公司代码：688082 公司简称：盛美上海
盛美半导体设备（上海）股份有限公司
2024 年半年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确
性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人 HUI WANG、主管会计工作负责人 LISA YI LU FENG 及会计机构负责人（会计主
管人员）王岚 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 7
第三节 管理层讨论与分析 ...... 11
第四节 公司治理 ...... 42
第五节 环境与社会责任 ...... 45
第六节 重要事项 ...... 48
第七节 股份变动及股东情况 ...... 73
第八节 优先股相关情况 ...... 79
第九节 债券相关情况 ...... 80
第十节 财务报告 ...... 81
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
备查文件目录 人员）签名并盖章的财务报表。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
经现任法定代表人签字和公司盖章的本次半年报全文和摘要。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司,本公司,盛美 指 盛美半导体设备（上海）股份有限公司
上海,盛美半导体
盛美无锡 指 盛美半导体设备无锡有限公司，盛美上海全资子公司
盛帷上海 指 盛帷半导体设备（上海）有限公司，盛美上海全资子公司
香港清芯 指 CleanChip Technologies Limited，清芯科技有限公司，盛美上海全资
子公司
盛美韩国 指 ACM Research Korea CO., LTD.，香港清芯的全资子公司
盛美加州 指 ACM RESEARCH (CA), INC.，香港清芯的全资子公司
御盛微半导体 指 御盛微半导体（上海）有限公司，盛美上海全资子公司
御盛微友一 指 御盛微友一微电子（上海）有限公司，盛美上海控股子公司
盛奕科技，盛奕半 指 盛奕半导体科技（无锡）有限公司，盛美上海参股公司
导体
合肥石溪 指 合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合伙），盛美上
海参股企业
美国 ACMR， 指 ACMRESEARCH,INC.，美国 NASDAQ 股票市场上市公司，盛美上
ACMR 海控股股东
华虹集团 指 上海华虹（集团）有限公司，盛美上海客户
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，盛美上海客户
通富微电 指 通富微电子股份有限公司，盛美上海客户
台湾合晶科技 指 合晶科技股份有限公司，盛美上海客户
NINEBELL 指 NINEBELL CO.,LTD.，盛美上海供应商
NASDAQ 指 National Association of Securities Dealers Automated Quotations，美国
纳斯达克股票市场
指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术可分为
半导体 集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛应用于下游通
信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
硅片 指 Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感器等
半导体产品制造
指 IntegratedCircuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管
IC、集成电路 等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集成在
半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统
晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属
化等特定工艺加工过程中的硅片
晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的生产厂
商
芯片 指 集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结
果
图形晶圆 指 表面带图案结构的晶圆
晶圆制造、芯片制 指 将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过
造 程，分为前道晶圆制造和后道封装测试。
存储器 指 电子系统中的记忆设备，用来存放程序和数据
功率器件 指 用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件
NAND 闪存 指 快闪记忆体/资料储存型闪存
5G 指 5th-Generation，即第五代移动电话行动通信标准
光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到
单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术
指 用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过程，是与
刻蚀 光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键
步骤
涂胶 指 将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影 指 将曝光完成的晶圆进行成像的过程，通过这个过程，成像在光阻上的
图形被显现出来
CVD 指 Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积
指 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子体增强化学气相
PECVD 沉积），是 CVD 的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底
上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备
方法
LPCVD 指 Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积
ALD 指 Atomic Layer Deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原子
膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
DRAM 指 Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
指 StressFreePolish，无应力抛光技术，该技术利用电化学反应原理，在
SFP 抛除晶圆表面金属膜的过程中，摒弃抛光过程的机械压力，根除机械
压力对金属布线的损伤
指 集成电路内部由于层间电介质（Inter Layer Dielectrics)存在，会产生
低 k 电介质 寄生电容。使用低 k 电介质作为层间电介质，可以有效地降低互连线
之间的分布电容，从而提升芯片总体性能。
良率 指 被测试电路经过全部测试流程后，测试结果为良品的电路数量占据全
部被测试电路数量的比例
指 芯片制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗、离子
前道、后道 注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA 植
球、检查、测试等
指 封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯
封装 片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到
电路板的工艺技术
指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、
先进封装 圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D 封装等均
被认为属于先进封装范畴
晶圆级封装 指 晶圆级封装（Waferlevelpackaging）将封装尺寸减小至集成电路芯片
（WLP） 大小，以及它可以晶圆形式成批加工制作，使封装降低成本
指 凸块下金属（UnderBumpMetal），是焊盘和焊球之间的金属过渡层，
位于圆片钝化层的上部。UBM 与圆片上的金属化层有着非常好的粘
UBM 附特性，与焊料球之间也有着良好的润湿特性，在焊球与 IC 金属焊
盘之间作为焊料的扩散层。UBM 作为氧化阻挡层还起着保护芯片的
查看PDF原文
