688416 科创 恒烁股份

股票简称：恒烁股份                                  股票代码：688416
    恒烁半导体（合肥）股份有限公司
                Zbit Semiconductor, Inc.

 （合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北庐阳中科大校友企业创新园11号楼）
    首次公开发行股票科创板

          上市公告书

              保荐机构（主承销商）

                      安徽省合肥市梅山路 18 号

                  二〇二二年八月二十六日


                  特别提示

  恒烁半导体（合肥）股份有限公司（以下简称“恒烁股份”、“公司”、“本公
司”或“发行人”）股票将于 2022 年 8 月 29 日在上海证券交易所上市。本公司提
醒投资者应充分了解股票市场风险及本公司披露的风险因素，在新股上市初期切忌盲目跟风“炒新”，应当审慎决策、理性投资。

    本上市公告书数值通常保留至小数点后两位，若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。


            第一节重要声明与提示

    一、重要声明

  本公司及全体董事、监事、高级管理人员保证上市公告书所披露信息的真实、准确、完整，承诺上市公告书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  上海证券交易所、有关政府机关对本公司股票上市及有关事项的意见，均不表明对本公司的任何保证。

  本 公 司 提 醒 广 大 投 资 者 认 真 阅 读 刊 载 于 上 海 证 券 交 易 所 网 站
（http://www.sse.com.cn）的本公司招股说明书“风险因素”章节的内容，注意风险，审慎决策，理性投资。

  本公司提醒广大投资者注意，凡本上市公告书未涉及的有关内容，请投资者查阅本公司招股说明书全文。

  如无特别说明，本上市公告书中的简称或名词的释义与本公司首次公开发行股票招股说明书中的相同。

    二、科创板新股上市初期投资风险特别提示

  本公司提醒广大投资者注意首次公开发行股票（以下简称“新股”）上市初期的投资风险，广大投资者应充分了解风险、理性参与新股交易。具体而言，上市初期的风险包括但不限于以下几种：

  （一）涨跌幅限制放宽

  上海证券交易所主板、深圳证券交易所主板的新股上市首日涨幅限制比例为 44%，上市首日跌幅限制比例为 36%，次交易日开始涨跌幅限制比例为 10%。
    科创板股票竞价交易设置较宽的涨跌幅限制，上市后前 5 个交易日内，股
票交易价格不设涨跌幅限制；上市 5 个交易日后，涨跌幅限制比例为 20%。科创板进一步放宽了对股票上市初期的涨跌幅限制，存在股价波动幅度较上海证券交易所主板、深圳证券交易所主板更加剧烈的情形，从而提高了交易风险。
    （二）流通股数量较少

    本次发行后，公司总股本为 8,263.7279 万股，其中无限售条件流通股票数
量为 1,800.9385 万股，占发行后总股本的 21.7933%。公司上市初期流通股数量较少，存在流动性不足的风险。

    （三）市盈率高于同行业平均水平

    本次发行价格 65.11元/股，此价格对应的市盈率为：

    1、27.35 倍（每股收益按照 2021 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益前归属于母公司股东净利润除以本次发行前总股本计算）；

    2、30.53 倍（每股收益按照 2021 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润除以本次发行前总股本计算）；

    3、36.46 倍（每股收益按照 2021 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益前归属于母公司股东净利润除以本次发行后总股本计算）；

    4、40.70 倍（每股收益按照 2021 年度经会计师事务所依据中国会计准则审
计的扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润除以本次发行后总股本计算）。

    根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司所处行
业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”。截至 2022 年 8 月 15 日
（T-3 日），中证指数有限公司发布的行业最近一个月平均静态市盈率为 28.53倍。公司本次发行市盈率高于中证指数有限公司发布的发行人所处行业最近一个月平均静态市盈率，存在未来发行人股价下跌给投资者带来损失的风险。


    科创板股票自上市首日起可作为融资融券标的，有可能会产生一定的价格波动风险、市场风险、保证金追加风险和流动性风险。价格波动风险是指，融资融券会加剧标的股票的价格波动；市场风险是指，投资者在将股票作为担保品进行融资时，不仅需要承担原有的股票价格变化带来的风险，还得承担新投资股票价格变化带来的风险，并支付相应的利息；保证金追加风险是指，投资者在交易过程中需要全程监控担保比率水平，以保证其不低于融资融券要求的维持保证金比例；流动性风险是指，标的股票发生剧烈价格波动时，融资购券或卖券还款、融券卖出或买券还券可能会受阻，产生较大的流动性风险。

    三、特别风险提示

    投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素，并认真阅读招股说明书“第四节 风险因素”章节的全部内容。本公司特别提醒投资者关注以下风险因素：

    （一）公司与武汉新芯存在双向技术授权，晶圆代工服务主要向武汉新芯采购

    武汉新芯主要从事 12 英寸晶圆代工服务，具备提供从 65nm 到 45nm 的
NOR Flash 晶圆代工服务能力。目前，武汉新芯拥有 2 座 12 寸晶圆厂，每座晶
圆厂产能可达 3 万片+/月。武汉新芯的技术工艺和产能规模可以满足公司产品晶圆代工的需求。目前，公司晶圆代工服务主要向武汉新芯采购，同时，公司与武汉新芯在 NOR Flash 产品及 MCU产品领域存在双向技术授权合作。

