公司代码：603690 公司简称：至纯科技
上海至纯洁净系统科技股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
3 公司全体董事出席董事会会议。
4 众华会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
5 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
2023年度拟每10股派发现金红利1.93元（含税）。
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所 至纯科技 603690 无
联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表
姓名 任慕华 张娟
办公地址 上海市闵行区紫海路170号 上海市闵行区紫海路170号
电话 021-80238290 021-80238290
电子信箱 dong_ban@pncs.cn dong_ban@pncs.cn
2 报告期公司主要业务简介
2023 年度，公司业务保持稳步增长，公司为客户全生命周期提供产品与服务的战略布局已经逐渐成型并取得了显著经营成果。2023 年度公司新增订单总额为 132.93 亿元，其中包含电子材料
及专项服务 5 年-15 年期长期订单金额 86.61 亿元，该部分长期订单的获得是公司经营战略中子战
略之“将技术和产品服务化”的初步体现和成果。
自 2015 年起，公司紧密围绕国家发布的《中国制造 2025》这一国家级顶层规划和路线图，
制定了《至纯科技十年战略展望 2016-2025》作为内部发展战略，公司遵循“十年展望、五年规划、三年路径、年度经营目标”的节奏，有序推动战略管理和战略实施。公司的产品业务主要集中在高纯工艺系统、核心工艺设备以及工艺材料和专项服务，服务于泛半导体领域，如集成电路、平板显示、光伏、LED 等。
在 2017 年上市之际，公司迅速调整经营重心，将核心资源配置到集成电路领域。经过多年的努力，公司已成为国内集成电路领域高纯工艺系统的领导者、湿法设备的领先者，并成功跻身为
国内 28 纳米及以上主流集成电路制造企业的大宗气体主要本土供应商之一。从 2017 年至 2023
年，公司年度新增订单从6.7亿元攀升至近133亿元，营业收入从3.7亿元增长到31.5亿元，EBITDA
从 0.8 亿元增长到 7.47 亿元，归母净利润从 0.49 亿元提升至 3.77 亿元。
近年来，公司面临着巨大的战略机遇与挑战，主要矛盾在于日益增长的市场机遇与资源有限性之间的冲突。自 2017 年上市之初，公司明确提出要通过大力投入研发与提升产能建设，以匹配
业务的高速增长。经过不懈努力，公司的研发投入从 2017 年的 0.13 亿元跃升至 2023 年的 3.07
亿元。在技术研发方面，公司湿法设备产品成功开发了四大平台，覆盖湿法几乎全部工艺，在仍然被国际厂商垄断的部分机台环节，公司保持了国内领先的验证及交付进度。同时，公司在系统集成领域中用到的支持设备如前驱体设备、研磨液设备、气体在线混配设备、侦测器、干式吸附式尾气处理设备、生物反应设备、发酵设备，以及部分核心零部件产品等均投入资源开发了进口替代的产品，为公司的业务拓展夯实了基础。在生产规模上，随着市场拓展的加速以及公司不断
扩充新产品，生产场地从 0.9 万平米扩展至 37 万平米，固定资产及在建工程超过 20 亿。高强度
研发投入和重资产投入，彰显了公司创新发展、可持续发展、长期发展的科创报国战略雄心和战略定力，并且在公司业务的高速增长过程中得到了充分印证。
报告期内，公司扣除非经常性损益的净利润受到财务成本、折旧费用和仍在爬坡中的业务短期亏损的影响，尚未达到理想水平，管理层也已制定切实计划降低财务成本，并且对公司不同业务间的资源分配进行调整，未来公司有信心实现净利润增长；由于新签订单持续快速增长，公司在半导体材料及零部件等原料供给紧张的背景下，为提高供应链运转效率以便加快订单交付，增加了零部件等原材料备货，同时伴随着不断投入研发、产品验证以及在地化供应链建设等需求，报告期内公司的经营性现金流流出较多，随着公司产品逐渐通过验证以及近四年持续的在地化供
应链建设，同时公司加强应收款回款措施的实施，未来重点改善经营性现金流指标，以实现更为稳健的财务状况。
