本h·-次股票发行后拟在科创板市场上市，该市场具有较高的投资风险。科创板公司具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定、退市风险高等特点，投资者面临较大的市场风险。投资者应充分了解科创板市场的投资风险及本公司所披露的风险因素，审慎作出投资决定。
东芯半导体股份有限公司
Dosilicon Co., Ltd.
（上海市青浦区赵巷镇沪青平公路 2855 弄 1-72 号
B 座 12 层 A 区 1228 室）
首次公开发行股票并在科创板上市
招股意向书
保荐机构（主承销商）
（上海市广东路 689 号）
发行人声明
中国证监会、交易所对本次发行所作的任何决定或意见，均不表明其对注册申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证，也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益作出实质性判断或保证。任何与之相反的声明均属虚假不实陈述。
根据《证券法》的规定，股票依法发行后，发行人经营与收益的变化，由发行人自行负责；投资者自主判断发行人的投资价值，自主作出投资决策，自行承担股票依法发行后因发行人经营与收益变化或者股票价格变动引致的投资风险。
发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股意向书及其他信息披露资料不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
发行人控股股东及实际控制人承诺本招股意向书不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其真实性、准确性、完整性承担个别和连带的法律责任。
发行人负责人和主管会计工作的负责人、会计机构负责人保证招股意向书中财务会计资料真实、完整。
发行人及全体董事、监事、高级管理人员、控股股东及实际控制人以及保荐人、承销的证券公司承诺因发行人招股意向书及其他信息披露资料有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，致使投资者在证券发行和交易中遭受损失的，将依法赔偿投资者损失。
保荐人及证券服务机构承诺因其为发行人本次公开发行制作、出具的文件有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，给投资者造成损失的，将依法赔偿投资者损失。
发行概况
发行股票类型 人民币普通股（A 股）
本次公开发行股票的数量为 11,056.2440 万股，占发行后总
发行股数 股本的比例为 25.00%（全部为公司公开发行新股，不安排
公司股东公开发售股份）
每股面值 人民币 1.00 元
每股发行价格 人民币【】元
预计发行日期 2021 年 12 月 1 日
拟上市的证券交易所和板块 上海证券交易所科创板
发行后总股本 44,224.9758 万股
海通证券将安排子公司海通创新证券投资有限公司参与与
本次发行战略配售，配售数量预计为本次公开发行数量的
保荐机构相关子公司 5%，即 552.8122 万股；具体比例和金额将在 T-2 日确定
参与战略配售的情况 发行价格后确定。海通创新证券投资有限公司获得本次配
售的股票限售期限为自发行人首次公开发行并上市之日起
24 个月。
保荐人（主承销商） 海通证券股份有限公司
招股意向书签署日 2021 年 11 月 23 日
重大事项提示
发行人提醒投资者特别关注下述重大事项提示。此外，在做出投资决策之前，发行人请投资者认真阅读本招股意向书正文内容。
一、特别风险提示
本公司提醒投资者认真阅读招股意向书的“第四节 风险因素”部分，并特别注意以下事项：
（一）公司盈利波动较大且存在累计未弥补亏损的风险
1、盈利波动较大的风险
公司所处存储芯片行业，受下游供需关系影响，价格呈周期波动，同时公司产品目前尚处于导入期，整体销售规模较小，规模效应不明显，盈利情况波动较大。
报告期内，公司的营业收入分别为 50,997.55 万元、51,360.88 万元、78,430.79
万元和 45,473.57 万元，公司扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润分别
为-3,040.02 万元、-6,343.22 万元、1,755.32 万元和 7,397.04 万元，2018-2019 年
度出现较大幅度亏损，2020 年起市场行情逐步回暖，公司大客户销售逐步放量，盈利情况得到显著改善。
2018-2019 年度出现较大幅度亏损的原因主要系：
① 产品导入周期长
公司专注于存储芯片行业，产品下游主要应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等工业领域及消费电子领域，存储芯片性能对电子系统整体运行的效率和稳定性有重要影响，因此终端产品对于存储芯片的可靠性要求较高，产品导入期长。
新产品销售一般需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程，所有验证通过后，方可逐步形成规模化的销售。通常平台验证需要 3-6 个月的时间，以测试产品功能、性能与平台系统的适配性；产品验证需要 3-6 个月的时间，以实现产品与客户整体系统的软硬件环境适配；供应商认证需要 6 个月-2 年的时间，
