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688110 科创 XD东芯股


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688110:东芯股份2021年度报告摘要

公告日期:2022-04-23

688110:东芯股份2021年度报告摘要 PDF查看PDF原文

公司代码:688110                                                公司简称:东芯股份
        东芯半导体股份有限公司

          2021 年年度报告摘要


                            第一节 重要提示

1  本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
  划,投资者应当到上海证券交易所网站(www.sse.com.cn)网站仔细阅读年度报告全文。2  重大风险提示

  公司已在本报告中描述可能存在的风险,敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分,请投资者注意投资风险。
3  本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
  完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
4  公司全体董事出席董事会会议。
5  立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6  公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7  董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数,向全体股东每10股分派现金股利1.80元(含税)。截至2021年12月31日,公司总股本为442,249,758.00股,以此计算预计分派现金红利79,604,956.44元(含税),占公司2021年度归属于母公司股东的净利润的30.41%。本年度不进行资本公积金转增股本,不送红股。如在实施权益分派的股权登记日前公司总股本及应分配股数发生变动的,拟分配总额不变,相应调整每股分配比例。

  公司上述利润分配方案已经公司第一届董事会第二十六次会议审议通过,尚需提交公司股东大会审议批准。
8  是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用

                          第二节 公司基本情况

1  公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用

                                  公司股票简况

    股票种类    股票上市交易所    股票简称        股票代码    变更前股票简称
                    及板块

A股            上海证券交易所 东芯股份          688110          不适用

                科创板

公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式

  联系人和联系方式      董事会秘书(信息披露境内代表)        证券事务代表

        姓名          蒋雨舟                            黄沈幪

      办公地址        上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹  上海市青浦区徐泾镇诸光
                        桥世界中心L4A-F5                  路1588弄虹桥世界中心

                                                          L4A-F5

        电话          021-61369022                      021-61369022

      电子信箱        contact@dosilicon.com              contact@dosilicon.com

2  报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务

  公司是大陆领先的存储芯片设计公司,聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售,是大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存储芯片完整解决方案的公司。凭借强大的研发能力和稳定的供应链体系,产品已进入国内外众多知名客户,广泛应用于 5G 通信、物联网终端、消费电子、工业和汽车电子产品等领域。

  自成立以来,公司即致力于实现本土存储芯片的技术突破,通过统一底层设计、功能性可变式的研发架构,构建了强大的设计电路图及封装测试的数据库,实现了芯片设计、制造工艺、芯片设计、封装测试等环节全流程的掌控能力,并拥有完全自主知识产权。公司设计研发并量产的
24nm NAND、48nm NOR 均为大陆目前领先的 NAND、NOR 工艺制程。

  公司立足中国、面向全球,深耕全球最大的存储芯片应用市场,精准感知瞬息万变的市场动向,紧跟存储芯片国产化浪潮,凭借从芯片、应用电路到系统平台等全方位的技术储备,迅速响应客户个性化需求,针对性地提供包含 NAND、NOR、DRAM 的存储芯片完整解决方案。经过多年的经验积累和技术升级,公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品,凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现,公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证,同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。
2、主要产品或服务

  公司的主要产品为非易失性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash;易失性存储芯片 DRAM 以
及衍生产品 MCP,各类产品具体情况如下:
(1)NAND Flash

  NAND Flash 是通用型非易失性存储芯片的一种,其存储阵列是由存储单元通过串联方式连接而成,以“页”为单位进行读写操作,以“块”为单位进行擦除操作,因此具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点。

  公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发,主要产品采用浮栅型工艺结构,存储容量
覆盖 1Gb 至 32Gb,可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口,搭配 3.3V/1.8V 两种电压,可满足客户在不
同应用领域及应用场景的需求。公司的 SLC NAND Flash 产品主要用于支持 Linux、RTOS 等应用
系统代码的存储和运行,实现数据的存储及快速改写,被广泛应用于如 5G 通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。


