公司代码：688082 公司简称：盛美上海
盛美半导体设备（上海）股份有限公司
2022 年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确
性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人 HUI WANG、主管会计工作负责人 LISA YI LU FENG 及会计机构负责人（会计主
管人员）LISA YI LU FENG 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。
九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 6
第三节 管理层讨论与分析......9
第四节 公司治理......30
第五节 环境与社会责任......31
第六节 重要事项......33
第七节 股份变动及股东情况......56
第八节 优先股相关情况......61
第九节 债券相关情况......61
第十节 财务报告......63
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
备查文件目录 人员）签名并盖章的财务报表。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
经现任法定代表人签字和公司盖章的本次半年报全文和摘要。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司,本公司,盛美 指 盛美半导体设备（上海）股份有限公司
上海,盛美半导体
香港清芯 指 CleanChip Technologies Limited，清芯科技有限公司，盛美上海
全资子公司
盛美加州 指 ACM RESEARCH (CA), INC.，香港清芯的全资子公司
盛奕科技，盛奕半 指 盛奕半导体科技（无锡）有限公司，盛美上海参股公司
导体
美国 ACMR，ACMR 指 ACM RESEARCH, INC.，美国 NASDAQ 股票市场上市公司，盛美上海控
股股东
长江存储 指 长江存储科技有限责任公司，盛美上海客户
中芯国际 指 中芯国际集成电路制造有限公司，盛美上海客户
海力士 指 SK Hynix Inc.，盛美上海客户
华虹集团 指 上海华虹（集团）有限公司，盛美上海客户
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，盛美上海客户
通富微电 指 通富微电子股份有限公司，盛美上海客户
中芯长电 指 中芯长电半导体（江阴）有限公司，盛美上海客户
Nepes 指 Nepes corporation，盛美上海客户
台湾合晶科技 指 合晶科技股份有限公司，盛美上海客户
华进半导体 指 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，盛美上海客户
NINEBELL 指 NINEBELL CO.,LTD.，盛美上海供应商
NASDAQ 指 National Association of Securities Dealers Automated
Quotations，美国纳斯达克股票市场
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术可分
半导体 指 为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛应用于下游
通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业
硅片 指 Silicon Wafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感器
等半导体产品制造
Integrated Circuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、
IC、集成电路 指 二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联
并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路
或系统
晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金
属化等特定工艺加工过程中的硅片
芯片 指 集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结
果
图形晶圆 指 表面带图案结构的晶圆
晶圆制造、芯片制 指 将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过
造 程，分为前道晶圆制造和后道封装测试。
功率器件 指 用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件
NAND 闪存 指 快闪记忆体/资料储存型闪存
5G 指 5th-Generation，即第五代移动电话行动通信标准
光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到
单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术
刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过程，是
与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的
关键步骤
涂胶 指 将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程
显影 指 将曝光完成的晶圆进行成像的过程，通过这个过程，成像在光阻上
的图形被显现出来
ALD 指 Atomic Layer Deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原
子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法
DRAM 指 Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器
Stress Free Polish，无应力抛光技术，该技术利用电化学反应原
SFP 指 理，在抛除晶圆表面金属膜的过程中，摒弃抛光过程的机械压力，
根除机械压力对金属布线的损伤
良率 指 被测试电路经过全部测试流程后，测试结果为良品的电路数量占据
全部被测试电路数量的比例
芯片制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗、离子
前道、后道 指 注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA 植球、
检查、测试等
封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如
封装 指 芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连
接到电路板的工艺技术
处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封
先进封装 指 装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D 封装
等均被认为属于先进封装范畴
UBM 是焊盘和焊球之间的金属过渡层，位于圆片钝化层的上部。UBM
凸块下金属、UBM 指 与圆片上的金属化层有着非常好的粘附特性，与焊料球之间也有着
良好的润湿特性，在焊球与 IC 金属焊盘之间作为焊料的扩散层。UBM
作为氧化阻挡层还起着保护芯片的作用
凸点底层金属/薄膜再分布技术，可以在去除阻挡层和种子层的同时
UBM/RDL 技术 指 尽量减少底切，控制和精确监测刻蚀步骤完成的时间，从而减少底
切并保证临界特征（线或凸点）尺寸
Pillar Bump 指 柱状凸块
Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管，是一种新的互
FinFET 指 补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶
体管的栅长
利用异丙醇（IPA）的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的
IPA 干燥 指 具有较高表面张力的水分，然后用氮气吹干，达到彻底干燥硅片水
膜的目的
PTFE 指 聚四氟乙烯（Poly Tetra FluoroEthylene），具有抗酸抗碱、抗
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