气体成分、压力、温度等条件下，（在高温氧化炉内）晶圆表
面生长一定厚度的致密 SiO2 薄膜的过程。
光刻 指 一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形）
配合的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上。
离子注入 指 将高能杂质离子注入到晶圆的近表面区，以改变相关区域的杂质分
布的过程。离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和
面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可
实现自对准技术（以减小电容效应）。
钝化 指 在半导体器件PN结表面覆盖保护介质膜，防止表面污染的工艺过程。
LED 指 发光二极管
TVS 指 瞬态电压抑制二极管
FRD 指 快恢复二极管
HBM 指
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