688233 科创 神工股份

              锦州神工半导体股份有限公司

 关于本次募集资金投向属于科技创新领域的说明（修订稿）
  锦州神工半导体股份有限公司（以下简称“神工股份”或“公司”）根据《上市公司证券发行注册管理办法》（以下简称“《注册管理办法》”）等有关规定，结合公司本次以简易程序向特定对象发行股票方案及实际情况，对本次募集资金投向是否属于科技创新领域进行了研究，制定了《关于本次募集资金投向属于科技创新领域的说明》（以下简称“本说明”），具体内容如下：

  （如无特别说明，本报告相关用语与《锦州神工半导体股份有限公司以简易程序向特定对象发行股票预案（修订稿）》中的释义具有相同含义）

    一、公司主营业务

  公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售，是业界领先的集成电路刻蚀用单晶硅材料供应商。

  就“大直径硅材料”业务，公司产能经稳健扩充继续保持全球领先，产品结构继续优化升级，利润率较高的 16 英寸及以上产品销售收入进一步提升，全球细分市场领先优势进一步巩固。公司产品目前主要向集成电路刻蚀用硅电极制造商销售，经机械加工制成集成电路刻蚀用硅电极，集成电路刻蚀用硅电极是晶圆制造刻蚀环节所必需的核心耗材。经过多年的发展，公司在集成电路刻蚀用单晶硅材料领域已建立起完整的研发、生产和销售体系，产品质量达到国际先进水平，已可满足 7nm 先进制程芯片制造刻蚀环节对硅材料的工艺要求。公司产品主要销往日本、韩国等国家和地区。凭借先进的生产制造技术、高效的产品供应体系以及良好的综合管理能力，公司与客户建立了长期稳定的合作关系。目前公司已成功进入国际先进半导体材料产业链体系，在行业内拥有了一定的知名度。

  就“硅零部件”和“半导体大尺寸硅片”业务，公司的研发投入始终以盈利为根本目标，市场推广取得显著进展，在国产半导体供应链中占据了有利位置，在下游客户面临技术出口管制导致的供应链风险时发挥了独特的支撑作用，进一
步打开了市场空间。

    二、本次募集资金投向方案

    （一）本次募集资金的使用计划

  本次向特定对象发行股票实施募投项目的投资总额为 39,879.19 万元。结合项目具体内容，公司拟使用募集资金投入 30,000.00 万元，具体如下：

                                                                    单位：万元

 序号        项目名称          总投资额            拟使用募集资金金额

  1    集成电路刻蚀设备用        30,879.19                          21,000.00
          硅材料扩产项目

  2      补充流动资金            9,000.00                          9,000.00

            合计                  39,879.19                          30,000.00

  在本次发行募集资金到位前，公司可根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后按照相关法律、法规规定的程序予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，在本次发行募集资金投资项目范围内，公司将根据实际募集资金数额，对上述项目的募集资金投入顺序和金额进行适当调整，募集资金不足部分由公司自筹解决。

    （二）本次募集资金投资项目的必要性及可行性分析

    1、集成电路刻蚀设备用硅材料扩产项目

    （1）项目概况

  本项目是在硅片的大尺寸化、制程工艺的缩小推动刻蚀用硅材料需求不断提升，公司大直径硅材料产品的整体产能利用率在高行业景气度条件下会处于基本饱和状态以及半导体行业下一轮上行周期到来前存在项目建设窗口期的背景下进行的产能扩充举措。

  本项目计划新建拉晶和加工车间，通过购置单晶炉、多晶炉、带锯床、切割机、钻孔机等刻蚀用硅材料生产加工设备，扩充刻蚀用硅材料产能，满足下游日益增长的不同尺寸维度的市场需求。本项目将围绕“半导体材料国产化”的国家战略，进一步提升刻蚀用硅材料产品产能，巩固公司在全球范围内的竞争地位，
满足公司战略发展的需要。本项目将根据下游市场需求不断优化产品结构，进一步提升毛利率较高的 16 英寸及以上大直径产品占比，同时积极拓展刻蚀用多晶硅材料产品业务，以进一步提高盈利能力。

  本项目主要以刻蚀用硅材料产能扩充为主导，项目产品主要用于刻蚀设备大直径硅电极、结构件的制造。本项目实施后，将形成新增年产 393,136kg（折合1,145,710mm）刻蚀用硅材料的生产能力。

    （2）项目实施的必要性

  1）进一步提升刻蚀用硅材料产品产能，满足公司战略发展需要

  刻蚀用硅材料是集成电路产业链中重要的硅材料，主要用于制作等离子刻蚀设备中的硅电极、外套环等，其产业化主要的技术难点是单晶硅的大直径晶体生长和硅纯度控制以及大直径硅材料内在电阻率均匀性控制的问题。目前，就市场参与者来看，全球范围内，除 CoorsTek、Hana 等少数海外厂商可以实现大直径硅材料自产自用外，鲜有厂商具备大直径硅材料规模化制造技术优势和成本优势。
  公司自成立以来一直专注于大直径硅材料及其应用产品的生产、研发及销售。凭借多年的积累和布局，公司在大直径硅材料领域继续保持领先地位，掌握了 22英寸及以下尺寸晶体的所有技术工艺，能够大规模、高品质、高可靠、广覆盖地向全球下游厂商提供大直径硅材料产品，在全球细分领域处于第一梯队。公司同时是国内极少数具备“从晶体生长到硅电极成品”完整制造能力的一体化厂商。本次募投项目将围绕“半导体材料国产化”的国家战略，进一步巩固公司在全球范围内的市场竞争地位，满足公司长期战略发展的需要。

