公司代码：688082 公司简称：盛美上海
盛美半导体设备（上海）股份有限公司
2022 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
经公司第二届董事会第三次会议审议通过《关于2022年度利润分配预案的议案》，公司2022年度利润分配预案如下：截至2022年12月31日，公司总股本共433,557,100股，拟每10股派发现金红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），本次利润分配现金分红金额占2022年合并报表归属于母公司股东净利润的24.13%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。
该利润分配预案尚需提交公司2022年度股东大会审议。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 盛美上海 688082 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 罗明珠 /
办公地址 中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路 /
1690号第4幢
电话 021-50276506 /
电子信箱 ir@acmrcsh.com /
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1.主要业务
公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
2.主要产品
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂胶显影Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
（1）前道半导体工艺设备
①清洗设备
A.SAPS 兆声波单片清洗设备
晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且
由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
公司自主研发的 SAPS 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。
B.TEBO 兆声波单片清洗设备
公司自主研发的 TEBO 清洗设备，可适用于 28nm 及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速
（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无
损伤清洗。公司 TEBO 清洗设备，在器件结构从 2D 转换为 3D 的技术转移中，可应用于更为精细
的具有 3D 结构的 FinFET、DRAM 和新兴 3D NAND 等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件
等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的 SAPS 和 TEBO 兆声波清洗技术，解决了兆声
波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置 18 腔体，有效提升客户的生产效率。
C.高温单片 SPM 设备
随着技术节点推进到 10nm 及以下，工艺温度要求在 145 摄氏度以上，甚至超过 200 摄氏度
的 SPM 工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对 SPM 的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温 SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司
独有的专利技术 SAPS 和 TEBO 兆声波技术。该设备可支持 300mm 晶圆单片 SPM（硫酸和过氧
化氢混合酸）工艺，可广泛应用于先进逻辑、DRAM，3D-NAND 等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其针对处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀、剥离工艺。
D.单片槽式组合清洗设备
公司自主研发的具有全球知识产权保护的 Tahoe 清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe 清洗设备可被应用于光刻胶去除，刻蚀后清洗，离子注入后清洗，机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe 清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中温 SPM 清洗设备相媲美，与此同时，与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低了生产成本又能更好的符合节能减排的政策。该设备已完成客户端验证，进入量产阶段。
E.单片背面清洗设备
公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。
F.边缘湿法刻蚀设备
该设备支持多种器件和工艺，包括 3D NAND、DRAM 和先进逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法
来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
G.前道刷洗设备
采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
H.全自动槽式清洗设备
公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清
洗方式组合，再配以先进的常压 IPA 干燥技术及先进的低压 IPA 干燥技术，能够同时清洗 50 片晶
圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于 40nm 及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
②半导体电镀设备
A.前道铜互连电镀铜设备
公司自主开发针对 28-14nm 及以下技术节点的 IC 前道铜互连镀铜技术 Ultra ECP map。公司
的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层（5nm）上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足先进工艺的镀铜需求。
B.三维堆叠电镀设备
应用于填充 3d 硅通孔 TSV 和 2.5d 转接板的三维电镀设备 Ultra ECP 3d。基于盛美半导体电
镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于 10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。为提高产能而做的堆叠式腔体设计，该设备还能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
C.新型化合物半导体电镀设备
2022 年 Ultra ECP GIII 电镀设备在客户实现量产，应用于背面深孔镀金和金互联线以及
Cu-Ni-Au 等领域。通过差异化的技术以及灵活的模块化设计，使新型化合物半导体电镀机的竞争力进一步提升。
③立式炉管系列设备
公司研发的立式炉管设备主要包括 LPCVD、氧化炉、扩散炉和炉管 ALD。报告期内，公司
以 Ultra Fn 立式炉设备平台为基础，进一步推出了 ALD（热原子层沉积）立式炉 Ultra FnA。这款
设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式 ALD 工艺的高端要求。在能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。
④前道涂胶显影 Track 设备
公司的前道涂胶显影 Ultra LithTM Track 设备是一款应用于 300 毫米前道集成电路制造工艺的
设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需
求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影
Track 设备支持主流光刻机接口，支持包括 i-line、KrF 和 ArF 系统在内的各种光刻工艺，可确保
满足工艺要求的同时，让晶
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