688233 科创 神工股份

公司代码：688233                                          公司简称：神工股份
      锦州神工半导体股份有限公司

            2023 年年度报告

封面图片
一封信


                致股东的一封信

尊敬的各位股东：

  感谢您长期以来对神工股份的支持和厚爱！

  当前，全球经济“数字化”、“低碳化”转型所驱动的芯片长期需求方兴未艾。从2023年年初开始，生成式人工智能技术应用强势步入大众视野，全球互联网巨头争相投入庞大的人力物力，力图占据下一次技术革命的“桥头堡”。算力和数据成为这场争夺战的“弹药”和“粮草”。

  因此，尽管能够取代智能手机的新一代主机类型尚未面世，传统的消费者市场驱动型的半导体周期仍在底部，但企业端对算力和数据的渴求，已经开始拉动半导体产业的部分细分市场蓬勃发展，并驱动中下游的集成电路制造厂商和半导体制造设备供应商扩大产能和研发投入，为市场注入新的动能。数以千亿美元计的资金正在太平洋两岸创造更多的芯片产能。

  公司根植全球半导体产业链，密切跟踪海外市场，我已经感受到这场变革犹如破晓前的朝晖，预示着地平线下躁动的新鲜事物和朗朗乾坤。

  然而，黎明前的黑暗最难熬。

  2023年，公司创立十年来首次面临亏损。重资产的硅片业务仍处于评估认证阶段，暂时未能产生相应的回报，拖累了公司的盈利水平；而主力的大直径硅材料业务，也因为半导体周期下行需求减少，收入下滑较大。

  2024年伊始，公司管理层加紧与下游客户的联系，面对面与客户交流互动，积极跟踪行业发展动态，巩固公司在大直径硅材料市场的国际地位。

  另一方面，随着国内集成电路制造厂硅部件评估工作逐步扩大，公司将聚焦高端产品，增加产能，紧跟客户要求，提高反馈速度，确保质量为先，力争硅零部件业务取得较快发展。硅片方面，将进入评估深入的一年，公司将在质量稳定的前提下提高产量，确保评估认证需求与经济效益的平衡。

  不忘初心，方得始终。半导体产业周期常有，穿越周期、越战越强的公司不常有，惟有实事求是、自我革新才能基业长青。2024年，公司管理层将砥砺前行，带领全体员工跨过激流险滩，有信心带给股东们长期、稳健的回报。

再次感谢所有关注、支持神工股份的朋友们！

                                                                神工股份 董事长
                                                                2023年3月29日

                          重要提示

一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
  完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示

  公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、 容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人潘连胜、主管会计工作负责人袁欣及会计机构负责人（会计主管人员）刘邦涛声
  明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  经容诚会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司 2023 年度实现归属于上市公司股东的净
利润为人民币-6,910.98 万元，截至 2023 年 12 月 31 日，公司累计未分配利润为人民币

33,443.93 万元。根据《锦州神工半导体股份有限公司章程》（以下简称“《公司章程》”）规定，公司当年盈利及累计未分配利润为正数时进行利润分配。

  公司充分考虑整体盈利水平以及实际发展需求，为更好地维护全体股东的长远利益，2023年度公司拟不进行利润，不派发现金红利，资本公积不转增股本，不送红股。以上利润分配预案已经公司第二届董事会第十七次会议审议通过，尚需公司股东大会审议通过。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  公司年度报告中涉及公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。

十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、 其他
□适用 √不适用


                            目录


第一节    释义 ...... 7
第二节    公司简介和主要财务指标 ...... 8
第三节    管理层讨论与分析 ...... 13
第四节    公司治理 ...... 50
第五节    环境、社会责任和其他公司治理 ...... 69
第六节    重要事项 ...... 75
第七节    股份变动及股东情况 ...... 97
第八节    优先股相关情况 ...... 106
第九节    债券相关情况 ...... 106
第十节    财务报告 ...... 107

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责（会计主
                    管人员）签名并盖章的财务报表。

    备查文件目录    载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

                    报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本
                    及公告的原稿。


                        第一节  释义

一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
 常用词语释义

 神工股份、公司、本公司  指  锦州神工半导体股份有限公司

 更多亮                指  更多亮照明有限公司，系公司股东

 矽康                  指  矽康半导体科技（上海）有限公司，系公司股东

 北京创投基金          指  北京航天科工军民融合科技成果转化创业投资基金（有限合
                            伙），系公司股东

                            宁波梅山保税港区晶励投资管理合伙企业（有限合伙）已于
 晶励投资              指  2023 年 7 月更名为“温州晶励企业管理合伙企业（有限合
                            伙）”，系公司股东

 旭捷投资              指  宁波梅山保税港区旭捷投资管理合伙企业（有限合伙），系公
                            司股东

 中晶芯                指  北京中晶芯科技有限公司，系公司全资子公司

 日本神工              指  日本神工半导体株式会社，系公司全资子公司

 上海泓芯              指  上海泓芯企业管理有限责任公司，系公司全资子公司

 福建精工              指  福建精工半导体有限公司，系北京中晶芯科技有限公司控股子
                              公司

 锦州精合              指  锦州精合半导体有限公司，系福建精工半导体有限公司全资子
                            公司

                            在氩气气氛下进行高温退火的工艺，能够有效地消除硅片近表
 氩气退火工艺          指  面区域缺陷,提高硅片质量。还可利用退火工艺在硅片内部形
                            成氧沉淀来提高硅片的内吸杂能力,进而提高硅片质量

 SK 化学                指  SKC solmics Co., Ltd.

 Hana                  指  HANA Materials Inc.

 三菱材料              指  Mitsubishi Materials Corporation

 SEMI                  指  Semiconductor Equipment and Materials International，
                            国际半导体设备和材料协会

 WSTS                  指  World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统
                            计协会

                            Bulk Micro Defect，体微缺陷，硅片在经过热处理之后的氧
 BMD                    指  析出物，通常分布于硅片内部，能够吸收硅片表层热扩散而来
                            的金属杂质

 STIR                  指  Site Total lndicator Reading，局部平整度，硅片的每个局
                            部区域面积表面与基准平面之间的最高点和最低点的差值

 TTV                    指  Total Thickness Variation，总厚度偏差，指硅片的最大与
                            最小厚度之差值

                            硅（Si）的单晶体，也称硅单晶，是以高纯度多晶硅为原料，
 单晶硅（硅晶体）      指  在单晶硅生长炉中熔化后生长而成的，原子按一定规律排列
                            的，具有基本完整点阵结构的半导体材料

 多晶硅                指  由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体，各个硅晶粒的晶体取
                            向不同，是生产单晶硅棒的直接原料

                            晶圆制造过程中干式刻蚀工艺的主要设备，主要分成 ICP 与
 等离子刻蚀机          指  CCP 两大类。其原理是利用 RF 射频电源，由腔体内的硅上电
                            极将混合后的刻蚀气体进行电离，形成高密度的等离子体，从
                            而对腔体内的晶圆进行刻蚀，形成集成电路所需要的沟槽


                            切克劳斯基（Czochralski）方法，由波兰人切克劳斯基在 1917
 直拉法                指  年建立的一种晶体