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协昌科技:关于公司取得发明专利证书的公告

公告日期:2023-12-26

协昌科技:关于公司取得发明专利证书的公告 PDF查看PDF原文

    证券代码:301418          证券简称:协昌科技              公告编码:  2023-061

              江苏协昌电子科技股份有限公司

              关于公司取得发明专利证书的公告

  本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

        江苏协昌电子科技股份有限公司(以下简称“公司”)于近日获得国家知识

    产权局授予的两项发明专利证书,专利证书具体情况如下:

  一种低功耗屏                                              张家港凯思半导

  蔽栅型半导体 ZL 2019 1                                  体有限公司,江

1                          2019年05  2023年12  发明专利  苏协昌电子科技  第6569557号
  功率器件及其 0376360.4  月07日    月19日              股份有限公司,

    制备方法                                                张家港凯诚软件

                                                              科技有限公司

  一种低栅极内

2                ZL 2023 1  2023年07  2023年12            张家港凯思半导

  阻屏蔽栅沟槽                                  发明专利                  第6569525号
                0916422.2  月25日    月19日                体有限公司

    MOSFET

    注:专利权自授权公告之日起生效。专利权期限为二十年,自申请日起算。

        (一)发明专利“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”涉及

    到一种半导体功率器件,尤其是一种具有低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制

    备方法。本发明所解决的技术问题是:提供一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件,
    避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤,提高了栅极氧化层的可靠性。且引入沟槽

    底部的浮置阱结构,提高了器件的耐压能力。

        (二)发明专利“一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET”涉及到一种屏蔽栅

    沟槽MOSFET,尤其涉及到一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。本发明所解决

    的技术问题是:提供一种通过对其沟槽中内部结构的改进来降低栅极内阻的低栅

    极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。


  上述两项发明专利为公司自主研发。上述专利的取得不会对公司生产经营造成重大影响,但有利于公司进一步完善知识产权保护体系,发挥自主知识产权优势,并形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。

  特此公告。

                                        江苏协昌电子科技股份有限公司
                                                              董事会
                                                      2023年12月26日
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