公司目前 80%的业务服务于集成电路领域，主营业务主要包括半导体制程设备、系统集成及支持设备的研发和生产销售，以及由此衍生的部件材料及专业服务。
1、制程设备
半导体设备是半导体技术迭代的基石，是半导体产业的发动机。芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道工艺设备投资占总设备投资的 80%以上。公司提供湿法清洗设备，包括湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备，聚焦晶圆制造的前道工艺，主要应用于扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。高端产品包括 SPM 高温硫酸、去胶、晶背清洗等清洗设备。
单片高温 SPM 工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗，目的是把晶圆表面反应后残余的光刻胶聚合物清除干净。单片 SPM 工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺，清洗工艺次数超过 30 道，是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。此外 SPM 工艺被广泛应用在浅槽隔离（STI）、接触孔刻蚀后（CT）等高深宽结构，以及鳍式晶体管（FinFET） 、电容（capacitor）等高度复杂图形区域，故 SPM 工艺被公认是 28/14nm 性能要求最高的工艺，也是最具挑战的湿法工艺设备。在至纯科技的单片 SPM 获得突破之前，所有的单片 SPM 设备全部由国外厂商所垄断。此外公司开发硫酸回收系统与单片 SPM 设备搭配使用，最高可以实现 80%以上的硫酸回收，单台每年可为用户节省 160~180 万美金的硫酸费用，同时降低用户对危废排放的压力。公司单片清洗机台设计采用类国际一流设备的架构，拥有自己专利和技术布局。目前产品的各项工艺指标与国际大厂设备是相匹配的，并可实现 40 纳米以下少于 20 个剩余颗粒的处理。
Backside clean（晶背清洗）工艺是在芯片制造工艺中相当重要的湿法工艺。半导体生产过程中，对于污染是很重视的，尤其是金属污染。一旦有金属污染将损失巨大。半导体生产设备中，最高单价的就是光刻机，晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶圆以最佳状态进入光刻机，避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(金属和颗粒)而停机。晶圆背面清洗的重要性及步骤数量随着工艺进步和金属层的增加而增加。目前国内晶圆厂商用的最多的是由海外大厂制造的机台，而公司目前已实现 Backside etch（背面蚀刻）功能，达到客户的验收标准。通过背面单片机台清洗后，可实现 40 纳米以上少于 10 个剩余颗粒的处理。同时金属污染可控制在 1E+9（原子/平方厘米）以内。目前产品的各项工艺指标可对标国际大厂设备指标。
公司产品如下所示：
产品系列 产品图片 应用领域 技术特点
单片湿法设备
覆盖 40-7nm 制程，重 ·高温硫酸回收，有助于节约客户
点应用于去胶清洗、 成本
离子注入后清洗、化 ·高温/高浓度化学品稳定应用
S300-HS ·高稳定化学品混配系统
学研磨后清洗、镍铂 ·反应腔模组化设计
金属去除等工艺 ·高洁精度零部件
可覆盖全制程晶背清 ·特有的晶圆翻转系统
S300-BS 洗需求 ·良好的晶背刻蚀均匀性
覆盖 40-28nm 制程， ·更好的机械设计，缩短等待时间
重点应用于接触孔清 ·通过化学品回收有效为客户降低
S300-CL 洗、炉管前清洗、薄 运营成本
膜沉积前后清洗等工 ·工艺可随世代提升的显著优势
艺
覆盖 90-7nm 制程，重 ·高稳定化学品混配系统
点应用于后段有机物 ·良好的化学品回收能力
S300-SV 清洗及高介电常数金 ·反应腔模组化设计
属清洗工艺 ·高洁精度零部件
S200 系列 应用可覆盖薄片工艺，化合物半导体，包含金属剥离制程
等
槽式湿法设备
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