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688766 科创 普冉股份


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688766:普冉股份首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书

公告日期:2021-08-02

688766:普冉股份首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书 PDF查看PDF原文

    本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审慎作出投资决定
 普冉半导体(上海)股份有限公司
        Puya Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.

    (中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号504室)
 首次公开发行股票并在科创板上市
          招股意向书

                  保荐机构(主承销商)

(广东省深圳市福田区中心三路 8 号卓越时代广场(二期)北座)

      中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对注

  册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对

  发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任

  何与之相反的声明均属虚假不实陈述。

      根据《证券法》的规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由

  发行人自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自

  行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投

  资风险。

                          声明

  发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。

  发行人控股股东、实际控制人承诺本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。

  公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书中财务会计资料真实、完整。

  发行人及全体董事、监事、高级管理人员、发行人的控股股东、实际控制人以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股意向书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的,将依法赔偿投资者损失。

  保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,给投资者造成损失的,将依法赔偿投资者损失。


                      本次发行概况

发行股票类型:        人民币普通股(A)股

发行股数:            9,057,180 股,为发行后总股本的 25.00%。本次发行不涉及老股转让

每股面值:            1.00 元

每股发行价格:        【】元

预计发行日期:        2021 年 8 月 10 日

拟上市的交易所:      上海证券交易所

发行后总股本:        36,228,719 股

保荐人(主承销商):  中信证券股份有限公司

招股意向书签署日期:  2021 年 8 月 2 日


                      重大事项提示

    公司特别提请投资人注意以下重大事项及风险,并认真阅读“风险因素”章节的 全文。
 一、主营业务市场规模相对较小,公司竞争实力有待提高的风险

    存储器芯片市场由DRAM、NAND Flash和NOR Flash、EEPROM等细分市场组成,
 2019 年全球 DRAM 全球市场规模约 603 亿美元,NAND Flash 全球市场规模约 430 亿
 美元,NOR Flash 和 EEPROM 市场规模约 36 亿美元,其中 DRAM 和 NAND Flash 占
 据了存储器芯片市场的主要份额。

    2018 年、2019 年、2020 年公司分别实现营业收入 17,825.27 万元、36,298.96 万元、
 71,733.20 万元,主要来源于 NOR Flash 和 EEPROM 两大类非易失性存储器芯片,占主
 营业务收入的比例分别 99.17%、99.30%和 99.69%,主要经营的 NOR Flash 和 EEPROM
 产品所在的市场规模相对较小。

    此外,NOR Flash 和 EEPROM 市场已经经历了数十年的发展,成立时间较早的华
 邦、旺宏、兆易创新等 NOR Flash 厂商以及意法半导体等 EEPROM 厂商已经在收入规
 模、业务毛利率、专利技术等方面具备了一定的先发优势,并保持着较高的研发投入水 平和研发人员数量,公司作为市场新进入者,面临一定的外部竞争压力,综合实力有待 提升。公司与主要竞争对手的综合比较情况具体如下:

                                                                        单位:亿元,人

 项目    意法半导体    华邦        旺宏        兆易创新      聚辰股份      普冉股份

 成立    1987 年 5 月  1987年9月  1989 年 12 月  2005 年 4 月  2009 年 11 月  2016 年 1 月
 时间

        微控制器、功

        率晶体管、    DRAM、  ROM 只读记  NOR Flash、  EEPROM、音

 主要  MEMS 和传    NOR Flash  忆体、NOR  NAND Flash  圈马达驱动芯  NOR Flash 和
 产品  感器、        和逻辑芯    Flash 和      及 MCU    片和智能卡    EEPROM
        EEPROM 等      片      NAND Flash                    芯片

        存储器

 营业      666.78      113.2        81.22        44.97          4.94          7.17

 收入

毛利率    37.08%      26.48%      27.48%      37.38%      33.72%      23.79%

 专利  截至 2020 年  2019 年度  截至 2019 年  截至 2020 年  截至 2020 年  截至 2020 年


项目    意法半导体    华邦        旺宏        兆易创新      聚辰股份      普冉股份

技术  12 月 31 日,  报告未披  末,累计拥有  12 月 31 日,  12 月 31 日,  12 月末,已取
      拥有约 18,000    露      全球 8,018 件  已获得 700 项  拥有境内发明  得发明专利
      项已申请和申                专利        授权专利    专利 37 项      23 项