以评估公司是否满足技术、质量、体系、交货等要求。经历上述流程后，根据客户终端产品的销售情况，逐步放量，形成规模化销售。
报告期内，公司积极推进新产品及新应用的验证，目前已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等各大主流平台验证，进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等知名客户的供应链体系，但相对于行业内竞品企业，公司成立时间较短，公司产品从新产品推出到实现规模化销售尚需一些时间。
② 成本尚不具备优势
存储芯片行业具有资本及技术密集型特点，产品标准化程度高，行业集中度高，规模效应较为明显，存储行业巨头及行业先进入者，由于在规模、工艺成熟度等方面领先于后来者，在成本方面具备较为明显的优势。
同时，作为芯片设计公司，公司的采购周期和成本往往受代工厂的产能安排和定价方式制约，一般来说代工厂具备较强的成本转嫁能力，而公司处于发展前期，在采购规模上尚不具备很强的议价能力，从而使得公司的产品成本较高。
③ 产品价格波动下行
存储芯片产品具备高度的通用性，客户对价格变动较为敏感，同时由于存储芯片终端需求随宏观经济呈周期性波动，而供应端的产能调整有一定的滞后性，往往造成供需关系的错配，因而芯片价格的波动较大。根据《2020 年上海集成电路产业发展研究报告》，全球半导体在 2019 年进入下行周期，全球存储器厂商计划全年投资仅为 180 亿美元，是近年来最为保守的投资水平，存储器价格大幅下降 41%。公司主打的 SLC NAND 系列产品，单价在报告期内亦出现大幅下降。
同时，对于行业新进入者及处于追赶阶段的公司来说，为扩大市场占有率，提升品牌影响力，往往需要在价格方面让利客户，因此进一步挤占了公司盈利空间。
④ 持续研发及运营投入较大
为持续跟进行业先进技术水平，保持在国产替代领域的相对技术领先优势，
公司持续加大在研发、运营、市场拓展等领域的投入，需要通过高薪、股权激励等方式为吸引优秀技术人才，成本费用较高。
因而，未来一段时间，如公司在产品开发、市场拓展等方面不达预期，公司可能会继续亏损，在资金状况、研发投入、业务拓展、人才引进、团队稳定等方面的发展可能受到限制或存在负面影响，或者市场继续呈大幅周期性波动，将引起公司经营业绩的大幅波动。
2、公司存在累计未弥补亏损的风险
截至报告期末，公司经审计的母公司报表未分配利润为-1,421.72 万元，合并报表中未分配利润为-1,186.50 万元，公司可供股东分配的利润为负值。在首次公开发行股票并在科创板上市后，若公司短期内无法持续盈利并弥补累积亏损或者缺乏现金分红的能力，将存在短期内无法向股东现金分红的风险。
（二）技术水平与国际龙头厂商相比存在较大差距的风险
公司产品线包括 NAND、NOR 及 DRAM 等存储芯片，具体来说，公司所售
产品为主要为 NAND 产品中的 SLC NAND，NOR 系列产品主要为消费级的 NOR，
DRAM 产品主要为针对利基型市场的中小容量 DRAM，在技术水平方面，与国际龙头厂商存在较大差距，具体如下：
2D NAND 三星电子 铠侠 美光科技 发行人
主要产品 SLC/MLC/TLC SLC/MLC/TLC SLC/MLC/TLC SLC NAND
最高制程 16nm 24nm 19nm 24nm
NOR 华邦电子 旺宏电子 兆易创新 发行人
主要产品 DTR SPI NOR DTR SPI NOR DTR SPI NOR DTR SPI NOR
最高制程 45nm 55nm 55nm 48nm
DRAM 三星电子 海力士 美光科技 发行人
主要产品 DDR5/LPDDR5 DDR5/LPDDR5 DDR5/LPDDR5 DDR3/LPDDR2
最高制程 1z nm 1z nm 1z nm 25nm/38nm
从制程来看，在各产品领域均与国际龙头厂商存在一定差距，2D NAND 方面，三星电子已达到 16nm，美光科技已达到 19nm 制程；NOR 方面亦落后于华邦电子的 45nm 制程；在 DDR/LPDDR 亦全面落后于三星电子、海力士、美光科技的 1z nm 制程。
从产品线分布来看，公司产品线相对集中，在 2D NAND 方面主要为 SLC
NAND，尚未涉及大容量的 MLC/TLC NAND；在 DRAM 方面，公司产品主要为DDR3/LPDDR2，而国际先进的产品已达到 DDR5/LPDDR5，仍存在较大差距。
因而，公司与行业龙头企业在产品制程差距较大，产品线布局上不甚完善。近年来，随着我国芯片下游市场需求的提升，国内外企业愈加重视中国市场，行业面临市场竞争加剧的风险。如果公司不能完善产品布局，提升技术实力，扩大销售规模，则可能面临与同行业龙头企业差距拉大并对公司持续盈利能力造成不利影响的风险。
（三）公司产品市场规模较小、市场占有率进一步降低的风险
公司自主研发的存储芯片产品包括 SLC NAND Flash、NOR Flash 和利基型
DRAM，行业竞争激烈。
2019 年 NAND Flash 全球市场规模达到 460 亿美元，主要包括 2D NAND
（SLC\MLC\TLC\QLC）及 3D NAND,其中 2D MLC\TLC\Q
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