公司代码：688234 公司简称：天岳先进
山东天岳先进科技股份有限公司
2021 年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整
性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、公司负责人宗艳民、主管会计工作负责人钟文庆及会计机构负责人（会计主管人员）王俊国声明：
保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
充分考虑到公司目前处于高速发展期，研发项目及经营规模不断扩大，资金需求较大，为更好的维护全部股东的长远利益，保障公司的可持续发展和资金需求，公司2021年利润分配方案为：不派发现金红利，不送红股，不以资本公积转增股本。以上利润分配方案已经公司第一届董事会第十二次会议和第一届监事会第十次会议审议通过，尚需公司2021年年度股东大会审议通过。
八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 3
第二节 公司简介和主要财务指标...... 7
第三节 管理层讨论与分析......11
第四节 公司治理...... 39
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...... 54
第六节 重要事项...... 59
第七节 股份变动及股东情况...... 79
第八节 优先股相关情况...... 84
第九节 公司债券相关情况...... 85
第十节 财务报告...... 86
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖
备查文件目录 章的财务报表
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露的所有公司文件的正文以及公告的原稿
载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
第一节 释义
一、释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公 司 、 本 公 指 山东天岳先进科技股份有限公司
司、天岳先进
控股股东/实 指 宗艳民
际控制人
上海麦明 指 上海麦明企业管理中心（有限合伙）
上海爵芃 指 上海爵芃企业管理中心（有限合伙）
上海策辉 指 上海策辉企业管理中心（有限合伙）
上海铸傲 指 上海铸傲企业管理中心（有限合伙）
哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司
惠友创嘉 指 深圳市惠友创嘉创业投资合伙企业（有限合伙）
辽宁海通新能 指 辽宁海通新能源低碳产业股权投资基金有限公司
源
广东睿晨 指 广东睿晨股权投资合伙企业（有限合伙）
宁波云翼 指 宁波梅山保税港区云翼创业投资合伙企业（有限合伙）
惠友创享 指 深圳市惠友创享创业投资合伙企业（有限合伙）
辽宁中德 指 辽宁中德产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
众海泰昌 指 广州众海泰昌投资合伙企业（有限合伙）
辽宁正为 指 辽宁正为一号高科技股权投资基金合伙企业（有限合伙）
镇江智硅 指 镇江智硅投资中心（有限合伙）
济南国材 指 国材股权投资基金（济南）合伙企业（有限合伙）
济宁天岳 指 济宁天岳新材料科技有限公司
上海越服 指 上海越服科贸有限公司
上海天岳 指 上海天岳半导体材料有限公司
天屹石英 指 山东天屹石英制品有限公司
科锐公司 指 CREEINC.，一家总部位于美国的全球领先的半导体制造商，成立于 1987 年，
1993 年在美国纳斯达克上市
贰陆公司 指 II-VIIncorporated.，总部位于美国，成立于 1971 年，美国纳斯达克上市公
司，是工程材料和光电元件的全球供应商，是世界领先的碳化硅衬底供应商
保荐机构 指 国泰君安证券股份有限公司、海通证券股份有限公司
国泰君安 指 国泰君安证券股份有限公司
海通证券 指 海通证券股份有限公司
立信会计师 指 立信会计师事务所（特殊普通合伙）
公司章程 指 山东天岳先进科技股份有限公司章程
报告期、本报 指 2021 年 1 月 1 日-2021 年 12 月 31 日
告期
中国证监会、 指 中国证券监督管理委员会
证监会
上交所 指 上海证券交易所
元、万元 指 人民币元、人民币万元
SiC、碳化硅 指 SiliconCarbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体材料，俗称第三代半导
体材料之一
GaN、氮化镓 指 GalliumNitride，氮和镓的化合物，一种宽禁带半导体材料，俗称第三代半导
体材料之一
GaAs、砷化镓 指 GalliumArsenide，砷和镓的化合物，俗称第二代半导体材料之一
衬底、晶片 指 沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、
光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片
在晶片的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶片和外延薄膜合
外延片 指 称外延片。如果外延薄膜和衬底的材料相同，称为同质外延；如果外延薄膜和
衬底材料不同，称为异质外延
芯片 指 在半导体外延片上进行浸蚀、布线，制成的能实现某种功能的半导体器件
射频器件 指 利用射频技术形成的一类元器件，常用于无线通信等领域
HEMT 指 HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管，是一种异质结场效
应晶体管
功率器件 指 用于电力设备的电能变换和控制电路的分立器件，也称电力电子器件
SchottkyBarrierDiode，即肖特基势垒二极管，利用金属与半导体接触形成的
肖特基二极管 指 金属-半导体结原理制作的一种热载流子二极管，也被称为金属-半导体（接
触）二极管或表面势垒二极管
用半导体材料制成的一种功率器件，具有单向导电性能，应用于各种电子电路
二极管 指 中，实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压
等多种功能
MOSFET 指 Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场
效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
IGBT 指 InsulatedGateBipolarTransistor 的缩写，即绝缘栅双极性晶体管，一种电
力电子行业的常用半导体开关器件
通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器
集成电路 指 等无源原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执
行特定功能的电路或系统
光电子器件 指 根据光电效应制作的器件，主要种类包括光电管、光敏电阻、光敏二极管、光
敏三极管、光电池、光电耦合器件等
分立器件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导体器件有二极
管、三极管、光电器件等
Laterally-DiffusedMetal-OxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导
LDMOS 指 体，是在高压功率集成电路中常采用高压 LDMOS 满足耐高压、实现功率控制等
方面的要求，常用于射频功率电路
逆变器 指 把直流电能转变成定频定压或调频调压交流电的转换器
籽晶 指 具有和所需晶体相同晶体结构的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种
在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导带之间的能量范
禁带 指 围。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。第三
代半导体因具有宽禁带的特征，又称宽禁带半导体
电子漂移速率 指 电子在电场作用下移动的平均速度
饱和电子漂移 指 电子漂移速率达到一定范围后，不再随着电场作用而继续增加的极限值
速率
热导率 指 物质导热能力的量度，又称导热系数
击穿电场强度 指 电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，
所对应的电场强度称为击穿电场强度
微管 指 碳化硅晶片的一种缺陷，是晶片中延轴向延伸且径向尺寸在一微米至十几微米
的中空管道
包裹物 指 碳化硅晶体中的一种缺陷，尺寸在微米量级的碳/硅夹杂物
多型 指 晶体中不同晶型同时存在的情形
位错 指 晶体材料的一种内部微观缺陷，由原子的局部不规则排列产生
层错 指 堆积层错简称层错，是指正常堆积顺序中引入不正常顺序堆积的原子面而产生
的一类面缺陷
莫桑钻 指 Moissanite，也称莫桑石，一种人造饰品，是人工合成碳化硅石的俗称，具有
与钻石相似的光学与物理特性
长晶炉
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