公司代码：605111 公司简称：新洁能
无锡新洁能股份有限公司
2025 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
3、 公司全体董事出席董事会会议。
4、 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
5、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以截至 2026 年 3 月 26 日的总股本（扣除回购后用于员工股权激励的股份数量）
414,278,987 股为基数，向全体股东每 10 股派发现金红利 1.91 元（含税），预计派发现金红利
79,127,286.52 元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配。如在本报告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并将另行公告具体调整情况。
截至报告期末，母公司存在未弥补亏损的相关情况及其对公司分红等事项的影响
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所 新洁能 600511 /
联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表
姓名 肖东戈 陈慧玲
联系地址 无锡市新吴区新晶路 1 号 无锡市新吴区新晶路 1 号
电话 0510-85618058-8101 0510-85618058-8101
传真 0510-85620175 0510-85620175
电子信箱 Info@ncepower.com Info@ncepower.com
2、 报告期公司主要业务简介
1、行业特点及发展趋势
（1）所处行业
公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根据中华人民共和国统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会《上市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司所处行业为“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件，主要承担功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）及整流（交流转直流）等关键功能。随着国家持续推进电能替代与节能改造战略，各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。目前，全球范围内绝大部分电能需经功率半导体器件处理后才能投入使用，且该比例有望进一步扩大，为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。
自功率半导体诞生以来，历经数十年技术演进，行业围绕基材迭代、结构设计优化、先进封装技术及大尺寸晶圆应用等方面持续创新。技术演进的主要方向为更高的功率密度、更小的器件体积、更低的功耗及损耗，器件结构设计亦不断接近理想目标，以适应日益丰富的应用场景。据行业研究机构 Yole 数据显示，功率半导体器件约每二十年进行一次产品迭代，相较于其他半导体品类，其迭代周期相对较长，每一代芯片产品均拥有较长的生命周期，这为具备技术积累的企业提供了稳定的市场回报期。
发展至今，我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的技术体系。在中低端领域，国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化替代，成功从依赖进口转向国内自给自足。然而，在中高端领域，如 SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT 及化合物半导体等方向，因国内起步相对较晚、设计门槛较高、工艺复杂且缺乏充分的验证机会，国内厂商仍处于追随海外技术发展路线的发展阶段。
公司自成立以来，始终立足于全球功率半导体先进技术的前沿，致力于成为国内中高端功率半导体领域的领先企业。公司专注于功率半导体器件的设计与市场推广，精准把握市场需求及供应节奏，与国际一流代工厂保持长期紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划及产能调
配等方面形成了显著的竞争优势，为公司在市场竞争中持续巩固领先地位奠定了坚实基础。
（2）市场规模分析
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测，受益于人工智能应用及数据中心基础设
施的强劲需求，2025 年全球半导体销售额同比增长 25.6%，达到 7,917 亿美元；展望 2026 年，市
场有望进一步增长 23%，约 9,750 亿美元。从地区结构看，亚太地区作为全球半导体产业的重要
引擎，2025 年营收预计增长 24.9%，2026 年将继续保持 24.9%的增长率。另据 Gartner 预测，2025
年全球半导体收入将达 772.6 亿美元，2026 年有望增至 909.8 亿美元。
功率半导体作为半导体产业的重要分支，其市场规模在全球半导体行业中的占比保持在8%—10%的稳定区间。由于其广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业，且受益于新能源汽车与充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G 通信等新兴应用领域的快速发展，功率半导体市场呈现出弱周期性和稳健增长态势。据
Research and Markets 数据显示，2025 年全球功率半导体市场规模约为 568.7 亿美元，预计到 2031
年将增长至 782.5 亿美元，年复合增长率达 5.46%。从区域格局来看，亚太地区凭借其完整的制造产业链优势，占据全球功率半导体市场 51.35%的份额，且保持着 6.74%的复合年增长率。
中国作为全球最大的功率半导体消费国，市场发展前景持续向好。伴随新能源、AI 基础设施、
高端工控等下游领域的加速渗透，国内功率半导体市场有望保持高于全球平均的增速，为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。
①按产品品类
功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率 IC 三大类。其中，
功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN 等，其中以 MOSFET、IGBT、SiCMOSFET 为代表的功率器件需求旺盛，市场规模如下：
产品品类 特点 市场规模测算
根据 DIResearch 最新统计数据，2025 年全球
MOSFET 市场规模预计将达到 158.5 亿美元，受
具有开关速度快、输入阻抗高、 益于新能源汽车、AI 服务器电源、工业自动化
导通内阻小、易于驱动、热稳定 等下游领域的强劲需求，市场有望在 2032 年增
性好等优点，既可在低电流和低 长至 251.5 亿美元，期间年复合增长率达 6.82%。
MOSFET 电压条件下工作，也可用于大电 从区域结构看，中国作为全球最大的 MOSFET
流开关电路和高频高速电路，应 消费市场，2025 年市场规模预计将达到 456 亿
用场景广泛。 元人民币（约合 62.5 亿美元），约占全球市场的
36%。
中商产业研究院预测，2029 年中国 MOSFET 市
场规模有望突破700亿元人民币，2025年至2029
年复合增长率保持约 8%的稳健增长态势。值得
注意的是，中低压 MOSFET 作为国产替代进程
最快的细分领域，2024 年中国市场规模已达 263
亿元人民币，预计到 2029 年将增长至 446 亿元，
复合增长率达 11.1%，显著高于行业平均水平。
根据 Research and Markets 最新发布的报告，
2025 年全球 IGBT 市场规模预计将达到 103.7 亿
美元，受益于新能源汽车、光伏储能、工业自动
能源变换与传输的核心器件，可 化等下游领域的强劲需求，市场有望在 2026 年
在更高电压下持续工作，具有高 增长至 116.9 亿美元，到 2030 年将进一步突破
输入阻抗、低导通压降、驱动功 188 亿美元，2025 年至 2030 年期间年复合增长
IGBT 率小而饱和压降低的特点，功率 率达 12.6%。
增益更大，广泛应用于直流电压 亚太地区凭借其完整的制造产业链优势和旺盛
为 600V 及以上的变流系统。 的下游应用需求，占据全球IGBT市场最大份额。
据行业研究机构预测，2026 年中国 IGBT 市场规
模有望达到 42 亿美元以上，且未来几年将保持
高于全球平均的增速，为本土 IGBT 企业提供广