  2）扩充刻蚀用硅材料产能，满足下游日益增长的市场需求

  刻蚀用硅材料市场需求主要由全球硅片出货量增加，以及先进制程芯片刻蚀次数增加造成硅电极消耗速度加快两大原因驱动。首先，随着全球芯片市场的扩大，芯片产量增加将会增加对刻蚀机的需求，从而带动刻蚀用硅材料市场扩张。同时，随着制程工艺的缩小，晶圆加工过程中刻蚀工艺次数逐渐增大带动刻蚀用硅材料市场更快增长。

  近年来，凭借多年的技术积累及市场开拓，在大直径硅材料领域，公司细分
市场占有率不断上升，市场地位和市场影响力不断增强，产品直接销售给日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。而随着公司刻蚀用大直径硅材料业务规模的快速发展，产能不足制约了公司业务的持续发展，也可能导致部分客户订单的流失。本次募投项目通过新建单晶、多晶两条刻蚀用硅材料生产线，扩充刻蚀用硅材料产能，以满足下游日益增长的不同尺寸维度的市场需求。

  3）进一步优化产品结构和丰富产品类型，提升盈利能力

  随着半导体加工制程不断进步，12 英寸集成电路产品的设计线宽越来越窄，需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度对 12 英寸硅片表面的温度、刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型，都在向着大型化方向发展，采用更大的腔体和更大的上电极、下电极，以满足 12英寸硅片面内各项工艺对均匀性的要求。公司大直径硅材料（16 英寸及以上）作为硅电极、结构件所需的上游材料的市场需求也将随之增加。本次募投项目主要以刻蚀用硅材料产能扩充为主导，匹配更先进的加工工艺，产品主要用于刻蚀设备大直径硅电极、结构件的制造。通过本次项目的实施，公司将根据下游市场需求不断优化产品结构，进一步提升毛利率较高的 16 英寸及以上大直径产品占比，同时积极拓展刻蚀用多晶硅材料业务，以进一步提升盈利能力。

    （3）项目实施的可行性

  1）项目实施具有良好的政策环境

  本项目产品主要为大直径硅材料，属于《产业结构调整指导目录》（2019 年本）鼓励类“九、有色金属：4、信息、新能源有色金属新材料生产。（1）信息：
直径 200mm 以上的硅单晶及抛光片、直径 125mm 以上直拉或直径 50mm 以上
水平生长化合物半导体材料，高端电子级多晶硅等”。

  半导体硅材料行业属于国家重点鼓励扶持的战略性新兴行业。工业和信息化部颁布的《新材料产业发展指南》提出“加强大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅单晶、高纯金属及合金溅射靶材生产技术研发，加快高纯特种电子气体研发及产业化，解决极大规模集成电路材料制约”；国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》提出“对于集成电路生产企业享受税收优惠政策；充分利用国家和地方现有的政府投资基金支持集成电路产业和软件产业发展，鼓励社
会资本按照市场化原则，多渠道筹资，设立投资基金，提高基金市场化水平；积极利用国家重点研发计划、国家科技重大专项等给予支持等”；《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》提出“加强原创性引领性科技攻关：在事关国家安全和发展全局的基础核心领域，制定实施战略性科学计划和科学工程。瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目”。

  国家一系列政策法规对半导体硅材料行业的鼓励和支持，为项目实施营造了良好的政策环境。

  2）公司在刻蚀用硅材料领域拥有深厚的技术积淀和研发技术实力

  自成立以来，公司一直专注于大直径硅材料及其应用产品的研发、生产与销售，持续积累并优化刻蚀用单晶硅材料制造技术，构建了较高的技术壁垒。公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项业内领先的工艺或技术，在维持较高良率和参数一致性水平的基础上有效降低了单位生产成本。

  此外，公司开发的“多晶硅晶体生长过程中晶格间排列方向微控制技术”，改良装料方法和工艺控制方法，能够控制多晶生长过程中的晶格有序排列，提升了晶核品质，这一技术进一步改善了公司多晶硅晶体生长工序的良率，满足了客户对更大尺寸晶体的需求。公司还积极研发切割工艺，提高了多晶产品的产出率。
  公司在刻蚀用硅材料领域深厚的技术积淀和研发技术实力为项目实施奠定了技术基础。

  3）晶圆代工良好的市场发展前景为项目实施奠定基础

  根据 SEMI 对全球晶圆市场的最新报告，尽管半导体行业从全面芯片短缺开始发展至部分领域开始出现反转，但全球晶圆产能却一直呈现增长的趋势。

  根据 SEMI 对全球 200mm 晶圆市场的最新报告，预计从 2021-2025 年，全
球半导体行业还将迎来 13 条新增的 200mm 晶圆生产线，全球半导体制造商的200mm 晶圆厂产能将迎来 20%的增长。SEMI 指出，汽车和其它应用需求的激

能，从 2021 到 2025 年的增长率高达 58%，其次是 MEMS（21%）、代工（20%）
和模拟（14%）。从区域来看，中国将在 200mm 晶圆产能扩张方面引领全球，预计到 2025 年增长 66%。其次是东南亚（35%）、美洲（11%）、欧洲和中东（8%）、以及韩国（2%）。

  根据 SEMI 对全球 300mm 晶圆市场的最新报告，预计全球半导体制造商将
在 2026 年将 300 毫米晶圆厂的产能提高到每月 960 万片晶圆（wpm）的历史新
高。目前世界多地对汽车半导体的需求依然强劲，而新推出的政府资助和激励项目，也正大力推动该领域的增长。从区域来看，中国大陆预计可将 300mm 前端
晶圆厂的全球产能份额，从 2022 年的 22%增加到 2026 年的 25%，达到每月 24