证券代码：688416 证券简称：恒烁股份 公告编号：2024-076
恒烁半导体（合肥）股份有限公司
关于部分募投项目变更及延期的公告
本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
重要内容提示：
拟变更的募投项目基本情况：恒烁半导体（合肥）股份有限公司（以下简称“恒烁股份”、“公司”）拟将募投项目“NOR 闪存芯片升级研发及产业化项目”变更为“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“通用 MCU 芯片升级研发及产业化项目”变更为“MCU 芯片升级研发及产业化项目”、“CiNOR 存算一体 AI 推理芯片研发项目”变更为“面向端侧 AI 的低功耗软硬件推理系统研发项目”。上述项目的投资总额、募集资金拟投入金额、实施主体及实施地点均不涉及变更。
拟延期募投项目：变更后的募投项目“闪存芯片升级研发及产业化项目”、“MCU 芯片升级研发及产业化项目”及“面向端侧 AI 的低功耗软硬件推理系统研发项目”根据实际建设进度及要求，将项目达到预定可使用状态日期分别延期
至 2027 年 7 月、2028 年 1 月及 2028 年 1 月。
审议情况：公司于 2024 年 12 月 27 日召开公司第二届董事会第七次会议
和第二届监事会第六次会议，审议通过了《关于部分募投项目变更及延期的议案》，同意公司根据研发战略规划和实际发展情况对部分募投项目进行变更及延期，该事项尚需提交公司股东大会审议通过后方可实施，现将相关情况公告如下：
一、募集资金基本情况
经中国证券监督管理委员会《关于同意恒烁半导体（合肥）股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2022〕1255 号）同意注册，公司首次向社会公众发行人民币普通股 2,066.00 万股，每股面值为人民币 1.00 元，发行价格为人民币 65.11 元/股，募集资金总额为人民币 1,345,172,600.00 元，扣除发行费用人民币 135,532,200.00 元（不含增值税），实际募集资金净额为人民币
1,209,640,400.00 元。容诚会计师事务所（特殊普通合伙）对公司本次公开发行
新股的资金到位情况进行了审验，并于 2022 年 8 月 24 日出具了（容诚验字
[2022]230Z0228 号）验资报告。
为规范公司募集资金管理和使用，保护投资者权益，公司设立了相关募集资金专项账户。募集资金到账后，已全部存放于募集资金专项账户内，公司已与保荐机构及募集资金专户开户银行签订《募集资金专户存储三方监管协议》。
二、募集资金投资项目情况
根据公司披露的《恒烁半导体（合肥）股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》，公司首次公开发行股票募集资金投资项目如下：
单位：人民币万元
序号 项目名称 总投资额 拟投入募集资金金额
1 NOR 闪存芯片升级研发及产业化项目 20,318.00 20,318.00
2 通用 MCU 芯片升级研发及产业化项目 17,731.00 17,731.00
3 CiNOR 存算一体 AI 推理芯片研发项目 12,339.00 12,339.00
4 发展与科技储备项目 25,000.00 25,000.00
合计 75,388.00 75,388.00
截至 2024 年 6 月 30 日，公司募集资金投资项目及募集资金使用情况具体详
见公司于 2024 年 8 月 24 日在上海证券交易所网站(www.sse.com.cn) 披露的《关
于 2024 年半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》。
三、 本次募投项目延期以及变更调整的具体情况及原因
（一）本次拟延期及变更的募集资金投资项目的具体情况
原项目计划投资和实际投资情况（截至 2024 年 11 月 30 日）如下：
单位：人民币万元
募集资金承诺 截至 2024 年 11 截至 2024 年 截至 2024 项目达到预
承诺投资项目投向 投资总额 月 30 日承诺投 11 月 30 日累 年 11 月 30 定可使用状
入金额 计投入金额 日投入进度 态日期
NOR 闪存芯片升级研 2025 年 1 月
发及产业化项目 20,318.00 20,318.00 7,786.97 38.33%
通用 MCU 芯片升级 2025 年 1 月
研发及产业化项目 17,731.00 17,731.00 3,549.48 20.02%
CiNOR 存算一体 AI 2025 年 1 月
推理芯片研发项目 12,339.00 12,339.00 2,165.30 17.55%
根据公司发展战略与实际情况，公司拟变更原有募集资金项目并对变更后的募集资金项目进行延期，具体调整如下：
单位：人民币万元
本次募集资金变更前 本次募集资金变更后
项目达到 募集资金 项目达到预
项目名称 投资总额 募集资拟 预定可使 项目名称 投资总额 拟投入金 定可使用状
投入金额 用状态日 额 态日期
期
NOR 闪存芯 闪存芯片升
片升级研发 2025年1月 级研发及产 2027年7月
及产业化项 20,318.00 20,318.00 20,318.00 20,318.00
目 业化项目
通用MCU芯 MCU芯片升
片升级研发 2025年1月 级研发及产 2028年1月
及产业化项 17,731.00 17,731.00 17,731.00 17,731.00
目 业化项目
CiNOR 存算 面向端侧 AI
一体 AI 推理 2025年1月 的低功耗软 2028年1月
芯片研发项 12,339.00 12,339.00 硬件推理系 12,339.00 12,339.00
目 统研发项目
以上募集资金项目延期及变更不涉及投资总额、募集资金拟投入金额、实施主体及实施地点的变更。
（二）本次募投项目延期及变更的具体原因
（1）NOR 闪存芯片升级研发及产业化项目
NOR 闪存芯片升级研发及产业化项目是基于当时的市场环境和公司战略
制定的，着力研发基于下一代 50nm 和 40nm 技术工艺制程，容量覆盖 256Mb～
1Gb，具有高可靠性和高稳定性的 NOR Flash 存储芯片，旨在加强我们在非易失性存储器市场的业务布局，并巩固公司的市场地位。然而，随着行业技术的快速发展和市场环境的变化，由于该投资项目所指定的行业技术限定的范围较狭窄，影响了募集资金使用效率，增加了项目投资实现预期效益的不确定性风险，为确保资金的有效利用和项目预期效益的实现，公司认为有必要在原有项目的基础上进行变更。
原投资计划专注于 50nm & 40nm ETOX 工艺节点项目的研发，但随着参与
NOR 闪存开发的主流晶圆厂的增加，工艺节点也相对更丰富，除了已有的 50nm
和开发中的 40nm 以外，包括不限于 5xnm 和 4xnm 及其他先进工艺节点，公司
在多个工艺节点上进行研发，有助于进一步平衡产能，完善产品线，巩固市场地位。
ETOX 存储单元结构虽然具备制程相对稳定等优势，但随着国内晶圆厂的
技术发展，一些新的存储单元结构也在逐渐兴起，部分工艺节点存储单元面积和制造成本相较于现有工艺具有差异化优势。
根据公司对相关市场和技术的调研，“闪存芯片升级研发及产业化项目”具有广阔的研发和市场前景。公司已将全部核心技术应用于现有产品，并将持续发挥研发能力和技术积累优势，实现科技成果与产业发展的深度融合。本项目将使公司在巩固存储芯片领域市场地位的同时，向更高端的技术领域拓展。依托公司在NOR 闪存领域的技术积累及客户资源优势，为此项目的顺利研发及后续推广提供了有力保障。根据上述研发项目调整计划，考虑到该项目的研发费用（包括不限于研发人员薪酬、流片费用、测试费用等）投入比例较高，公司拟调整本项目的内部具体投资结构，具体调整情况如下：
