688766 科创 普冉股份

股票简称：普冉股份                                  股票代码：688766
  普冉半导体（上海）股份有限公司

      Puya Semiconductor （Shanghai） Co., Ltd.

      （中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号504室）

  首次公开发行股票科创板上市公告书

                保荐机构（主承销商）

 （广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代广场（二期）北座）
                  二〇二一年八月二十日


                      特别提示

  普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉股份”、“本公司”、
“公司”或“发行人”）股票将于 2021 年 8 月 23 日在上海证券交易所科创板上
市。

  本公司提醒投资者应充分了解股票市场风险及本公司披露的风险因素，在新股上市初期切忌盲目跟风“炒新”，应当审慎决策、理性投资。


              第一节 重要声明与提示

    一、重要声明与提示

  本公司及全体董事、监事、高级管理人员保证上市公告书所披露信息的真实、准确、完整，承诺上市公告书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并依法承担法律责任。

  上海证券交易所、有关政府机关对本公司股票上市及有关事项的意见，均不表明对本公司的任何保证。

  本公司提醒广大投资者认真阅读刊载于上海证券交易所网站（http：//www.sse.com.cn）的本公司上市公告书“风险因素”章节的内容，注意风险，审慎决策，理性投资。

  本公司提醒广大投资者注意，凡本上市公告书未涉及的有关内容，请投资者查阅本公司招股说明书全文。

  如无特别说明，本上市公告书中的简称或名词的释义与本公司首次公开发行股票招股说明书中的相同。

    二、投资风险提示

  本公司提醒广大投资者注意首次公开发行股票（以下简称“新股”）上市初期的投资风险，广大投资者应充分了解风险、理性参与新股交易。具体而言，上市初期的风险包括但不限于以下几种：

    （一）涨跌幅限制放宽

  上海证券交易所主板、深圳证券交易所主板在企业上市首日涨幅限制比例为44%、跌幅限制比例为 36%，之后涨跌幅限制比例为 10%。

  科创板首次公开发行上市的股票上市后的前 5 个交易日内不设价格涨跌幅限制；前 5 个交易日后，交易所对科创板股票竞价交易实行的价格涨跌幅限制比例为 20%。科创板进一步放宽了对股票上市初期的涨跌幅限制，提高了交易风险。

    （二）本次发行价格对应市盈率高于行业平均市盈率

  本次发行价格为 148.90元/股，此价格对应的市盈率为：

  1、50.36 倍（每股收益按照 2020 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润除以本次发行前总股本计算）；
  2、47.02 倍（每股收益按照 2020 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益前归属于母公司股东净利润除以本次发行前总股本计算）；
  3、67.14 倍（每股收益按照 2020 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润除以本次发行后总股本计算）；
  4、62.70 倍（每股收益按照 2020 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益前归属于母公司股东净利润除以本次发行后总股本计算）。
  按 照 中 国 证 监 会 《 上 市 公 司 行 业 分 类 指 引 》 （ 2017 年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。截至 2021年 8月 5日（T-3日），中证指数有限公司发布的最近一个月行业平均静态市盈率为 48.10 倍，本次发行价格所对应的发行人市盈率为 67.14 倍（每股收益按照 2020 年经审计的扣除非经常性损益前后孰低的归属于母公司股东的净利润除以本次发行后总股本计算），高于中证指数有限公司发布的行业最近一个月平均静态市盈率，存在未来股价下跌给投资者带来损失的风险。

    （三）流通股数较少的风险

  本次发行后公司总股本为 3,622.87 万股，其中上市初期无限售条件的流通股数量为 905.72 万股，占本次发行后总股本的比例为 25.00%。公司上市初期流通股数量较少，存在流动性不足的风险。

    （四）股票上市首日即可作为融资融券标的

  科创板股票上市首日即可作为融资融券标的，有可能会产生一定的价格波动风险、市场风险、保证金追加风险和流动性风险。价格波动风险是指，融资融券会加剧标的股票的价格波动；市场风险是指，投资者在将股票作为担保品进行融资时，不仅需要承担原有的股票价格变化带来的风险，还得承担新投资股票价格
变化带来的风险，并支付相应的利息；保证金追加风险是指，投资者在交易过程中需要全程监控担保比率水平，以保证其不低于融资融券要求的维持保证金比例；流动性风险是指，标的股票发生剧烈价格波动时，融资购券或卖券还款、融券卖出或买券还券可能会受阻，产生较大的流动性风险。

    三、特别风险提示

  本公司提醒投资者认真阅读招股说明书的“风险因素”部分，并特别注意下列事项：

    （一）主营业务市场规模相对较小，公司竞争实力有待提高的风险

  存储器芯片市场由 DRAM、NAND Flash和 NOR Flash、EEPROM等细分市
场组成，2019年全球 DRAM全球市场规模约 603亿美元，NAND Flash全球市场
规模约 430亿美元，NOR Flash和 EEPROM市场规模约 36亿美元，其中 DRAM
和 NAND Flash占据了存储器芯片市场的主要份额。

