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688138 科创 清溢光电


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清溢光电:关于拟对外投资暨签署合作协议的公告

公告日期:2023-08-25

清溢光电:关于拟对外投资暨签署合作协议的公告 PDF查看PDF原文

证券代码:688138        证券简称:清溢光电      公告编号:2023-018
          深圳清溢光电股份有限公司

    关于拟对外投资暨签署合作协议的公告

  本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

    重要内容提示

    深圳清溢光电股份有限公司(以下简称“公司”)拟在佛山市南海区投资 人民币35亿元建设佛山生产基地项目,包括“高精度掩膜版生产基地建设项目” 和“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”。

    投资项目一名称:高精度掩膜版生产基地建设项目。

    投资金额:本项目将分三期进行建设,合计拟投资人民币20亿元,其中一期拟投资8亿元;二期拟投资3亿元,三期拟投资9亿元。

    项目建设情况:一期、二期项目拟购置土地50亩(具体面积以最终挂牌面积为准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

    投资项目二名称:高端半导体掩膜版生产基地建设项目。

    投资金额:本项目将分三期建设,合计拟投资人民币15亿元,其中一期拟投资6.05亿元,二期拟投资2.95亿元,三期拟投资6亿元。

    项目建设情况:一期、二期项目拟购置土地30亩(具体面积以最终挂牌面积为准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

      特别风险提示:

  1、本项目的实施,尚需向政府有关主管部门办理项目备案、环评审批等前置审批工作,如遇国家或地方有关政策调整、项目审批等实施程序条件发生变化等情形,本项目实施可能存在变更、延期、中止或终止的风险。


  2、本项目投资是基于公司战略发展的需要及对行业市场前景的判断,但行业的发展趋势及市场需求的变化等均存在一定的不确定性,未来项目是否能达到预期效益具有不确定性。

  3、本次签订的合作协议所涉及的项目用地需按照国家现行法律法规及政策规定的用地程序办理,通过招标、拍卖或挂牌出让方式取得,土地使用权能否竞得、土地使用权的最终成交面积、价格及取得时间存在不确定性。

    4、本项目投资规模、建设周期等均为计划数或预计数,并不代表公司对未 来业绩的预测,亦不构成对股东的业绩承诺。公司郑重提示投资者理性投资, 注意投资风险。

    一、对外投资概述

  (一)对外投资的基本情况

  为进一步提升公司的核心竞争力,推动公司整体产业发展的战略布局,提高公司竞争力,促进公司的可持续发展,公司拟与广东省佛山市南海区人民政府签订合作协议书(以下简称合作协议),投资建设佛山生产基地项目,该项目包括高精度掩膜版生产基地建设项目及高端半导体掩膜版生产基地建设项目,合计拟投资人民币 35 亿元。佛山生产基地项目将按照“整体规划、分期实施”的方式建设,具体情况如下:

  高精度掩膜版生产基地建设项目将分三期进行建设,合计拟投资人民币 20
亿元,其中一期拟投资 8 亿元;二期拟投资 3 亿元,三期拟投资 9 亿元。

  高端半导体掩膜版生产基地建设项目将分三期建设,合计拟投资人民币 15
亿元,其中一期拟投资 6.05 亿元,二期拟投资 2.95 亿元,三期拟投资 6 亿元。
  (二)对外投资的决策与审批程序

  根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》和《公司章程》规定,公司于2023年8月23日召开了第九届董事会第十二次会议,审议通过《关于拟对外投资暨签署合作协议的议案》。

    该事项尚需提交股东大会审议。董事会授权公司法定代表人、董事长唐英 敏女士或其指定的授权代理人签署对外投资事项下相关投资、合作协议、合同 等,同时授权公司管理层在股东大会审议通过后,具体落实相关合作协议项下 全部投资事项。


  (三)不属于关联交易及重大资产重组事项说明

  根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》等有关法律、法规、规范性文件的相关规定,本次投资事项不属于关联交易,不构成《上市公司重大资产重组管理办法》及《科创板上市公司重大资产重组特别规定》规定的重大资产重组情形。

