公司代码：688261 公司简称：东微半导
苏州东微半导体股份有限公司
2024 年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
报告期内，受全球经济增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结 MOSFET 销量的同比上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司报告期内营业收入较 2023 年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步保持前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等持续投入，亦对公司报告期经营业绩产生影响。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩下滑的风险。
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声
明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 8
第三节 管理层讨论与分析 ...... 11
第四节 公司治理 ...... 50
第五节 环境与社会责任 ...... 51
第六节 重要事项 ...... 54
第七节 股份变动及股东情况 ...... 84
第八节 优先股相关情况 ...... 92
第九节 债券相关情况 ...... 92
第十节 财务报告 ...... 93
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签
备查文件目录 名并盖章的财务报表
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的
原稿
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、东微半 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或分
导、东微半导体、东微 指 公司
有限
苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙）
得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙）
原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司
中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司
聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙）
哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投资有限公司”
中小企业发展基金 指 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业（有限合伙），
曾用名“中小企业发展基金（深圳有限合伙）”
智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙）
智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙）
智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙）
智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙）
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《企业会计准则》 指 财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及其应用指南和
其他相关规定，以及相关规定、指南的不时之修订
报告期末 指 指 2024 年 6 月 30 日
《公司章程》 指 现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》及其修订和补
充
股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会
董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会
监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材
半导体 指 料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，
在商业应用上最具有影响力的一种
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制
备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在
分立器件 指 集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立
器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT
等
半导体功率器件、功率 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控
半导体 指 制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行
间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
MOSFET、功率 MOSFET 或 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结
MOS 指 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器
件使用以实现特定功能
Trench MOSFET、沟槽型 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损
功率 MOSFET 耗等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相
超级结 MOSFET 指 互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率
高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点
屏蔽栅 MOSFET、SGT、 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入额外的多
SGT MOSFET 晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结
构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优点，
IGBT 指 如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作
频率高等特点
TGBT 指 Tri-gate IGBT，一种公司采用独立知识产权 Tri-gate 器件结构
的创新型 IGBT 产品系列
Vth 指 Threshold Voltage，阈值电压
DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩波
器
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一
功率模块 指 起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功
率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测
晶圆 指 试可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸晶圆包含数百颗至数万
颗数量不等的单芯片
已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。晶圆制作完成后，需要封装
功率器件 指 才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电
气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件
和有源器件构成完整的电路系统
IDM 指 垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、封装测
试到销售的垂直整合型公司
半导体行业中流行的业务形态，指公司“没有制造业务、只专注
Fabless 指 于研发设计”的一种运作模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的
IC 或功率器件设计公司
晶圆代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆
材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片
封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元
封装测试、封测 指 器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的
需求，整个过程被称为封装测试
碳
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