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北方华创:2023年年度报告

公告日期:2024-04-30

北方华创:2023年年度报告 PDF查看PDF原文
北方华创科技集团股份有限公司

        2023 年年度报告

          2024 年 04 月

致股东

  以“芯”为舵,向“新”而行。

  从 ChatGPT 到 Sora,从数字化到智能化,从“互联网+”到“人工智能+”,时代的风口带来的产业革命和产业机会正
在被越来越广泛地思考和讨论,而支撑数字化、智能化持续前进的核心力量——集成电路产业也正面临着竞争格局的加速变化。2023年,北方华创依然保持了近年来持续的增长态势,全年实现营业收入 220.79亿元,同比增长50.32%,归母净利润 38.99 亿元,同比增长 65.73%。

  连续多年保持高位增长,得益于北方华创始终坚持“以客户为中心,以价值创造者为本,持续创新”的核心价值观:始终围绕客户需求的高强度地科技创新,为企业建立起了更为深刻的客户信赖关系和长久合作信心;始终围绕高质量发展的深度管理变革,为企业构建了更加开放、更具活力与韧性的竞争新优势;始终围绕价值创造者的高效能体制机制改革,为企业打造了更宜于创新人才大展身手的优越环境。

  以高水平创新力构筑竞争新优势。坚定不移地、持续不断地、全力以赴地围绕客户需求开展创新,让客户因有北方华创同行而踏实且坚定,让产业因有北方华创的创新之力牵引而充满无限可能。在这样信念的指导和引领下,2023 年北方华创持续在产品端发力:在刻蚀技术方面,实现 12 英寸硅、金属、介质刻蚀机全覆盖,形成了更加完整的刻蚀解决方案,实现了介质刻蚀设备领域关键突破,发布了满足客户不同工艺需求的全系列等离子去胶产品,应用高深宽比刻蚀工艺的深硅刻蚀机单机型销量破百,累计刻蚀产品系列出货超 3500 腔。在薄膜技术方面,精准定位市场需求,采用差异化路线攻克多项金属薄膜与介质薄膜关键技术难题,系列产品获得关键客户认可,实现批量销售;外延设备实现在集成电路、功率半导体、硅材料、化合物半导体等领域工艺全覆盖,累计薄膜沉积产品出货超 5500 腔。在清洗技术方面,槽式清洗机实现工艺全覆盖,单片清洗机实现前段高端工艺新突破,为清洗业务板块开拓了更广阔的市场空间。在热处理技术方面,快速热退火设备、立式炉原子层沉积设备等新产品层出不穷,为客户提供全面解决方案的能力持续提升。在真空及锂电装备领域,推出了新一代复合集流体高速卷绕 PVD 镀膜设备,打开了新能源电池领域未来增长预期;围绕新一代陶瓷基复合材料的制备,研发了重结晶碳化硅结构件的 CVD 工艺技术,开发碳化硅纤维增强、碳化硅复合材料的工业 CVD 设备。在高端精密电子元器件领域,新开发的模拟链路产品、硅电容器等产品,将现有工艺与半导体工艺相结合,持续提升产品性能,拓展产品应用。

  以高质量发展力驱动发展新动能。从零到一是创新、是突破、是创造,从一到百是坚持、是不断调整适应、更是厚积薄发。2023 年是北方华创在百亿规模运行的第一年,不论是外部市场拓展、供应链系统建设,还是内部组织效率、生产运营、客户端支撑服务等各方面,都经受住了企业规模持续扩大和管理链条日益拉长的考验,交出了令人满意的答卷。细分
行业、细分客户,力保存量、聚焦增量,建立起更加体系化的市场管理系统,不断优化企业市场能力;不断增强供应链管理能力,带动产业链上下游不断创新升级、融通发展;以精益化、自动化、数字化、智能化为主线,打造全链条动态可视化制造管理平台,进一步夯实产品交付及质量保证能力;开展全面导向客户的组织流程再造,打造更加机动灵活的组织架构和运营模式;以全面导入“卓越绩效”模式为契机,将大质量管理模式融入到战略管控、人才赋能、创新实践、品牌建设等企业管理实践的各个方面,不断提质增效,以全方位的高质量回馈客户。