  公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显,尤其是 SPI NAND Flash,公司采用了业内领先的
单芯片集成技术,将存储阵列、逻辑电路与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,降低了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定,不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次,同时可在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年,产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

  公司的 NAND Flash 凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,被广泛应用于通讯设备、
安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域,获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可,被主要应用于 5G 通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。
(2)NOR Flash

  NOR Flash 是一类通用型的非易失性存储芯片,其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成,在实现按位快速随机读取数据的同时,允许系统直接从存储单元中读取代码执行,因此具有芯片内执行、读取速度快等特点,通常被用于存储相关数据和代码程序,来满足快速启动应用系统的需求,普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。

  公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb,并支持多种数据传输模式,公
司的产品主要被用于存储代码程序,例如在功能手机中用于存放通信数据交换时的启动程序;在智能手机的摄像头模组中用于存放校正图像分辨率的指令代码;在蓝牙无线耳机中存放启动时的引导程序,目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。(3)DRAM

  DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一,通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特(bit)来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点,常被用于系统硬件的运行内存,对系统中的指令和数据进行处理。

  公司研发的 DDR3 系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品,具有高带宽、低延时等特点,
在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求,自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点,适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。目前使用公司 DRAM 系列产品的国际知名客户包括 LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等。(4)MCP

  MCP 是通过将闪存芯片与 DRAM 进行合封的产品,以共同实现存储与数据处理功能,节约
空间的同时提高存储密度,目前主要用于空间受限的电子产品,被应用于移动终端、通讯设备领域。

  公司的 MCP 产品集成了自主研发的闪存芯片与 DRAM,凭借设计优势已在紫光展锐、高通、
联发科的 4G 模块平台通过认证,被应用于功能手机、MIFI、网络电话、POS 机等产品,获得了TCL 科技、日海智能、捷普等知名企业的认可。
(5)技术服务

  公司拥有自主完整的知识产权,凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队,可根据客户的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案,帮助客户降低产品开发时间和成本,提高了产品开发效率。

  在为客户进行定制化的设计过程中,公司不断了解市场对产品功能需求,接收客户对终端产品的反馈,反复验证和打磨已有的技术,建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环,进一步增强技术能力。

(二) 主要经营模式

  集成电路产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试等环节组成。从经营模式来看,主要分为 IDM 模式(企业业务覆盖集成电路的设计、制造、封装和测试的所有环节)和 Fabless模式(无晶圆生产线集成电路设计模式,即企业只进行集成电路的设计和销售,将制造、封装和测试等生产环节分别外包给专业的晶圆制造企业、封装和测试企业来完成)两种。公司作为 IC设计企业,自成立以来一直采取 Fabless 模式,专注于集成电路设计及最终销售和售后服务环节,将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。

  从集成电路整体产业链来看,集成电路设计是具有自主知识产权并体现核心技术含量的研发和设计环节,成品销售则是控制销售渠道、客户资源及品牌的售后服务环节,均在产业链中具有核心及主导作用,是 IC 设计行业原始创新的体现和价值创造的源泉。公司专注于研发设计和产品销售环节,在整个产业链中处于重要地位并拥有核心竞争力。

  从销售模式看,公司的销售主要为直接销售与经销两种。直接销售模式下,公司与客户直接签署销售合同(订单)并发货;经销模式下,公司与经销商签署经销商协议和销售合同,由公司向经销商发货,再由经销商向终端客户销售。在此模式下,采取卖断式销售。经销模式作为集成电路设计行业较为常见的销售模式,有效提高了行业内企业的运作效率,助推企业快速发展。在经销模式下,作为上下游产业的纽带,经销商在高效开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面发挥了重要作用。直销模式下,缩短了公司的销售流程,企业与终端客户能保持紧密联系,通过与终端客户的交流,有助于提供感知行业变化趋势,及时把握市场需求从而开展产品技术创新与改进,不断推出满足市场的优质产品。公司依靠产品稳定的性能和可靠的质量,在行业内获得了良好的品牌知名度,吸引了知名客户直接向公司采购产品。
(三) 所处行业情况
1.  行业的发展阶
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