公司代码：688110 公司简称：东芯股份
东芯半导体股份有限公司
2024 年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人蒋学明、主管会计工作负责人蒋雨舟及会计机构负责人（会计主管人员）刘海萍
声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 6
第三节 管理层讨论与分析 ...... 9
第四节 公司治理 ...... 28
第五节 环境与社会责任 ...... 31
第六节 重要事项 ...... 32
第七节 股份变动及股东情况 ...... 63
第八节 优先股相关情况 ...... 68
第九节 债券相关情况 ...... 68
第十节 财务报告 ...... 69
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章
备查文件目录 的财务报告
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文
及公告的原稿
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、发 指 东芯半导体股份有限公司
行人、东芯股份
东芯南京 指 东芯半导体（南京）有限公司，东芯股份全资子公司
东芯香港 指 东芯半导体（香港）有限公司，东芯股份全资子公司
Fidelix 指 Fidelix Co., Ltd., 东芯股份控股子公司
Nemostech 指 Nemostech Inc., 东芯股份全资子公司
亿芯通感上海 指 上海亿芯通感技术有限公司，东芯股份控股子公司
亿芯通感广州 指 广州亿芯通感技术有限公司, 东芯股份控股子公司的全资子公司
东方恒信 指 东方恒信集团有限公司，原名东方恒信资本控股集团有限公司，东芯
股份控股股东
东芯科创、员工持 指 苏州东芯科创股权投资合伙企业（有限合伙），东芯股份股东
股平台
中金锋泰 指 珠海横琴中金锋泰股权投资合伙企业（有限合伙）（曾用名为杭州中
金锋泰股权投资合伙企业（有限合伙）），东芯股份股东
聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙），东芯股
份首次公开发行前股东
鹏晨源拓 指 深圳市前海鹏晨源拓投资企业（有限合伙），东芯股份首次公开发行
前股东
高通 指 Qualcomm Technologies Inc.，高通科技有限公司
博通 指 Broadcom Inc.，博通公司
联发科 指 MediaTek Inc.，台湾联发科技股份有限公司
瑞芯微 指 瑞芯微电子股份有限公司
中兴微 指 深圳市中兴微电子技术有限公司
紫光展锐 指 紫光展锐（上海）科技有限公司
宏茂微 指 宏茂微电子（上海）有限公司
华润安盛 指 无锡华润安盛科技有限公司
WSTS 指 World Semiconductor Trade Statistics，世界半导体贸易统计协会
南茂科技 指 ChipMOS Technologies Inc.，南茂科技股份有限公司
AT Semicon 指 AT Semicon Co., Ltd.
A 股 指 人民币普通股
证监会 指 中国证券监督管理委员会
招股说明书 指 《东芯半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股
说明书》
元、万元 指 人民币元、万元
MCP 指 Multiple Chip Package，即多芯片封装存储器
DDR 指 Double Data Rate SDRAM，即双倍速率同步动态随机存储器
PSRAM（Pseudo static random access memory）是一种伪静态 SRAM
存储器，它具有类似 SRAM 的接口协议：给出地址、读、写命令，
PSRAM 指 就可以实现存取；PSRAM 的存储 cell 由 1T1C 一个晶体管和一个电
容构成。与 SRAM 相比，体积更有优势，与 SDRAM 相比，功耗有
优势
LPDDR 指 Low PowerDoubleDataRateSDRAM，即低功耗双倍速率同步动态随
机存储器
Fabless 指 Fabrication 和 Less 的组合，是指没有制造业务、只专注于设计的一
种运作模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售，将生产、测
试、封装等环节外包。也指未拥有芯片制造工厂的 IC 设计公司，经
常被简称为“无晶圆厂”（晶圆是芯片/硅集成电路的基础，无晶圆即代
表无芯片制造）；通常说的 IC design house（IC 设计公司）即为
Fabless
存储器、存储芯片 指 具备存储功能的半导体元器件，用来实现运行程序或数据存储功能
一种非易失性（即断电后存储信息不会丢失）半导体存储芯片，具备
反复读取、擦除、写入的技术属性，属于存储器中的大类产品。相对
闪存芯片、Flash 指 于硬盘等机械磁盘，具备读取速度快、功耗低、抗震性强、体积小的
应用优势；相对于随机存储器，具备断电存储的应用优势。目前闪存
广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、通
讯设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域
晶体管 指 是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号
调制等多种功能
NAND 、 NAND 指 存储单元串联型数据闪存芯片，主要非易失闪存技术之一
Flash
NOR、NOR Flash 指 存储单元并联型数据闪存芯片，主要非易失闪存技术之一
DRAM 指 动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）
nm 指 nm 表示 nano meter，中文称纳米，长度计量单位，1 纳米为十亿分
之一米
集成电路制造过程中，以晶体管最小线宽尺寸为代表的技术工艺，尺
工艺制程 指 寸越小，工艺水平越高，意味着在同样面积的晶圆上，可以制造出更
多的芯片，或者同样晶体管规模的芯片会占用更小的空间
5G 指 第五代移动通信技术与标准，是 4G 技术的延伸，关键技术包括大规
模天线阵列、超密集组网、新型多址、全频谱接入和新型网络架构等
MIFI 指 便携式宽带无线装置，集调制解调器、路由器和接入点三者功能于一
身
存储介质 指 指存储数据的载体
浮栅 指 Flash 存储单元的组成结构之一，周围由绝缘材料包裹，用于存储俘
获电子，同时与外界没有电气连接，即使掉电后，电子也不会流失
存储单元 指 又称为 cell，为存储芯片中最基本的信息存储单元
块、页、Byte、bit 指 数据存储芯片逻辑地址划分结构
SLC：每个 cell 单元存储 1bit 信息，只有 0、1 两种状态 MLC：每个
SLC、MLC、TLC、 指 cell 单元存储 2bit 信息，有 00 到 11 四种状态 TLC：每个 cell 单元存
QLC 储 3bit 信息，从 000 到 111 有 8 种状态 QLC：每个 cell 单元存储 4bit
信息，从 0000 到 1111 有 16 种状态
SPI、PPI 指 具备串行外设接口、具备并行外设接口
GB、MB 指 1GB=1024*1024*1024 Byte、1MB=1024*1024 Byte
Gb、Mb 指 1Gb=1024*1024*1024 bit、1Mb=1024*1024 bit
存储阵列 指 由大量的存储单元组成，每个存储单元能存放 1 位二值数据（0,1）
集成电路设计、芯 指 包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、版图设计、绘
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