公司代码：688261 公司简称：东微半导
苏州东微半导体股份有限公司
2021 年年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声
明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2021年度利润分配预案为：
公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，拟向全体股东每10股派发现金红利3.30元（含税）。截至2022年3月31日，公司总股本67,376,367股，以此计算合计拟派发现金红利22,234,201.11元（含税），本年度公司现金分红金额占2021年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为15.14%；公司不进行资本公积金转增股本，不送红股。
如在公司2021年年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。
以上利润分配预案已经公司第一届董事会第九次会议审议通过，尚需公司2021年度股东大会审议通过。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标...... 8
第三节 管理层讨论与分析...... 13
第四节 公司治理 ...... 66
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...... 81
第六节 重要事项 ...... 87
第七节 股份变动及股东情况...... 123
第八节 优先股相关情况 ...... 128
第九节 公司债券相关情况...... 128
第十节 财务报告 ...... 129
载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计
主管人员）签名并盖章的财务报表
备查文件目录 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本
及公告的原稿
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、股份公 指 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或
司、东微半导、东微 分公司
苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙）
得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙）
原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司
中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司
聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙）
哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投资有限公司”
中小企业发展基金 指 中小企业发展基金（深圳有限合伙）
智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙）
智禹淼森 指 苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业（有限合伙）
智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙）
智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙）
智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙）
天蝉投资 指 苏州天蝉智造股权投资合伙企业（有限合伙）
丰熠投资 指 上海丰熠投资管理有限公司
丰辉投资 指 宁波丰辉投资管理合伙企业（有限合伙）
国策投资 指 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用
名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业（有限合伙）”
上海烨旻 指 上海烨旻企业管理中心（有限合伙）
亚美斯通 指 深圳市亚美斯通电子有限公司
华为 指 华为投资控股有限公司及其子公司
英飞凌、英飞凌科技 指 Infineon Technologies AG
安森美 指 ON Semiconductor Corporation
意法半导体 指 STMicroelectronics N.V.
瑞萨电子 指 Renesas Electronics Corporation
日本东芝 指 Toshiba Corporation
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《企业会计准则》 指 财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及其应用指
南和其他相关规定，以及相关规定、指南的不时之修订
报告期末 指 指 2021 年 12 月 31 日
《公司章程》 指 现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》及其修订和
补充
股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会
董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会
监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体
半导体 指 材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料
中，在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体
分立器件 指 制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无
法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较
高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、
MOSFET、IGBT 等。
又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路
半导体功率器件、功 指 控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电
率半导体 运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组
成部分。
MOSFET 、 功 率 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结
MOSFET 或 MOS 指 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立
器件使用以实现特定功能。
Trench MOSFET、沟 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导
槽型功率 MOSFET 通损耗等特点。
超级结功率 MOSFET 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n
产品、超结 MOS、超 指 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作
结 MOSFET 、 Super 频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点。
Junction MOSFET
屏 蔽 栅 功 率
MOSFET、屏蔽栅沟
槽型功率 MOSFET、 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入额外
屏蔽栅 MOSFET、屏 指 的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的
蔽栅结构 MOSFET、 器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。
SGT、SGTMOSFET、
分裂栅器件
沟槽栅 VDMOS 指 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的
IGBT 指 优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力
高、工作频率高等特点。
TGBT 指 Tri-gate IGBT，一种公司采用独立知识产权 Tri-gate 器件结构
的创新型 IGBT 产品系列。
Vth 指 Threshold Voltage，阈值电压。
DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩
波器。
一种电源的架构，其具备效率高、输出纹波小、发热小、体积
谐振拓扑 指 小、低 EMI、负载可调范围大，可以对输入/输出电压比在很
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