公司代码：605111 公司简称：新洁能
无锡新洁能股份有限公司
2020 年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，
不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司全体董事出席董事会会议。
(一) 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
三、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声
明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
四、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以现有总股本101,200,000股为基数，向全体股东每10股送红股4股，每10股派发现金红利4.15元（含税），预计送红股40,480,000股，派发现金红利41,998,000.00元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额及每股送股比例不变，相应调整每股分配金额以及送股数量。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
五、 前瞻性陈述的风险声明
√适用□不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
六、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
七、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
八、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
九、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。
十、 其他
□适用√不适用
目录
第一节 释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 6
第三节 公司业务概要 ...... 9
第四节 经营情况讨论与分析 ...... 14
第五节 重要事项 ...... 30
第六节 普通股股份变动及股东情况 ...... 44
第七节 优先股相关情况 ...... 51
第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况 ...... 52
第九节 公司治理 ...... 61
第十节 公司债券相关情况 ...... 64
第十一节 财务报告 ...... 65
第十二节 备查文件目录 ...... 171
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、股份公司、 指 无锡新洁能股份有限公司
新洁能
新洁能香港 指 新洁能功率半导体（香港）有限公司
新洁能深圳分公司 指 无锡新洁能股份有限公司深圳分公司
新洁能宁波分公司 指 无锡新洁能股份有限公司宁波分公司
电基集成 指 无锡电基集成科技有限公司
上海贝岭 指 上海贝岭股份有限公司，上市公司（600171）
国联创投 指 无锡国联创投基金企业（有限合伙）
中汇金玖 指 上海中汇金玖四期股权投资基金管理合伙企业（有限合伙）
达晨创投 指 深圳市达晨创联股权投资基金合伙企业（有限合伙）
金浦新投 指 上海金浦新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
君熠投资 指 无锡君熠投资企业（有限合伙）
祥禾涌安 指 上海祥禾涌安股权投资合伙企业（有限合伙）
金投控股 指 无锡金投控股有限公司
华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司，华虹半导体有限公司
（01347.HK）的子公司
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，上市公司（600584）
华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司
安靠技术（Amkor） 指 Amkor Technology，全球排名第二的半导体封装测试供应
商
捷敏电子 指 捷敏电子（上海）有限公司
中芯集成 指 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司，中芯国际集成电路
制造有限公司（688981.SH、981.HK）的子公司
英飞凌（Infineon） 指 德国英飞凌技术股份有限公司，1999 年成立，是全球领先
的半导体公司之一
WSTS 指 世界半导体贸易统计组织
报告期 指 2020 年
元 指 人民币元
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，
把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及
IC 或集成电路 指 布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质
基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能
的微型结构。
分立器件 指 半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半
导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功
能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较
大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极
管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。
MOSFET、功率 MOSFET 或 金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件
MOS 指 结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作
为分立器件使用以实现特定功能。
沟槽型功率 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、
低导通损耗等特点。
超结功率 MOSFET 产品、超 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET
结 MOS、超结 MOSFET 或 指 的“硅限”，特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工
SuperJunction MOSFET 作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，
目前主要用在高端电源管理领域。
屏蔽栅功率 MOSFET、屏蔽 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET
栅沟槽型功率 MOSFET、 指 的“硅限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导
SGT 或 SGTMOSFET 通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用
于高端电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管
的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控
IGBT 指 制能力高、工作频率高等特点，适用于 600V~6500V 高压
大电流领域。与功率 MOSFET 相比，更侧重于大电流、低
频应用领域。
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装
功率模块 指 在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率
密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的
电力电子产品。
又称晶圆材料片，制造半导体器件的基本材料，在晶圆片
晶圆 指 上通过半导体加工工艺，可加工制作成各种集成电路或分
立器件，而成为有特定电性功能的半导体产品。
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过
芯片 指 封装测试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸芯片包含
数百颗至数万颗数量不等的单芯片。
已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。芯片制作完成后，
功率器件 指 需要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保
护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他
电容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。
IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、
封装测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司。
半导体行业中，“没有制造业务、只专注于设计”的
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