公司代码：688072 公司简称：拓荆科技
拓荆科技股份有限公司
2022 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以实施权益分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.60元（含税）。截至2022年12月31日，公司总股本为126,478,797股，以此计算合计拟派发现金红利32,884,487.22元（含税）。本年度公司现金分红占本期归属于上市公司股东的净利润比例为8.92%，占本期实现的可供分配利润的比例为10.26%。本次利润分配方案不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在实施权益分派股权登记日前，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。
公司第一届董事会第二十一次会议和第一届监事会第十二次会议审议通过了《关于公司2022年度利润分配方案的议案》，公司独立董事已对上述利润分配方案发表了同意的独立意见，本次利润分配方案尚需提交公司2022年年度股东大会审议。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 拓荆科技 688072 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 赵曦 刘锡婷
办公地址 辽宁省沈阳市浑南区水家900号 辽宁省沈阳市浑南区水家
900号
电话 024-24188000-8089 024-24188000-8089
电子信箱 Dongban@piotech.cn ir@piotech.cn
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 等薄膜设备产品系列，该产品系列已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。同时，公司开发了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合设备产品系列。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断完善现有量产薄膜设备系列产品性能，保持产品核心竞争力，进一步提升量产产品的市场占有率。同时，持续丰富公司产品品类，拓展工艺应用领域。公司 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及键合系列产品情况如下：
（1）PECVD 系列产品
① PECVD 产品
产品型号 产品图片 产品应用情况
PF-300T 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装
等领域已实现产业化应用，可以沉积 SiO2、SiN、
TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等通用介质
薄膜材料，以及 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、
a-Si 等先进介质薄膜材料，可实现 8 英寸与 12 英
寸 PECVD 设备兼容，具有高产能，低生产成本优
PF-300T eX
势。
在集成电路存储芯片制造领域已实现产业化应
NF-300H 用，适用于沉积时间需求较长的薄膜工艺，如
Thick TEOS 介质材料薄膜。
② UV Cure 产品
产品型号 产品图片 应用领域
在集成电路芯片制造领域已实现产业化应用。该
PF-300T 设备可以与 PECVD 成套使用，为 PECVD HTN、Lok
Upsilon
II 等薄膜沉积进行紫外线固化处理。
（2）ALD 系列产品
① PE-ALD 产品
产品型号 产品图片 产品应用情况
在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封装
PF-300T 领域已实现产业化应用，可以沉积高温、低
Astra
温、高质量的 SiO2、SiN 等介质薄膜材料。
主要应用于集成电路存储芯片制造领域，正
NF-300H 在进行产业化验证，可以沉积高温、低温、
Astra
高质量的 SiO2、SiN 等介质薄膜材料。
② Thermal-ALD 产品
产品型号 产品图片 产品应用情况
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
PF-300T 制造领域，正在进行产业化验证，可以沉
Altair
积 Al2O3等金属化合物薄膜材料。
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片
TS-300 制造领域，正在进行产业化验证，可以沉
Altair
积 Al2O3等金属化合物薄膜材料。
（3）SACVD 系列产品
产品型号 产品图片 产品应用情况
广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T 域，可以沉积 SA TEOS 等介质薄膜材料，可实现
SA
8 英寸与 12 英寸 SACVD 设备兼容。
广泛应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T 域，可以沉积 BPSG、SAF 等介质薄膜材料，可实
SAF
现 8 英寸与 12 英寸 SACVD 设备兼容。
（4）HDPCVD 系列产品
产品型号 产品图片 产品应用情况
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
PF-300T 域，正在进行产业化验证，可以沉积 SiO2、FSG、
Hesper
PSG 等介质薄膜材料。
主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领
TS-300S 域，正在进行产业化验证，可以沉积 SiO2、FSG、
Hesper
PSG 等介质薄膜材料。
（5）混合键合系列产品
① 晶圆对晶圆键合产品
产品型号 产品应用情况
主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验
Dione 300
证，可实现 12 寸晶圆对晶圆
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