  在 NOR Flash 产品方面，公司向武汉新芯授权 19款 NOR Flash 产品，并通
过共享知识产权许可对方以自有品牌进行销售。目前双方 NOR Flash 产品销售规模占整个市场的比例均较小，主要客户不同，尚未发生明显的直接竞争。但是随着公司未来 NOR Flash 产品销售规模逐渐增长，双方销售同类型产品将可能在市场上形成竞争，从而增加公司未来市场竞争的风险。报告期各期，公司NOR Flash 晶圆代工主要向武汉新芯采购，采购金额分别为 7,704.54 万元、
12,257.36 万元和 24,344.99 万元，占 NOR Flash 晶圆采购比例分别为 83.76%、
74.63%和 73.62%。2022年 1月，公司与武汉新芯签订了《晶圆加工产能合作协
议》，未来一段时间内，公司 NOR Flash晶圆代工服务仍主要来源于武汉新芯。
    在 MCU产品方面，武汉新芯将其拥有的 MCU产品（CX32L003和 F103）
技术以独占许可的方式授权给公司使用 10 年。目前公司在售 MCU 产品为CX32L003 产品，该款产品主要使用武汉新芯授权技术，其 24个外设中 21个来自武汉新芯授权，公司对 HIRC、RTC、ADC 等 3 个外设技术模块及布局布线进行改进升级。由于武汉新芯授权技术使用期 10 年，公司新研发的 ZB32L030和 ZB32L032 等产品使用了武汉新芯部分授权技术模块。公司未来 M3、M4 等内核 MCU 产品研发时也可能使用部分武汉新芯授权技术模块。公司在 MCU 产品技术上对武汉新芯存在一定依赖，自研新产品能否顺利实现量产销售并获得市场认可尚待验证，公司自主研发 MCU 技术仍存在不确定性。按照公司与武汉新芯授权合同约定，使用了武汉新芯授权技术的产品需在武汉新芯独家进行晶圆代工制造。因此，目前及未来一段时间内，公司 MCU 产品晶圆代工服务来源于武汉新芯。

  （二）公司产品线单一，主要为 NOR Flash，市场规模相对较小，与行业
龙头布局存在差距

  报告期各期公司收入主要来源于 NOR Flash 产品，NOR Flash 产品收入占
比分别为 100.00%、97.13%及 86.56%，公司产品线单一。根据 IC Insights 统计，
2020 年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元，其中 DRAM 和 NAND Flash 市
场规模较大，占比分别为 53%和 44%，NOR Flash市场规模 25亿美元，占比仅
为 2%，NOR Flash 市场规模相对较小。截至目前，公司量产销售的 NOR Flash
均为 128Mb 及以下的中小容量产品，且主要应用于消费电子领域。同行业龙头
企业存储芯片产品包括 NOR Flash、NAND 和 DRAM 等，NOR Flash 产品容量
涵盖 1Mb-1Gb，产品线较为丰富，且在消费电子、工业、汽车电子及军工等领域均具有较强的竞争力。公司与行业龙头企业在产品布局上存在差距。

    （三）公司 NOR Flash 产品集中在 128Mb及以下，大容量 NOR Flash产品
尚处研发过程中，存在一定不确定性

  公司 NOR Flash 产品集中在 128Mb 及以下中小容量，缺少 128Mb 以上大
容量产品，大容量 NOR Flash 产品尚在研发中。不同容量的 NOR Flash 芯片技
术特点具有相似性，研发难度一般随容量变大而增加。首先，芯片容量越大，
面积越大，相应的寄生效应等物理影响也会变大，为了保证数据读取精度、读出频率等，在设计上需要提升灵敏放大器读取精确度、优化数字信号传输路径、重新规划芯片架构和布局布线；为了保证产品生产良率和芯片品质，还需提供更复杂的测试模式、增加额外的 FT 测试项目等。其次，为满足大容量 NORFlash 芯片客户对产品性能、可靠性、功能多样化的高要求，需要提供更高水平的芯片模拟电路性能设计和数字电路算法。公司大容量 NOR Flash 产品最终能否研发成功，顺利实现量产销售并获取市场认可存在一定不确定性。

  （四）NOR Flash 产品更新迭代较快，公司报告期内研发投入有限，技术
水平弱于行业龙头

  芯片设计行业为技术密集型行业，市场竞争充分，NOR Flash 产品和技术更新迭代较快。NOR Flash 芯片可广泛应用于消费电子、物联网及通信等领域；公司需要根据行业发展趋势和客户需求不断升级更新现有技术，并研究开发出满足市场需求的更新迭代产品，保持公司市场竞争力。为保障公司产品成功迭代满足市场需求，公司需要持续加大研发投入。报告期内，公司研发投入分别为 1,835.93万元、2,178.84万元和 4,705.22万元，呈上升趋势。但是，公司在产品研发投入规模、研发人员数量及知识产权数量等方面与行业龙头仍有较大差距，具体情况如下：

      项目              华邦          旺宏        兆易创新      发行人

    工艺制程          90nm、      7xnm、4xnm  65nm、55nm      65nm、

                      58nm、46nm                                55nm、50nm

 研发投入（亿元）      24.43          9.57          5.41          0.47

 研发投入占收入比      17.31%        10.34%        12.03%        8.17%

  研发人员数量        4,655 人      1,662 人        795 人        67 人

  研发人