        请中的专利

研发      101.01      18.87        8.25          5.41          0.52          0.46

投入

研发      8,145        3,120        158          795          70            91

人员

注 1:上述数据除华邦、旺宏外,均为 2020 年度或 2020 年末数据

注 2:根据竞争对手公开披露信息,不能准确区分 EEPROM 和 NOR Flash 业务收入及毛利率,因此
发行人采用合计营业收入和综合毛利率进行比较分析

    综上所述,虽然公司现阶段的业务规模较小、公司的市场占有率仍有增长空间,但是长期来看,如果公司不能及时扩展产品体系或未能较好地应对外部竞争压力、全球NOR Flash 和 EEPROM 市场规模增长停滞,可能面临因市场规模相对较小或外部竞争处于下风而导致经营业绩长期增长承压的风险。
二、NOR Flash 和 EEPROM 业务存在市场竞争加剧的风险

    NOR Flash市场中,由于NOR Flash市场规模相对较小且竞争日趋激烈以及DRAM、
NAND Flash 需求爆发,国际存储器龙头纷纷退出中低端 NOR Flash 市场,产能或让位
于高毛利的高容量 NOR Flash,或转向 DRAM 和 NAND Flash 业务。美光(Micron)和
赛普拉斯分别在 2016 年和 2017 年开始减少中低端 NOR Flash 存储器产品产能。

    2019 年全球 NOR Flash 主要市场份额由华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯和美光
等国内外大型厂商占据,公司在整体规模、资金实力、海外渠道等方面仍然存在一定差距。如果公司不能够保证 NOR Flash 产品良好的竞争力以应对市场竞争压力,可能面临因市场竞争导致产品价格和利润空间缩减以及经营业绩不及预期的风险。

    EEPROM 市场中,根据赛迪顾问统计数据,2018 年全球 EEPROM 市场规模为 7.14
亿美元,意法半导体、安森美、聚辰股份等全球前十大 EEPROM 厂商占据超过 95%的全球 EEPROM 市场份额,公司作为新进入者面临较大的外部竞争压力。

    EEPROM 的细分市场分为汽车、工业和消费电子。汽车和工业 EEPROM 市场主要
由意法半导体、安森美等境外企业主导,以手机摄像头为主的消费电子 EEPROM 市场由聚辰股份等企业主导。报告期内公司 EEPROM 产品主要应用于手机摄像头模组,2020
年该类产品销售收入占公司 EEPROM 业务收入的比例高达 80.19%,因此,公司的EEPROM 业务亦面临与聚辰股份等先发企业之间较为激烈的市场竞争。

  如果公司 EEPROM 产品无法保持良好的竞争力,或者未能及时开发汽车、工业EEPROM 产品以丰富自身的产品体系,可能面临因激烈的市场竞争导致利润空间缩减、经营业绩增长不及预期的风险。
三、公司 NOR Flash 产品采用的基础工艺结构与竞争对手存在差异

  存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面,目前 NOR
Flash 的主流基础工艺包括浮栅 ETOX 和电荷俘获的 SONOS 工艺结构。

  ETOX 结构由 Intel 公司在 1988 年提出,被广泛应用于 Flash 存储器芯片的设计中。
时至今日,ETOX 工艺结构相关技术已经较为成熟,华邦、旺宏和兆易创新等企业均采
用 ETOX 工艺结构进行 NOR Flash 的研发设计。

  SONOS 结构由赛普拉斯在 2001 年提出,被广泛的应用于嵌入式非易失性存储器和
MCU 等半导体器件中,具备成本低、操作电压低等特性。2016 年公司与赛普拉斯签署了SONOS的技术授权协议,并基于SONOS工艺结构完成NOR Flash产品的研发设计。
  综上,ETOX 和 SONOS 工艺结构属于不同类型的基础工艺和技术路径,公司的
NOR Flash 产品自 2016 年以来均采用了 SONOS 结构,与华邦、旺宏和兆易创新等主要
NOR Flash 厂商在产品的技术路径上存在较大差异。
四、基础工艺技术授权到期风险

  公司已付费购买赛普拉斯的 40nm 和 55nm SONOS 工艺的授权,授权截止时间为
2028 年 12 月 31 日,用于公司 NOR Flash 产品的研发设计。赛普拉斯因被英飞凌收购,
自 2020 年 1 月 1 日起,其与公司就 SONOS 工艺的授权协议所约定的权利义务均转移
至英飞凌继续履行。报告期内,公司 NOR Flash 产品的收入分别为 13,459.31 万元、
25,467.60 万元和 49,314
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