联系客服

688234 科创 天岳先进


首页 公告 天岳先进:山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告摘要

天岳先进:山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告摘要

公告日期:2024-04-12

天岳先进:山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告摘要 PDF查看PDF原文

公司代码:688234                                                公司简称:天岳先进
            山东天岳先进科技股份有限公司

                  2023 年年度报告摘要


                            第一节 重要提示

1  本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划,投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2  重大风险提示

    公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”。
3  本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4  公司全体董事出席董事会会议。
5  立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6  公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7  董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

    综合考虑公司目前经营状况以及未来发展需要,为保障公司生产经营的正常运行,增强抵御风险的能力,实现公司持续、稳定、健康发展,更好的维护全体股东的长远利益,公司2023年利润分配预案为:不派发现金红利,不进行公积金转增股本、不送红股。以上利润分配方案已经公司第二届董事会第二次会议和第二届监事会第二次会议审议通过,尚需公司2023年年度股东大会审议通过。
8  是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

                          第二节 公司基本情况

1  公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用

                                  公司股票简况

      股票种类        股票上市交易所及板块  股票简称  股票代码  变更前股票简称

 人民币普通股(A股)    上海证券交易所科创板  天岳先进  688234      不适用

公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式

 联系人和联系方式  董事会秘书(信息披露境内代表)            证券事务代表


      姓名                    钟文庆                          马晓伟

    办公地址      山东省济南市槐荫区天岳南路99号  山东省济南市槐荫区天岳南路99号

      电话                0531-69900616                    0531-69900616

    电子信箱                dmo@sicc.cc                      dmo@sicc.cc

2  报告期公司主要业务简介
(一)  主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务

    公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商,目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售,产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在 5G 通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的市场前景,是半导体产业重要的发展方向。

    公司已经实现 8 英寸导电型衬底、6 英寸导电型衬底、6 英寸半绝缘型衬底、4 英寸半绝缘衬
底等产品的批量供应,主要客户包括国内外电力电子器件、5G 通信、汽车电子等领域知名客户。
    公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已于 2023 年 5 月实现产品交付,是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司同时在日本设立研发及销售中心,积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”,获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。

    公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台,拥有一批高素质的研发人员,承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”,共同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关,助力长三角一体化高质量快速发展,用科技创新发展新质生产力。

    截至报告期末,公司及下属子公司累计获得发明专利授权 172 项,实用新型专利授权 317 项,
其中境外发明专利授权 13 项,是国家知识产权示范企业;自设立以来,公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉,并于 2019 年获得了“国家科学技术进步一等奖”。

    公司将始终以客户为中心,不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场份额,致力于成为国际著名的半导体材料公司。

    2、主要产品及服务情况

    公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点,可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限,开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期,产品广泛应用于 5G 通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域,应用领域非常广泛。

    在“碳达峰、碳中和”的大背景下,绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展,电气化和能源的高效利用推动碳化硅半导体行业快速发展。

    公司产品以导电型碳化硅衬底为主,具体情况如下:

 产品种类        图示                              产品用途


                              通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同
  导电型                      质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等功
                              率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等
                              领域。

                              通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅
 半绝缘型                    基氮化镓外延片,可进一步制成 HEMT 等微波射频器件,应用
                              于信息通讯、无线电探测等领域。

(二)  主要经营模式

    公司自成立以来,始终坚持自主研发创新,通过技术驱动,持续提升产品品质,推动碳化硅半导体材料的拓展应用。公司通过自建工厂,持续提升产能产量,扩大经营规模。

    1、研发模式

    公司研发工作由研发中心主导,实行层级管理的项目制运作,具体流程如下:

    (1)需求提交与论证

    公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调研及调研结果分析或者收集的客户需求,并进行清晰准确的描述后提交需求申请。

    (2)项目立项

    研发中心选定项目负责人及项目组成员。项目负责人编写《项目立项报告》,内容包括项目名称、项目启动背景、可行性分析、项目目标、项目财务预算等。

    (3)项目执行

    项目组根据项目需求编写研发设计方案,细化实验方案和实验计划等,并根据设计方案完成实验验证。项目组根据实验结果编写各类研发文件,由专人保管,并安排专人进行项目全过程管理,及时跟进检查各进度节点的完成情况,确保项目按照计划顺利开展。

    (4)项目验收

    项目负责人结合项目计划与交付完成情况,判断所有项目目标完成,发起项目验收申请,编制《项目验收报告》并交至研发中心审核。项目验收后,研发中心评估研发成果,采取多种手段保护知识产权。

    2、采购模式

    公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范,在保证产品品质的前提下,有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上,公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式,采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。
    3、生产模式

    公司实行以订单生产(MakeToOrder)为主的生产模式。在生产环节,公司采用信息化系统,制定了完善的生产过程控制程序,建立了一套快速有效处理客户订单的流程,销售部门依据客户订单生成 ERP 系统内部销售订单,订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后,下达生产工单给生产部门,生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制,达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足不同客户的需求,有利于提升订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度,并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
    4、营销及销售模式

    公司主要采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户,为客户提供技术支持和服务,并承担行业趋势研究、市场调研及公司产品推广等营销工作。

(三)  所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    根据国家统计局《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业为第 39 大类“计算
机、通信和其他电子设备制造业”之第 398 中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类(2018)》分类,公司的产品属于“1.2.3 高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1 半导体晶体制造”,是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。

    公司所属的半导体材料行业,属于半导体芯片制造、封测的支撑性行业。常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。

    宽禁带半导体产业保持高速发展。碳化硅材料本身优异的物理性能以及在下游应用领域的不断深入,并伴随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长,行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。根据 IHS 数据,受新能源汽车行业庞大的需求驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响,预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元,2018-2027 年的复合增速接近 40%。

    日本权威行业调研机构富士经济报告指出,在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下,SiC
功率器件市场需求整体坚挺,2030 年 SiC 功率器件市场规模将达到近 150 亿美元,占到整体功率
器件市场约 24%,2035 年则有望超过 200 亿美元,届时 SiC 器件市场规模将占到整体功率器件的
40%以上。

    EVTank 数据显示,2023 年全球新能源汽车销量达到 1465.3 万辆,同比增长 35.4%。展望未
来,EVTank 预计 2024 年全球新能源汽车销量将达到 1830.0 万辆,2030 年全球新能源汽车销量将
达到 4700.0 万辆。受益于汽车电气化的持续推进,汽车电子成为半导体领域逆势增长的代表。
  
[点击查看PDF原文]