公司代码：605111 公司简称：新洁能
无锡新洁能股份有限公司
2024 年半年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
完整性 ，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司 全 体董事出席董 事会会议。
三、 本半年度报告未经审 计。
四、公司负 责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声
明：保 证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
五、 董事会决议通过的本 报告期利润分配预案或公积金转增股 本预案
公司拟以截至2024年8月12日的总股本扣除回购专户中的股份数量后的股本数414,278,987股为基数，向全体股东每10股派发现金红利0.53元（含税），预计派发现金21,956,786.31元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配。如在本半年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并另行公告具体调整情况。
六、 前瞻性 陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
七、是否存 在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
八、 是否存 在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
九、 是否存 在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的 真实性、准确性和完整性
否
十、 重大风 险提示
公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“第三节 管理层讨论与分
析”之“可能面对的风险”的内容。
十一、其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义......5
第二节 公司简介和主要财 务指标 ......7
第三节 管理层讨论与分析......10
第四节 公司治理......33
第五节 环境与社会责任......36
第六节 重要事项......38
第七节 股份变动及股东情 况 ......52
第八节 优先股相关情况......58
第九节 债券相关情况......59
第十节 财务报告......60
载有公司负责人朱袁正先生、主管会计工作负责人陆虹女士、会计机构负
责人（会计主管人员）邱莹莹女士签名并盖章的半年度财务报表。
备查文件目录 载有法定代表人朱袁正先生签名的半年度报告文本。
报告期内在《上海证券报》和《证券时报》上公开披露过的所有公司文件
的正本及公告的原稿。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、新洁能 指 无锡新洁能股份有限公司
新洁能香港 指 新洁能功率半导体（香港）有限公司
电基集成 指 无锡电基集成科技有限公司
金兰半导体 指 金兰功率半导体（无锡）有限公司
国硅集成 指 国硅集成电路技术（无锡）有限公司
富力鑫 指 无锡富力鑫企业管理合伙企业（有限合伙）
临芯投资 指 上海临芯投资管理有限公司
常州臻晶 指 常州臻晶半导体有限公司
浙江德倍斯 指 浙江德倍斯科技有限公司
上海贝岭 指 上海贝岭股份有限公司，上市公司（600171）
华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司，华虹半导体有限公司
（01347.HK）的子公司
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，上市公司（600584）
日月光 指 日月光投资控股股份有限公司（ASX.US），全球领先半导体封装
与测试制造服务公司
捷敏电子 指 捷敏电子（上海）有限公司
英飞凌（Infineon） 指 德国英飞凌技术股份有限公司，1999 年成立，是全球领先的半导
体公司之一
WSTS 指 世界半导体贸易统计组织
非公开发行 指 无锡新洁能股份有限公司 2021 年度非公开发行 A 股股票
中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会
报告期 指 2024 年 1-6 月
元 指 人民币元
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个
IC 或集成电路 指 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，
制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一
个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制
备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在
分立器件 指 集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立
器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT
等。
MOSFET 、 功 率 金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，
MOSFET 指 目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使
用以实现特定功能。
沟槽型功率 MOSFET、 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通
Trench-MOSFET 损耗等特点。
超结功率 MOSFET、超 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
结 MOSFET 或 SJ- 指 限”，特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工作频率高、
MOSFET 导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前主要用在高
端电源管理领域。
屏蔽栅功率 MOSFET、 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
屏 蔽 栅 沟 槽 型 功 率 指 限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导通电阻低、开
MOSFET、SGT 或 SGT- 关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、电
MOSFET 机驱动、汽车电子等领域。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优
IGBT 指 点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、
工作频率高等特点，适用于 600V~6500V 高压大电流领域。与功
率 MOSFET 相比，更侧重于大电流、低频应用领域。
功率驱动 IC 指 又称栅极驱动器 IC，是控制信号与功率开关器件（MOSFET、
IGBT 等）的信号集成电路产品。
将分立器件或分立器件和 集成电路按 一定的电 路拓扑封装在一
功率模块 指 起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功
率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
又称晶圆材料片，制造半导体器件的基本材料，在晶圆片上通过
晶圆 指 半导体加工工艺，可加工制作成各种集成电路或分立器件，而成
为有特定电性功能的半导体产品。
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测
芯片 指 试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸芯片包含数百颗至数万
颗数量不等的单芯片。
已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。芯片制作完成后，需要
功率器件 指 封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以
及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源
器件和有源器件构成完整的电路系统。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。
IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装
测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司。
芯片代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆
材料、光刻、刻蚀、离子注入、电镀等环节制造出芯片。
封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器
封装测试、封测 指 件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需
求，整个过程被称为封装测试。
碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带
SiC 指 宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，
特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域
GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁
带
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