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688261 科创 东微半导


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688261:东微半导首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

公告日期:2022-01-28

688261:东微半导首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书 PDF查看PDF原文
 本次股票发行后拟在科创板市场上市,该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入 大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点,投资者面临较大的市场风险。投资者应充 分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素,审慎作出投资决定。

    苏州东微半导体股份有限公司

      Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited

    (住所:苏州工业园区金鸡湖大道 99号苏州纳米城西北区 20幢 515 室)

    首次公开发行股票并在科创板上市

              招股说明书

              保荐机构(主承销商)

        (住所:北京市朝阳区建国门外大街1号国贸大厦2座27层及28层)


                      发行人声明

  中国证监会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意见均不表明其对注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。

  根据《证券法》的规定,股票依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行人自行负责;投资者自主判断发行人的投资价值,自主作出投资决策,自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。

  发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股说明书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。

  发行人实际控制人承诺本招股说明书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。

  公司负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股说明书中财务会计资料真实、完整。

  发行人及全体董事、监事、高级管理人员、发行人实际控制人以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股说明书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的,将依法赔偿投资者损失。
  保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,给投资者造成损失的,将依法赔偿投资者损失。


                      本次发行概况

发行股票类型                人民币普通股(A股)

发行股数                    本次公开发行股数为 1,684.4092 万股,公司股东不公开发售股
                            份,公开发行的新股占本次发行后总股本的 25%。

每股面值                    人民币 1.00 元

每股发行价格                人民币 130.00元

发行日期                    2022年 1 月 24日

拟上市的证券交易所和板块    上海证券交易所科创板

发行后总股本                6,737.6367 万股

保荐机构(主承销商)        中国国际金融股份有限公司

招股说明书签署日期          2022年 1 月 28日


                      重大事项提示

    发行人提醒投资者特别关注本公司本次发行的以下事项和风险,并认真阅读招股说明书正文内容:
一、特别风险提示

  本公司提醒投资者特别关注“风险因素”中的下列风险,并认真阅读本招股说明书“第四节 风险因素”中的全部内容。
(一)市场竞争风险

  目前,我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段。随着我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域的兴起,国内对功率半导体产品的需求迅速扩大,推动了行业的快速发展。良好的前景吸引了诸多国内企业进入这一领域,行业内厂商则在巩固自身优势基础上积极进行市场拓展,市场竞争正在加剧。在日趋激烈的市场竞争环境下,若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势,不能根据客户需求及时进行技术升级、提高产品性能与服务质量,则公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。

  在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域,公司目前在全球和国内市场占有率相对较低,市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。根据 Omdia 数据测算,2020 年
全球高压超级结 MOSFET 的市场规模预计为 9.4 亿美元,公司市场份额为 3.8%;2020
年中国高压超级结 MOSFET 市场规模经估算约为 4.2 亿美元,公司市场份额为 8.6%。
中低压 MOSFET 市场方面,2020 年度全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿
美元,公司市场份额为 0.2%;2020 年度中国中低压 MOSFET 产品的市场规模为 24.1
亿美元,公司市场份额为 0.4%。整体上看,公司的市场份额仍处于较低水平。

  相较于消费级客户,工业及汽车相关领域的客户对产品的性能和品质要求较高、验证周期普遍较长。如公司产品设计、工艺升级或客户资源开拓进度未达预期,将在与国外大型厂商的竞争中处于不利地位。例如,汽车领域对功率器件的性能、稳定性等具有很高的要求,产品验证周期较长,因此公司在进入该等新的应用领域时可能会
面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。若上述情况发生,将对发行人拓展新应用领域、提高市场竞争力产生不利影响,进一步影响发行人的业绩表现。
(二)供应商集中度较高的风险

  公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节。报告期内,公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等,合计采购金额占当期采购总额的比例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%,其中向第一大供应商采购金额占当期采购总额比例分别为 83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。

  报告期内,随着下游需求持续扩张以及新冠疫情对全球晶圆代工行业产能带来的负面影响,晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况,进一步导致了晶圆价格的增长。由于公司的晶圆供应商集中度较高,若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧,则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足发行人的需求,从而对公司的产品出货量以及未来的收入增长造成一定不利影响。另一方面,公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成,其中材料成本以晶圆成本为主,若晶圆价格未来持续提高,可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水平造成不利影响。
(三)下游需求波动的风险

