公司代码：688110 公司简称：东芯股份
东芯半导体股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。2 重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2023年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-30,624.97万元，母公司实现净利润-11,797.88万元，截止2023年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为13,706.73万元。鉴于公司2023年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2023年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。
根据《上市公司股份回购规则》第十八条规定：“上市公司以现金为对价，采用要约方式、集中竞价方式回购股份的，视同上市公司现金分红，纳入现金分红的相关比例计算”，公司2023年度以集中竞价方式累计回购公司股份金额为6,480.09万元（不含印花税、交易佣金等交易费用）。
以上利润分配预案已经公司第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议审议通过，尚需经公司2023年年度股东大会审议通过。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 东芯股份 688110 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 蒋雨舟 黄沈幪
办公地址 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹 上海市青浦区徐泾镇诸光
桥世界中心L4A-F5 路1588弄虹桥世界中心
L4A-F5
电话 021-61369022 021-61369022
电子信箱 contact@dosilicon.com contact@dosilicon.com
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决
方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及
服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，
实现了国内闪存芯片的技术突破。
图：公司产品应用示例
2、主要产品及服务
存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失
性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品 MCP：
（1）NAND Flash
NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash
或 3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量 NAND Flash
主要是 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的 NAND 产品种类丰富，
功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于 5G 通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆
盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V 两种电压，可满足客户在不
同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，
公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
图：公司 NAND Flash 产品
（2）NOR Flash
NOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX 工艺的 SPI NOR Flash，自主设计的 SPI NOR Flash
存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。
图：公司 NOR Flash 产品
（3）DRAM
DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。
公司研发的 DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时等特点，
在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达 2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
图：公司 DRAM 产品
（4）MCP
MCP 产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。
公司的 NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND Flash 闪存芯片与低功耗设计
的 DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR 规格包括 LPDDR1、LPDDR2 和 LPDDR4x，为用户提供更加灵活
和丰富的选择。MCP 通过将低功耗 DRAM 和基于 NAND 的技术优化结合在一起简化了走线设计，节
省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用 NAND MCP 产品时可以减小PCB 的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于 PCB 布板空间狭小的应用。
图：公司 MCP 产品
（5）技术服务
公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。
在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。
(二) 主要经营模式
公司作为 IC 设计企业，采取 Fabless 的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环
节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。公司的整体业务流程如下图所示：
(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
2023 年宏观经济情况仍旧复杂多变，多家主要存储芯片厂商相继推动减产计划，旨在加速市场供需平衡。随着海外大厂减产举措的逐步实施，去库存化预计将迎来加速。但公司认为随着市场对于高需求的 HBM 等大容量存储芯片，尤其是来自于 AI 大模型的需求，将推动海外大厂将更多产能投放于这类产品，从而迅速推动整个存储行业供需平衡的回归。
NOR Flash 和 NAND Flash 都属于非易失性存储芯片，即在断电后能够保留数据。根据存储信
息类型的不同，Flash 可以进一步分为代码型闪存和数据型闪存。NOR Flash 和 SLC NAND 被归类
为代码型闪存，主要用于存储操作系统及其启动与运行过程中的代码信息，对芯片的稳定性和可靠性要求较高。而 MLC/TLC/QLC NAND 等数据型闪存主要用于存储系统运行过程中的大容量数据信息，对芯片的容量和成本要求较高。
NAND Flash 行业集中度有所回落，但仍保持较高水平。全球 NAND Flash 行业前六大厂商市
场份额总和逐年提高，目前 NAND 主要通过 3D 堆叠方式大幅提升存储容量，而堆叠层数的持续提
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