  以高效能改革力凝聚前进新力量。对标高质量发展目标,北方华创致力于构建起匹配新质生产力发展要求的创新性人才培养与激励体系。2023 年,企业持续加大体制机制改革力度,创新性运用了多重手段,持续激发价值创造者的创新活力和创造热情;深化校企合作,持续加大联合培养工程硕博士力度,为人才成长拓宽外部资源渠道;运用“事业共同体”理念进行顶层设计,以“常态化激励机制”与“差异化激励工具”系统重构多层次、可持续的中长期激励机制;通过任期制设置岗位任职时长,项目制挂职测试人岗适配度,轮岗地图牵引全员有序轮转,进一步盘活人力资源利用率,建立继任干部池和高潜人才池,涵养培育后备力量。

  乘势而为,顺势而上。在未来的道路上,北方华创将继续秉承“以客户为中心,以价值创造者为本,持续创新”的核心价值观,持续聚焦客户需求,不断加大研发投入,持续提升创新效能。保持开放视野,对标先进,不断推陈出新,加快成长速度。我们将始终心怀感恩和敬畏,与客户、股东、员工以及全球合作伙伴携手并进,共同探索科技的无限可能,共创价值。在不断变化的时代浪潮中,北方华创将勇往直前,开创更加美好的未来。

                                    董事长


                第一节 重要提示、目录和释义

    公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

    公司负责人赵晋荣、主管会计工作负责人李延辉及会计机构负责人(会计主管人员)唐浩声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

    本报告涉及未来计划等前瞻性陈述,不构成本公司对投资者的实质承诺,投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

    公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以530,940,639股为基数,
向全体股东每 10 股派发现金红利 7.80 元(含税),送红股 0 股(含税),不
以公积金转增股本。


                        目 录


致股东...... 2
第一节 重要提示、目录和释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 9
第三节 管理层讨论与分析 ...... 13
第四节 公司治理 ...... 35
第五节 环境和社会责任 ...... 56
第六节 重要事项 ...... 57
第七节 股份变动及股东情况...... 65
第八节 优先股相关情况 ...... 74
第九节 债券相关情况...... 75
第十节 财务报告 ...... 76

                    备查文件目录

一、载有公司法定代表人签名的 2023 年年度报告原件。
二、载有公司法定代表人、总裁、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的财务报表。
三、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
四、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿。
五、其他相关资料。


                          释义

        释义项                指                                  释义内容

公司、本公司、北方华创          指      北方华创科技集团股份有限公司

北京电控                        指      北京电子控股有限责任公司

七星集团                        指      北京七星华电科技集团有限责任公司

硅元科电                        指      北京硅元科电微电子技术有限责任公司

中国证监会                      指      中国证券监督管理委员会

公司章程                        指      北方华创科技集团股份有限公司章程

IC                              指      Integrated Circuit,集成电路

PVD                            指      Physical Vapor Deposition,物理气相沉积

CVD                          指      Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积

ALD                          指      Atomic Layer Deposition,原子层沉积

EPI                            指      Epitaxy,外延

LED                            指      Light-Emitting Diode,发光二极管

Mini LED                      指      芯片尺寸约在 100微米的 LED 器件

Micro LED                      指      芯片尺寸小于 50微米的 LED 器件

SEMI                          指      Semiconductor Equipment and Materials International,国际半导体产业协会

5G                            指      5th Generation Mobile Communication Technology,第五代移动通信技术

AI                            指      Artificial Intelligence,人工智能

SiC                            指      Silicon carbide,碳化硅,一种化合物半导体

GaN                            指      Gallium Nitride,氮和镓的化合物,一种化合物半导体

N型                            指      自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体, “N”表示负电的意思,取
                                        自英文 Negative 的第一个字母

TOPCon                        指      Tunnel Oxide Passivated Contact Solar Cell, 隧穿氧化层钝化接触太阳能电
                                        池

ICP                            指      Inductively Coupled Plasma,电感性耦合的等离子体源

TSV                            指      Through Silicon Via 硅通孔技术,可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互
                                        联

CCP                            指      Capacitively Coupled Plasma,电容性耦合的等离子体源

Al                              指      Aluminum,铝

Cu                            指      Cuprum/Copper,铜

Gate                            指      栅极,场效应晶体管中的一个电极

PERC                          指      Passivated Emitter and Rear Cell,发射极及背面钝化电池技术

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