    二、项目投资协议的主要内容

  (一)签署主体

  甲方:广东省佛山市南海区人民政府

  机构性质:地方政府单位

  住所:佛山市南海区桂城街道南海大道北 88 号

  法定代表人/负责人:王勇

  关联关系说明:广东省佛山市南海区人民政府与公司及公司董事、监事、高级管理人员不存在关联关系。

  乙方:深圳清溢光电股份有限公司

  (二)项目概况

  1、项目一名称:高精度掩膜版生产基地建设。

  项目实施主体:深圳清溢光电股份有限公司拟在佛山市南海区设立的全资子公司。

  注册资本:10,000万元

    项目投资规模及主要内容:高精度掩膜版生产基地建设项目拟投资20亿元 (项目建设分为三期,其中一期拟投资8亿元,二期拟投资3亿元,三期拟投资 额9亿元),用于新建高精度掩膜版生产线。

    项目建设周期:其中一期、二期项目拟购置土地50亩(具体面积以最终挂牌 面积为准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月 内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

  项目选址及用地:项目位于广东省佛山市南海区丹灶镇。

  2、项目二名称:高端半导体掩膜版生产基地建设项目。

    项目实施主体:广州清溢微电子有限公司

    注册资本:8,000万元


  项目投资规模及主要内容:高端半导体掩膜版生产基地建设项目拟投资15亿元(项目建设分为三期,其中一期拟投资6.05亿元,二期拟投资2.95亿元,三期拟投资6亿元),用于新建高端半导体掩膜版生产线。

    项目建设周期:其中一期、二期项目拟购置土地30亩(具体面积以最终挂牌 面积为准),自签订《土地出让合同》之月起,在12个月内开工建设、36个月 内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

    项目选址及用地:项目位于广东省佛山市南海区丹灶镇。

  (三)双方的权利

  1、甲方给予乙方相关优惠政策,并全力协助乙方和项目公司办理相关环节行政审批,包括但不限于商事登记、宗地出让、报批报建等手续及环保协助;

  2、乙方取得土地使用权后,按照约定时间动工建设,按时建成投产,按照约定完成投资强度及相关经济指标要求。

  (四)生效条件

  本投资项目实施以乙方股东大会审议通过为前提。本协议自甲、乙双方法定代表人或其授权代表签字、加盖双方单位公章,经相关会议(包括乙方股东大会)审议通过后生效。
三、对外投资对上市公司的影响

    公司此次在广东省佛山市南海区投资建设本项目,旨在充分利用广东省佛 山市南海区的人才和资源、营商环境、产业政策支持等方面的综合优势。该项 目的投资建设有利于进一步提升公司综合竞争优势和盈利能力,提高产品国产 化率。

  公司本次对外投资的资金来源为公司自有或者自筹等资金,并分期建设,不会对公司的正常生产及经营产生不利影响,不存在损害公司及股东利益的情形。本项目尚处于计划实施阶段,短期内不会对公司财务状况和经营成果产生重大影响。
四、对外投资的风险分析

  1、本项目的实施,尚需向政府有关主管部门办理项目备案、环评审批等
前置审批工作,如遇国家或地方有关政策调整、项目审批等实施程序条件发
生变化等情形,本项目实施可能存在变更、延期、中止或终止的风险。

  2、本项目投资是基于公司战略发展的需要及对行业市场前景的判断,但

行业的发展趋势及市场需求的变化等均存在一定的不确定性,未来项目是否能达到预期效益具有不确定性。

  3、本次签订的合作协议所涉及的项目用地需按照国家现行法律法规及政策规定的用地程序办理,通过招标、拍卖或挂牌出让方式取得,土地使用权能否竞得、土地使用权的最终成交面积、价格及取得时间存在不确定性。

  4、本项目投资规模、建设周期等均为计划数或预计数,并不代表公司对未来业绩的预测,亦不构成对股东的业绩承诺。公司郑重提示投资者理性投资,注意投资风险。

    特此公告。

                                            深圳清溢光电股份有限公司
                                                              董事会
                                                    2023 年 8 月 25 日
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