宁波江丰电子材料股份有限公司
2023 年度财务决算报告
报告期内，宁波江丰电子材料股份有限公司（以下简称“公司”）财务部门
严格按照《企业会计准则》、《企业会计制度》、《会计法》的规定进行了财务核算，
公司所编制的年度财务报表经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计出具了标
准无保留意见的审计报告（信会师报字[2024]第 ZF10539 号）。现将 2023 年度
财务决算情况报告如下：
一、主要财务指标及其变动情况
1、主要会计数据和财务指标
单位：人民币元
2022 年 本年比上 2021 年
2023 年 年增减
调整前 调整后 调整后 调整前 调整后
营业收入（元） 2,601,608,568.67 2,323,878,581.81 2,325,223,350.66 11.89% 1,593,912,652.91 1,590,513,859.56
归属于上市公
司股东的净利 255,474,568.79 265,204,791.62 264,337,699.57 -3.35% 106,626,738.28 104,533,019.44
润（元）
归属于上市公
司股东的扣除 155,706,191.91 218,234,601.75 218,234,601.75 -28.65% 76,171,693.93 76,171,693.93
非经常性损益
的净利润（元）
经营活动产生 1,562.28
的现金流量净 251,025,634.23 16,492,567.54 15,101,293.19 % 102,906,718.42 101,969,141.66
额（元）
基本每股收益 0.96 1.11 1.11 -13.51% 0.47 0.46
（元/股）
稀释每股收益 0.96 1.11 1.11 -13.51% 0.47 0.46
（元/股）
加权平均净资 6.25% 11.41% 11.37% -5.12% 8.77% 8.56%
产收益率
2022 年末 本年末比上 2021 年末
2023 年末 年末增减
调整前 调整后 调整后 调整前 调整后
资产总额（元） 6,271,647,079.35 5,085,222,913.81 5,098,357,585.13 23.01% 2,901,436,340.37 2,922,282,227.93
归属于上市公
司股东的净资 4,174,314,633.25 4,003,258,453.87 4,006,729,778.54 4.18% 1,456,712,178.89 1,461,050,595.62
产（元）
二、公司主营业务及其经营状况的分析
（一）主营业务
公司主营业务为超高纯金属溅射靶材、半导体精密零部件、第三代半导体关键材料的研发、生产和销售，其中超高纯金属溅射靶材包括铝靶、钛靶、钽靶、铜靶以及各种超高纯金属合金靶材等，这些产品主要应用于超大规模集成电路芯片、平板显示器、太阳能电池制造的物理气相沉积（PVD）工艺，用于制备电子薄膜材料。半导体精密零部件包括金属、陶瓷、树脂等多种材料经复杂工艺加工而成的精密零部件，主要用于半导体芯片以及平板显示器生产线的机台，覆盖了包括 PVD、CVD、刻蚀、离子注入以及产业机器人等应用领域，其生产过程对于材料精密制造技术、表面处理特种工艺等技术要求极高，产品主要出售给晶圆制造商作为设备使用耗材或出售给设备制造商用于设备生产。功率半导体覆铜陶瓷基板是芯片的重要载体，具有良好的导热性能、电气性能、绝缘性能以及较高的可靠性等特性，主要采用 DBC 和 AMB 生产工艺，目前覆铜陶瓷基板已经广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件 IGBT 等领域，产品终端主要应用于新能源汽车、轨道交通、白色家电及绿色电力系统等众多领域。碳化硅是第三代半导体的核心材料，碳化硅外延晶片是制造功率器件的关键原材料，在新能源汽车、能源、工业等领域强劲需求的带动下，全球碳化硅器件下游需求旺盛，碳化硅外延行业市场增长迅速。
（二）主要产品
1、超高纯靶材
公司主要生产超高纯金属溅射靶材，包括超高纯铝靶材、超高纯钛靶材及环件、超高纯钽靶材及环件、超高纯铜靶材及环件、钨钛靶、镍靶和钨靶等。
（1）超高纯铝靶材
超高纯铝及其合金是目前使用最为广泛的半导体芯片配线薄膜材料之一。在其应用领域中，超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高，通常要求达到 99.9995%（5N5）以上，平板显示器、太阳能电池用铝靶的金属纯度略低，分别要求达到 99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。目前，公司生产的铝靶已经广泛应用于超大规模集成电路芯片、平板显示器、太阳能电池等领域。
（2）超高纯钛靶材及环件
在超大规模集成电路芯片中，超高纯钛是被广泛应用的阻挡层薄膜材料之一。钛靶材及环件则是应用于 130-5nm 工艺当中，超高纯钛环件与超高纯钛靶材配套使用，其主要功能
