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688110 科创 XD东芯股


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东芯股份:2022年年度报告摘要

公告日期:2023-04-15

东芯股份:2022年年度报告摘要 PDF查看PDF原文

公司代码:688110                                                公司简称:东芯股份
        东芯半导体股份有限公司

          2022 年年度报告摘要


                            第一节 重要提示

1  本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
  划,投资者应当到上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)网站仔细阅读年度报告全文。2  重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险,提请投资者注意查阅。
3  本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
  完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4  公司全体董事出席董事会会议。
5  立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6  公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7  董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  公司以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,向全体股东每10股分派现金股利1.26元(含税),预计分派现金红利55,723,469.51元(含税)。本年度不进行资本公积金转增股本,不送红股。

  如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本及应分配股数发生变动的,拟维持分配总额不变,相应调整每股分配比例。2022年利润分配方案已经第二届董事会第五次会议审议通过,尚需提交2022年年度股东大会审议通过。
8  是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

                          第二节 公司基本情况

1  公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用

                                  公司股票简况

    股票种类    股票上市交易所    股票简称        股票代码    变更前股票简称
                    及板块

A股            上海证券交易所 东芯股份          688110          不适用

                科创板

公司存托凭证简况

联系人和联系方式

  联系人和联系方式      董事会秘书(信息披露境内代表)        证券事务代表

        姓名          蒋雨舟                            黄沈幪

      办公地址        上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹  上海市青浦区徐泾镇诸光
                        桥世界中心L4A-F5                  路1588弄虹桥世界中心

                                                          L4A-F5

        电话          021-61369022                      021-61369022

      电子信箱        contact@dosilicon.com              contact@dosilicon.com

2  报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况

  1、主要业务

  公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决
方案的公司,产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及
服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程,
实现了国内闪存芯片的技术突破。
图:公司产品应用示例

  2、主要产品或服务

  存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储,根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失
性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash;易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品 MCP:

  (1)NAND Flash

  NAND Flash 即数据型闪存芯片,分为两大类:大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash

或 3D NAND Flash,擦写次数从几百次至数千次,多应用于大容量数据存储;小容量 NAND Flash
主要是 SLC NAND Flash,可靠性更高,擦写次数达到数万次以上。公司 NAND Flash 产品属于 SLC
NAND Flash,广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。
  公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量
覆盖 512Mb 至 32Gb,可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口,搭配 3.3V/1.8V 两种电压,可满足客
户在不同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显,尤其是 SPI NAND
Flash,公司采用了业内领先的单颗集成技术,将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,降低了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次,同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
图:公司 NAND Flash 产品

  (2)NOR Flash

  NOR Flash 即代码型闪存芯片,主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成,在实现按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,因此具有芯片内执行、读取速度快等特点,通常被用于存储相关数据和代码程序,来满足快速启动应用系统的需求。

  公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb,并支持多种数据传输模式,普
遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。
图:公司 NOR Flash 产品

  (3)DRAM

  DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一,通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特(bit)来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点,常被用于系统硬件的运行内存,对系统中的指令和数据进行处理。

  公司研发的 DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品,具有高带宽、低延时等特点,
在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发
的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点,适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。图:公司 DRAM 产品

  (4)MCP

  MCP 产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用,以共同实现存储与数据处理功能。

  公司的 NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND Flash 闪存芯片与低功耗设计
的 DRAM,凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证,被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。公司的 NAND MCP 在提供高可靠性,大容量存储的同时,可以保证客户的
长期供应,客户在使用 NAND MCP 产品时可以减小 PCB 的布板空间,降低整体系统成本,提高整体
集成度和可靠性,适用于 PCB 布板空间狭小的应用。
图:公司 MCP 产品

  (5)技术服务

  公司拥有自主完整的知识产权,能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户降低产品开发时间和成本,提高产品开发效率。

  在为客户进行定制化产品过程中,公司不断深入了解市场需求,接收客户反馈,已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环,有利于公司进一步增强技术研发实力。
(二) 主要经营模式

  集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。从经营模式来看,主要分为 IDM 模式(企业业务覆盖集成电路的设计、制造、封装和测试的所有环节)和 Fabless模式(无晶圆生产线集成电路设计模式,即企业只进行集成电路的设计和销售,将制造、封装和测试等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测试企业来完成)两种。公司作为 IC设计企业,自成立以来一直采取 Fabless 模式,专注于集成电路设计及最终销售环节,将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。


  公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下,公司与经销商之间采用买断式销售;直销模式下,终端客户直接向公司下订单。在经销模式下,作为上下游产业的纽带,经销商在开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面具有优势。经销模式有效提高了行业内企业的运作效率,助推企业快速发展。直销模式下,企业与终端客户保持紧密联系,通过与终端客户的直接交流有助于及时感知行业变化趋势,缩短了公司的销售流程,精准把握市场需求,促进产品技术创新与改进,不断推出满足市场需求的优质产品。
(三)  所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

  公司是一家专注存储类芯片设计的企业,聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售,致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”(代码:6520),细分行业为芯片设计行业;根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》(2012 年修订),公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”,行业代码为“C39”。

  2022 年全球宏观经济情况复杂多变,受行业周期性影响,全行业库存达到历史高位,需求端则持续低迷,其中消费电子产品需求几乎降至冰点,部分产品价格较前年“腰斩”。集成电路是信息技术产业基石,近年得益于良好的政策推动以及巨大的市场需求,中国集成电路产业不断成
长。中国海关总署公布的数据显示,2022 年集成电路进口量从 2021 年的 6356 亿下降 15%至 5384
亿。根据美国半导体工业协会(SIA)数据显示,2022 年全球半导体销售额将达到 5735 亿美元(目前约 3.88 万亿元人民币),创历史新高。中国集成电路需求旺盛,而自给量不足,贸易逆差庞大,特别是一些高端芯片、核心技术仍旧依赖国外进口,在当前中美贸易摩擦的情形下,集成电路产业国产替代大有可为。

  2022 年在宏观经济环境恶化以及全球部分地区性因素的影响下,市场的终端需求锐减,同时企业的库存问题也从下游不断传导到上游,进一步抑制了对存储芯片产品的需求。尤其在 2022 年下半年,存储市场更是经历着“寒冬”,全年存储市场同比下降 12.6%。周期性是半导体行业的常态,存储芯片行业是作为强周期的行业,行业低谷不会长期持续,随着大数据时代的向前推进,元宇宙、自动驾驶、人工智能等数据密集型应用技术不断涌现,势必将引发数据存储的浪潮。随着逐渐放开,通胀等各类不利因素的减弱,从全球范围来看,中国市场仍有较大机会。

  在 NAND Flash 产品上,主要厂商有三星电子、铠侠、海力士、美光科技等国际企业,占据
全球主要市场,产品类型以大容量存储的 3D NAND Flash 为主。目前在低容量 2D NAND Flash 市
场,公司通过差异化市场需求切入该细分领域市
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