公司代码：688072 公司简称：拓荆科技
拓荆科技股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
（一）公司2023年半年度资本公积转增股本方案实施结果
公司于2023年8月28日召开第一届董事会第二十七次会议及第一届监事会第十六次会议，并于2023年9月13日召开2023年第三次临时股东大会，审议通过了《关于公司2023年半年度资本公积转增股本方案的议案》，公司以实施权益分派股权登记日（2023年9月27日）的总股本126,478,797股为基数，以资本公积向全体股东每10股转增4.8股，合计转增60,709,823股，转增后公司总股本增加至187,188,620股。
（二）公司2023年年度利润分配及资本公积转增股本方案
公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利3.5元（含税）。截至2024年3月31日，公司总股本为188,188,255股，扣除公司回购专用证券账户中的191,540股后公司股本为187,996,715股，以此计算合计拟派发现金红利65,798,850.25元（含税），不送红股。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为9.93%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.24%。
同时公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，以资本公积向全体股东每10股转增4.8股。截至2024年3月31日，公司总股本为188,188,255股，扣除公司回购专用证券账户中的191,540股后公司股本为187,996,715股，以此为基数测算，合计转增90,238,423股，转增后公司总股本将增加至278,426,678股（转增后公司总股本数以中国证券登记结算有限责任公司上海分公司最终登记结果为准）。
如在实施权益分派的股权登记日前，公司总股本发生变动，公司拟维持每股分配及转增比例不变，相应调整分配总额及转增股本总额，并将另行公告具体调整情况。
公司第二届董事会第四次会议和第二届监事会第四次会议审议通过了《关于公司2023年度利润分配及资本公积转增股本方案的议案》，并同意将上述议案提交至公司2023年年度股东大会审议，经批准后实施。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 拓荆科技 688072 不适用
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 赵曦 刘锡婷
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
电话 024-24188000-8089 024-24188000-8089
电子信箱 Dongban@piotech.cn ir@piotech.cn
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能，保持产品核心竞争力，进一步提升量产产品的市场占有率。同时，持续丰富公司产品品类，拓展工艺应用领域。公司 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及键合系列产品情况如下：
（1）PECVD 系列产品
① PECVD 产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进
封装等领域已实现产业化应用，可以沉积
SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、
PSG 等通用介质薄膜材料，以及 LoKⅠ、
LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si
等先进介质薄膜材料，可实现 8 英寸与 12
英寸 PECVD 设备兼容，在客户端具有高产
PF-300T eX 能、低生产成本优势。
PF-300T Plus eX
PF-300T pX
PF-300T Plus pX
PF-300T Supra-D
PF-300M Supra-D
在集成电路存储芯片制造领域已实现产业
NF-300H 化应用，适用于沉积较厚的薄膜，如 Thick
TEOS 介质材料薄膜。
PF-150T 在新型功率器件领域实现产业化应用，可以
PF-200T 沉积 SiC 器件制造中的 SiO2、SiN、TEOS、
SiON 等介质材料薄膜。
② UV Cure 产品
主要产品型号 产品图片 应用领域
在集成电路芯片制造领域已实现产业化应
PF-300T 用。该设备可以与PECVD成套使用，为PECVD
Upsilon HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处
理。
（2）ALD 系列产品
① PE-ALD 产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
Astra
在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封
装领域已实现产业化应用，可以沉积高
温、低温、高质量的 SiO2、SiN 等介质薄
膜材料。
NF-300H
Astra
② Thermal-ALD 产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
Altair
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
制造领域，首台设备已通过验证，可以沉
积 Al2O3等金属及金属化合物薄膜材料。
TS-300
Altair
（3）SACVD 系列产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
SA
广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
制造领域，可以沉积 SA TEOS 等介质薄膜
材料，可实现 8 英寸与 12 英寸 SACVD 设
备兼容。
PF-300T
SAF
（4）HDPCVD 系列产品
主要产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T
Hesper
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
制造领域，首台设备已通过验证，可以沉
积 SiO2、FSG、PSG 等介质薄膜材料。
TS-300S
Hespe
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