是实现更好的薄膜性能，以达到更高的集成度要求。目前，公司生产的超高纯钛靶、钛环主要应用于超大规模集成电路芯片制造领域。
（3）超高纯钽靶材及环件
在先端的铜制程超大规模集成电路芯片中，超高纯钽是阻挡层薄膜材料。钽靶材及环件是在90-3nm的先进制程中必需的阻挡层薄膜材料，主要应用在最尖端的芯片制造工艺当中。因此，钽靶材及环件是靶材制造技术难度最高、品质一致性要求最高的尖端产品，在此之前仅有少数几家跨国公司能够生产。特别是钽环件生产技术要求极高，目前只有江丰电子及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术。近年来随着高端芯片需求的增长，钽靶材及环件的需求大幅增长，全球供应链极其紧张。目前，公司生产的钽靶材及环件主要用于超大规模集成电路领域。
（4）超高纯铜靶材及环件
超高纯铜及铜锰、铜铝合金靶材是目前使用最为广泛的先端半导体导电层薄膜材料之一。在其应用领域中，超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高，通常要求达到 99.9999%（6N）以上，平板显示器、太阳能电池用铜靶的金属纯度略低，分别要求达到 99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。铜及铜合金作为导电层通常用于 90-3nm 技术节点的先端芯片中。特别是铜锰合金靶材制造难度高，目前只有江丰电子及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术。近年来随着高端芯片需求的增长，铜锰合金靶材的需求大幅增长，全球供应链极其紧张。公司生产的铜及铜合金靶主要用于超大规模集成电路芯片和平板显示器制造领域。
2、精密零部件
半导体精密零部件是半导体设备制造中难度较大、技术含量较高的环节，作为半导体设备核心技术演进的关键，半导体精密零部件具有精度高、多品种、小批量、尺寸特殊、工艺复杂、要求严苛等特性，主要应用于高端半导体刻蚀、沉积、离子注入等设备，主要包括传输腔体、反应腔体、膛体、圆环类组件（ring）、腔体遮蔽件（shield）、保护盘体（disc）、冷却盘体（cooling arm）、加热盘体（heater）、气体分配盘（shower head）、气体缓冲盘（block plate）、模组组件等；材料包括金属类（不锈钢、铝合金、钛合金）、非金属类（陶瓷、石英、硅、高分子材料）等；制造工艺包括超精密加工、扩散焊、氩弧焊、真空钎焊、表面处理、阳极氧化、等离子喷涂、热喷涂、特殊涂层、超级净化清洗等。在芯片先进制程生产工艺中，各种精密零部件作为耗材被广泛使用，零部件产品对金属材料精密制造技术、
表面处理特种工艺等技术要求极高。目前，公司生产的零部件产品包括设备制造零部件和工艺消耗零部件，主要用于超大规模集成电路芯片领域。
3、其他产品
除上述超高纯金属溅射靶材以及精密零部件产品以外，公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD 用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。
（三）主要经营模式
1、采购模式
公司依据销售订单和生产计划制定具体的采购计划，结合主要原材料的现有库存量、采购周期、在途时间等因素计算具体的采购数量，并确保一定的安全库存量。对于主要原材料的采购，公司已经建立了稳定的原材料供应渠道，与主要供应商结成了长期稳定的战略合作伙伴关系，根据制定的采购计划实施采购；对于其他原材料的采购，公司通常会选择 2-3 家合格供应商，建立多家供货渠道，经询价后确定供应商并及时采购入库。针对日本供应商，公司主要通过全资子公司日本江丰直接采购，以及日本江丰通过三菱化学旗下的综合商社向其采购高纯金属原材料。
2、生产模式
由于公司的终端用户多为世界一流芯片制造企业，各客户拥有独特的技术特点和品质要求，为此公司根据客户的个性化需求采取了定制化的生产模式。研发生产的产品在材料、成分、形状、尺寸、性能参数等诸多方面存在着不同，公司生产具有“多品种、小批量”的特点。在产品研发及设计前期，公司要投入大量精力与终端客户进行技术、品质、性能的交流，当产品通过客户评价后，生产部门在接到来自销售部门的客户订单后，即根据订单制定生产计划，实行“以销定产”的生产模式。
公司已经掌握了超高纯金属溅射靶材生产中的核心技术，形成了晶粒晶向控制、材料焊接、精密加工、产品检测、清洗包装等在内的完整业务流程，通过合理调配机器设备和生产资源自主组织生产，实行柔性化生产管理。在先进制程领域，公司持续适应下游客户不同的技术路线演变需求和变革需求，从而实现先进制程领域超高纯金属溅射靶材在客户端的规模化量产。
3、销售模式
由于超大规模集成电路、平
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