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688396:华润微关于公司核心技术人员离职的公告

公告日期:2020-10-20

688396:华润微关于公司核心技术人员离职的公告 PDF查看PDF原文

证券代码:688396        证券简称:华润微        公告编号:2020-037
                华润微电子有限公司

          关于公司核心技术人员离职的公告

  本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

    重要内容提示:

    华润微电子有限公司(以下简称“华润微”或“公司”)核心技术人员邓小社先生于近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成相关离职手续。离职后,邓小社先生将不在公司担任任何职务。

    邓小社先生离职后,其负责的工作由公司芮强先生负责,邓小社先生的离职不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响,不会影响公司拥有的核心技术。

    一、邓小社先生离职的具体情况

  公司核心技术人员邓小社先生于近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成相关离职手续。

  邓小社先生于 1996 年 8 月加入公司,于 1996 年至 1999 年期间任中国华晶
电子集团公司产品工程师;于 1999 年至 2010 年期间任无锡华润上华半导体有限
公司研发经理;于 2010 年 2 月至 10 月期间任无锡博创集成电路设计有限公司产
品经理;于 2010 年至 2013 年期间任无锡华润上华半导体有限公司研发经理;于

2013 年 8 月至 2020 年 10 月任华润华晶功率半导体研发中心副总经理。

  根据公司与邓小社先生签署的保密及竞业限制协议、劳动合同相关条款,邓小社先生同意就公司向其披露的关于公司的任何保密信息尽到最严格的保密,并同意在征得公司事先书面同意前,不直接或间接以任何方式向公司内外的任何人披露任何保密信息,或为了与公司相竞争或出于履行其对公司的职责以外的任何目的使用任何保密信息。根据竞业限制协议的相关规定,在与公司劳动关系存续期间及在劳动合同关系解除或终止后 24 个月内,未经公司同意,邓小社先生不得与公司的客户或竞争者进行合作或被受雇,不得以任何方式进行与公司相竞争的业务,不得向任何第三方提供任何形式的与其在公司工作期间工作内容相同或相近的咨询性或顾问性等服务。

  截至本公告披露日,邓小社先生未直接或间接持有公司股份,公司未发现邓小社先生离职后前往竞争对手处工作的情形。公司及董事会对邓小社先生在任期间的勤勉工作和为公司发展做出的贡献表示衷心感谢!

    二、邓小社先生离职对公司的影响

  邓小社先生的离职不影响公司核心技术的完整性。邓小社先生从事公司功率器件产品研发,参与公司 IGBT 产品设计及工艺技术研发项目,公司参与 IGBT产品设计及工艺技术研发项目的技术人员还包括芮强等研发团队。邓小社先生的离职不会影响公司 IGBT 产品设计及工艺技术研发项目的推进与实施。除上述情况外,邓小社先生未参与其他在研项目,亦未涉及公司其它核心技术研发,邓小社先生负责的工作已由芮强先生负责,邓小社先生的离职不会对公司现有研发项目进展产生重大影响。

  邓小社先生已与公司芮强先生办理完成工作交接。邓小社先生在公司任职期间参与了公司研发的专利技术,截至本公告披露日,其参与研发的在审专利 39

  项、已授权专利 59 项,邓小社先生工作期间参与申请的专利均非单一的发明人,
  邓小社先生的离职不存在涉及职务发明的纠纷或潜在纠纷,不影响公司专利权的

  完整性,不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响,不会影响公司持有

  的核心技术。

      邓小社先生任职期间共有 5 项作为第一发明人申请的专利正在申请过程中,
  均为保密状态,共有 10 项作为第一发明人已获授权的专利,具体情况如下:

      邓小社先生作为第一发明人已获授权的 10 项专利:

                              专利

序号  专利权人    专利名称            申请号      申请日    发明人
                              类型

    无锡华润上一种绝缘栅双                                  邓小社、芮
 1  华科技有限极性晶体管的  发明 201310323481.5  2013/7/29  强、张硕、
        公司      制造方法                                      王根毅

    无锡华润上一种绝缘栅双                                  邓小社、芮
 2  华科技有限极性晶体管的  发明    14/902,516    2015/12/31  强、张硕、
        公司      制造方法                                      王根毅

    无锡华润上一种绝缘栅双                                  邓小社、芮
 3  华科技有限极性晶体管的  发明 201310329221.9  2013/7/31  强、张硕、
        公司      制造方法                                      王根毅

                一种具有内置

    无锡华润上                                                邓小社、张
                  二极管的

 4  华科技有限                发明    14/901,622    2015/12/28  硕、芮强、
                  IGBT 及其制

        公司                                                    王根毅
                    造方法

 5  无锡华润上一种绝缘栅双  发明 201310330586.3  2013/7/31  邓小社、芮


    华科技有限极性晶体管的                                  强、张硕、
      公司      制造方法                                      王根毅

                场截止型反向                                  邓小社、张
    无锡华润上

                导通绝缘栅双                                  硕、芮强、
 6  华科技有限                发明 201310283363.6  2013/7/5

                极型晶体管及                                  王根毅、张
      公司

                其制造方法                                      大成

    无锡华润上绝缘栅双极型                                  邓小社、钟
 7  华科技有限晶体管及其制  发明 201310306115.9  2013/7/19  圣荣、周东
      公司        造方法                                      飞、王根毅

                                                              邓小社、钟
    无锡华润上

                功率二极管的                                  圣荣、王根
 8  华科技有限                发明 201310503985.5  2013/10/23

                  制备方法                                    毅、周东
      公司

                                                              飞、张大成

                                                              邓小社、王
    无锡华润上

                功率二极管的                                  根毅、钟圣
 9  华科技有限                发明 201310504346.0  2013/10/23

                  制备方法                                    荣、周东
      公司

                                                              飞、张大成

                具有反向导通

    无锡华润上                                                邓小社、芮
                结构的 Trench

10  华科技有限                发明 201310511559.6  2013/10/24  强、张硕、
                IGBT 的制备

      公司                                                    王根毅
                    方法

    2017 年、2018 年、2019 年及截至本公告披露日,公司研发人员数量为 623

 人、643 人、653 人及 708 人,占员工总人数比例分别为 7.79%、8.08%、8.29%

 及 8.69%,研发人员数量呈增长趋势。同期,公司核心技术人员数量为 18 人、
 21 人、20 人及 18 人,人员稳定,具体人员如下:

    年度                          核心技术人员姓名

                陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、
  2017 年度    何波涌、丁东民、罗先才、方浩、计建新、邓小社、郑晨焱、
                吴泉清、张森、尤勇、夏长奉

                陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、
  2018 年度    何波涌、丁东民、罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、
                邓小社、郑晨焱、吴泉清、张森、尤勇、夏长奉、李铁生

                陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、
  2019 年度    何波涌、丁东民、罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、
                邓小社、郑晨焱、吴泉清、张森、尤勇、夏长奉

                余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、何波涌、
截至本公告披露日 丁东民、罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、郑晨焱、
                吴泉清、张森、尤勇、夏长奉

    目前公司的技术研发和日常经营均正常进行,公司的研发团队及核心技术人 员较为稳定,现有研发团队及核心技术人员能够支持公司未来核心技术的持续研 发,整体研发实力未因邓小社先生的离职产生重大不利变动,邓小社先生的离职 亦未对公司的核心竞争力与持续经营能力产生实质性影响。

    三
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