  报告期内,公司主营业务收入分别为 15,283.52 万元、19,604.66 万元、30,878.74
万元以及 32,082.43 万元,保持了持续快速增长;公司归属于母公司所有者的净利润分别为 1,297.43万元、911.01 万元、2,768.32万元以及 5,180.53 万元,亦保持了快速增长的趋势。公司主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品,广泛应用于充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业。报告期内公司业绩的持续增长主要系受前述下游终端需求增长、进口替代等因素影响。为增强公司的技术优势及保持产品的竞争力,公司不断增加研发投入,扩充人员规模。但是,半导体行业具有较强的周期性特征,与宏观经济整体发展亦密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,半导体行业的市场需求也将随之受到影响。因此,若新能源汽车、5G 通信、光伏等驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期,行业规模增速放缓或出现下滑,中国半导体功率器件行业进口替代趋势放缓,公司的研发进展与成果不达预
期,或宏观经济发展出现较大波动,则公司将面临业绩无法继续保持报告期内所实现的快速增长的风险。

  此外,从产业链角度来看,由于下游终端产品结构相对复杂,产业链分工高度专
业化,终端产品的推出往往需要整个产业链密切的合作才能完成,若未来产业链某个
环节出现缺货的情形,终端厂商的生产计划可能会出现阶段性停滞,或需要被迫推迟
新产品的发布,以上可能会影响整体的采购需求,进而对包括公司在内的产业链公司
造成不利影响。
(四)毛利率波动的风险

  报告期内,公司的综合毛利率分别为 26.38%、14.93%、17.85%和 26.75%,波动较大。公司综合毛利率受产品售价、产品成本以及产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧,公司需要根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新,若公司未能正确判断下游需求变化、或公司技术实力停滞不前、或公司未能有效控制产品成本、或公司产品市场竞争格局发生变化等都将导致公司发生产品售价和成本预期外波动等不利情形。在该等不利情况下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下降的可能性,从而对公司的经营带来一定风险。此外,公司的产品规格数量较多,不同规格的产品销售结构的变化亦会对公司的毛利率造成影响。

  具体来看,发行人 Fabless 的经营模式将生产制造环节进行外包,毛利率水平受到晶圆代工成本的影响,因此行业景气度、晶圆代工行业产能的充沛情况导致的晶圆代
工价格的波动会影响发行人毛利率水平。同时,晶圆代工行业具有重资产、资本投入
大以及产能释放周期长的特点,其晶圆的销售价格受行业景气度影响呈现周期性波动。其中,晶圆代工厂作为发行人的上游供应商,行业集中度相较发行人下游行业更高,
在晶圆代工产能较为紧张的情况下,晶圆代工厂商的议价能力较强且传导能力亦会更
强。

  相较于可比公司,发行人经营规模较小,与上游供应商以及下游客户的议价能力
相对较弱。此外,发行人的主要工业级客户具有粘性高、议价频率低的特点。因此,
若上游如晶圆代工、封装测试的产能紧张导致公司采购成本持续上升,在公司向下游
客户传导上游晶圆价格变动影响的及时性较低的情况下将对公司的毛利率水平产生不

利影响。在上述因素的影响下,公司综合毛利率水平未来可能会持续波动甚至出现下降,从而对公司的经营带来一定风险。
(五)产品结构较为单一的风险

  报告期内,公司实现大规模销售的主要产品为 MOSFET 产品,包括高压超级结MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。报告期内,MOSFET 产品的销售收入占主营业务收入的比例均超过 99%,其中高压超级结 MOSFET 产品占比分别为 81.48%、80.28%、80.66%和 74.55%,单一产品类别收入的占比较高。公司研发新产品并最终实现大规模销售需要一定的时间周期,如果下游市场短期内对 MOSFET 产品的需求增速放缓,将会对公司的营收和盈利能力带来不利影响。

  同时,考虑到第三代半导体材料功率器件可能是未来高性能功率器件的组成部分之一,若公司未来不能实现现有功率器件产品的进一步技术突破,或者研发出具有市场竞争力的第三代半导体材料功率器件,则公司的销售收入增长可能有所放缓,对公司的经营业绩造成不利影响。
(六)新产品研发不及预期的风险

  半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点,产品技术更新迭代需要持续的资源投入。未来的几年内,公司将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技术开发。由于半导体行业研发项目的周期较长,相关研发项目存在一定的不确定性,若研发项目启动后的进度及效果未达预期,或者研发的新技术或产品尚不具备商业价值,则大量的研发投入将影响公司的经营业绩;若公司未来研发资金投入不足,则可能致使公司现有技术被赶超或被替代,进而导致公司已有产品的市场竞争力下降,给公司未来业务拓展带来不利影响。

  截至 2021 年 6 月 30 日,发行人研发人员合计 31人,占员工比例为 46%。发行人
研发部下设产品研发工程部以及应用技术部,分别专注新型器件的研发以及研发过程中的执行和辅助工作。报告期末,发行
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