688147 科创 微导纳米

公司代码：688147                                                公司简称：微导纳米
      江苏微导纳米科技股份有限公司

          2024 年半年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
    完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、重大风险提示

  公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅第三节 管理层讨论与分析“五、风险因素”部分内容。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人王磊、主管会计工作负责人俞潇莹及会计机构负责人（会计主管人员）俞潇莹声
    明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用


                        目录


第一节  释义 ...... 4
第二节  公司简介和主要财务指标 ...... 5
第三节  管理层讨论与分析 ...... 9
第四节  公司治理 ...... 28
第五节  环境与社会责任 ...... 30
第六节  重要事项 ...... 31
第七节  股份变动及股东情况 ...... 54
第八节  优先股相关情况 ...... 60
第九节  债券相关情况 ...... 60
第十节  财务报告 ...... 61

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
    备查文件目录    人员）签名并盖章的财务报表。

                    报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。


                        第一节  释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
 常用词语释义

 微导纳米、本公司、公司  指  江苏微导纳米科技股份有限公司

 万海盈投资            指  无锡万海盈投资合伙企业（有限合伙）

 聚海盈管理            指  无锡聚海盈管理咨询合伙企业（有限合伙）

 德厚盈投资            指  无锡德厚盈投资合伙企业（有限合伙）

 先导智能              指  无锡先导智能装备股份有限公司（股票代码：300450.SZ）

 《公司章程》          指  《江苏微导纳米科技股份有限公司章程》

 《公司法》            指  《中华人民共和国公司法》及其不时修订

 《证券法》            指  《中华人民共和国证券法》及其不时修订

 《上市规则》          指  《上海证券交易所科创板股票上市规则》及其不时修订

 中国证监会            指  中国证券监督管理委员会

 上交所                指  上海证券交易所

 报告期                指  2024 年 1 月 1 日-2024 年 6 月 30 日

 报告期期末            指  2024 年 6 月末

 元、万元、亿元        指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

 ALD、原子层沉积      指  AtomicLayerDeposition，是一种可以将物质以单原子层形式一
                            层一层地镀在基底表面的工艺

 TALD                  指  Thermal Atomic Layer Deposition（热原子层沉积），一种原子
                            层沉积技术

 PEALD                指  Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition（等离子体增强原子
                            层沉积），一种原子层沉积技术

                            ChemicalVaporDeposition（化学气相沉积法），利用气态或蒸
 CVD                  指  汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的
                            过程

                            Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化
 PECVD                指  学气相沉积），CVD 的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离
                            后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他
                            材料薄膜的制备方法

 LPCVD                指  LowPressureChemicalVaporDeposition（低压化学气相沉积），
                            CVD 的一种

 PVD                  指  Physical Vapor Deposition（物理气相沉积），利用物理过程实
                            现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程

 晶硅太阳能电池        指  采用晶体硅作为半导体材料的太阳能光伏电池

 柔性电子              指  FlexibleElectronics，是一种技术的通称，是将有机/无机材料电
                            子器件制作在柔性/可延性基板上的新兴电子技术

                            Micro Electro Mechanical System（微机电系统），是集微传感
                            器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制
 MEMS                指  电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件
                            或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的
                            智能系统

 晶圆                  指  用于制作芯片的圆形硅晶体半导体材料

 舟                    指  由石英或金属连接而成承载晶圆的装置

                            OrganicLightEmittingDiode，属于一种电流型的有机发光器件，
 OLED                  指  是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入
                            的电流成正比

 Micro LED              指  LED 微缩化和矩阵化技术，将 LED 背光源进行薄膜化、微小


                            化、阵列化，可以让 LED 单元小于 50 微米，与 OLED（Org
                            anicLight-EmittingDiode，有机发光二极管）一样能够实现每个
                            像素单独定址，单独驱动发光

 TOPCon                指  TunnelOxidePassivatedContact，隧穿氧化物钝化接触，一种太
                            阳能电池结构

 HJT                  指  HeterojunctionwithIntrinsicThinLaye（r 具有本征薄层异质结），
                            又称为 HJT/SHJ，一种异质结太阳能电池

 IBC                    指  InterdigitatedBackContact（叉型背接触电池），一种高效晶硅
                            太阳能电池结构

 XBC                  指  IBC 以及 TBC（TOPCon 技术与 IBC 技术结合的 BC 类太阳能
                            电池结构）等 BC 类太阳能电池

 k、介电常数            指  希腊文 Kappa，描述一种材料保有电荷的能力

 高 k、High-k            指  具有高 k 性质的材料可以比其他材料能够更好的存储电荷

 栅、栅极              指  Gate，用来打开或闭合晶体管，包括有多晶硅栅、金属栅等

 栅介质                指  Gate dielectric，是用来将栅从电流通道隔离出来的绝缘体底层

 多重曝光              指  MultiplePatterning，将一层图形光掩模拆成两层或多层光掩模，
                            分先后制作，实现精度更高的图形制造

                            Field-effectTransistor，即场效应晶体管，包含源、栅、漏极的
 场效应晶体管          指  晶体管。其行为由源极经过栅极流向漏极的多数载流子电流决
                            定。电流由栅极下的横向电场控制

 DRAM                指  Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器，采用动
                            态存储单元的随机存储器

 SEMI                  指  Semiconductor Equipment and Materials International，国际半导
                            体装备与材料产业协会

 nm/纳米                指  长度的度量单位，国际单位制符号为 nm，1 纳米等于一百万分
                            之一毫米

 KW、MW、GW        指  千瓦、兆瓦、吉瓦，1MW=1,000KW，1GW=1,000MW

              第二节  公司简介和主要财务指标

一、 公司基本情况

公司的中文名称                      江苏微导纳米科技股份有限公司

公司的中文简称                      微导纳米

公司的外文名称                      Jiangsu Leadmicro Nano Tec