  2018 年、2019 年、2020 年公司分别实现营业收入 17,825.27 万元、36,298.96
万元、71,733.20 万元，主要来源于 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储
器芯片，占主营业务收入的比例分别 99.17%、99.30%和 99.69%，主要经营的NOR Flash和 EEPROM产品所在的市场规模相对较小。

  此外，NOR Flash 和 EEPROM 市场已经经历了数十年的发展，成立时间较
早的华邦、旺宏、兆易创新等 NOR Flash 厂商以及意法半导体等 EEPROM 厂商
已经在收入规模、业务毛利率、专利技术等方面具备了一定的先发优势，并保持着较高的研发投入水平和研发人员数量，公司作为市场新进入者，面临一定的外部竞争压力，综合实力有待提升。公司与主要竞争对手的综合比较情况具体如下：
                                                                单位：亿元，人

 项目  意法半导体    华邦      旺宏      兆易创新    聚辰股份    普冉股份

 成立  1987年5月  1987年9  1989年12月  2005年4月  2009年11月  2016年1月
 时间                  月

      微控制器、              ROM只读      NOR    EEPROM、

      功率晶体    DRAM、  记忆体、    Flash、    音圈马达驱

 主要  管、MEMS    NOR    NOR Flash    NAND    动芯片和智  NOR Flash
 产品  和传感器、  Flash和逻  和NAND    Flash及      能卡    和EEPROM
      EEPROM等  辑芯片      Flash        MCU        芯片

      存储器


 项目  意法半导体    华邦      旺宏      兆易创新    聚辰股份    普冉股份

 营业    666.78      113.2      81.22        44.97        4.94        7.17

 收入

 毛利    37.08%    26.48%    27.48%      37.38%      33.72%    23.79%
 率

        截至2020年

        12月31日，  2019年度  截至2019年  截至2020年  截至2020年  截至2020年
 专利    拥有约    报告未披  末，累计拥  12月31日，  12月31日，  12月末，已
 技术  18,000项已    露    有全球8,018  已获得700  拥有境内发  取得发明专
        申请和申请              件专利    项授权专利  明专利37项    利23项
        中的专利

 研发    101.01      18.87      8.25        5.41        0.52        0.46

 投入

 研发    8,145      3,120      158        795        70          91

 人员
注 1：上述数据除华邦、旺宏外，均为 2020 年度或 2020年末数据

注 2：根据竞争对手公开披露信息，不能准确区分 EEPROM和 NOR Flash 业务收入及毛利
率，因此发行人采用合计营业收入和综合毛利率进行比较分析

  综上所述，虽然公司现阶段的业务规模较小、公司的市场占有率仍有增长空间，但是长期来看，如果公司不能及时扩展产品体系或未能较好地应对外部竞争
压力、全球 NOR Flash 和 EEPROM 市场规模增长停滞，可能面临因市场规模相
对较小或外部竞争处于下风而导致经营业绩长期增长承压的风险。

    （二）NOR Flash和EEPROM业务存在市场竞争加剧的风险

  NOR Flash 市场中，由于 NOR Flash 市场规模相对较小且竞争日趋激烈以及
DRAM、NAND Flash 需求爆发，国际存储器龙头纷纷退出中低端 NOR Flash 市
场，产能或让位于高毛利的高容量 NOR Flash，或转向 DRAM和 NAND Flash业
务。美光（Micron）和赛普拉斯分别在 2016 年和 2017 年开始减少中低端 NOR
Flash存储器产品产能。

  2019 年全球 NOR Flash 主要市场份额由华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯
和美光等国内外大型厂商占据，公司在整体规模、资金实力、海外渠道等方面仍然存在一定差距。如果公司不能够保证 NOR Flash产品良好的竞争力以应对市场竞争压力，可能面临因市场竞争导致产品价格和利润空间缩减以及经营业绩不及预期的风险。

  EEPROM 市场中，根据赛迪顾问统计数据，2018 年全球 EEPROM 市场规模
为 7.14 亿美元，意法半导体、安森美、聚辰股份等全球前十大 EEPROM 厂商占
据超过 95%的全球 EEPROM 市场份额，公司作为新进入者面临较大的外部竞争压力。

  EEPROM 的细分市场分为汽车、工业和消费电子。汽车和工业 EEPROM 市
场主要由意法半导体、安森美等境外企业主导，以手机摄像头为主的消费电子EEPROM 市场由聚辰股份等企业主导。报告期内公司 EEPROM 产品主要应用于手机摄像头模组，2020 年该类产品销售收入占公司 EEPROM 业务收入的比例高达 80.19%，因此，公司的 EEPROM 业务亦面临与聚辰股份等先发企业之间较为激烈的市场竞争。

  如果公司 EEPROM 产品无法保持良好的竞争力，或者未能及时开发汽车、工业 EEPROM 产品以丰富自身的产品体系，可能面临因激烈的市场竞