688019 科创 安集科技

公司代码：688019                                        公司简称：安集科技
  安集微电子科技（上海）股份有限公司
          2023 年半年度报告


                          重要提示

一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
    完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示

  公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。

五、 公司负责人 Shumin Wang、主管会计工作负责人 Zhang Ming 及会计机构负责人（会计主管
    人员）Zhang Ming 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  无。
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用


                        目录


第一节    释义...... 4
第二节    公司简介和主要财务指标 ...... 8
第三节    管理层讨论与分析......13
第四节    公司治理......38
第五节    环境与社会责任......41
第六节    重要事项......44
第七节    股份变动及股东情况......59
第八节    优先股相关情况......67
第九节    债券相关情况......67
第十节    财务报告......68

                    报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文
    备查文件目录    及公告的原稿

                    载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表


                        第一节  释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
 常用词语释义

 安集科技、公司、本公司    指  安集微电子科技（上海）股份有限公司

 Anji Cayman                指  Anji Microelectronics Co., Ltd.，公司控股股东

 上海安集                  指  安集微电子（上海）有限公司，公司全资子公司

 宁波安集                  指  宁波安集微电子科技有限公司，公司全资子公司

 台湾安集                  指  台湾安集微电子科技有限公司，公司全资子公司

 宁波安集投资              指  宁波安集股权投资有限公司，公司全资子公司

 北京安集                  指  北京安集微电子科技有限公司，公司全资子公司

 安集电子材料              指  上海安集电子材料有限公司，公司全资子公司

 新加坡安集                指  ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.，宁波安集投资
                                全资子公司

 CORDOUAN                指  CORDOUAN TECHNOLOGIES，新加坡安集全资子公司

 SEPPURE                  指  SEPPURE PTE. LTD.

 报告期                    指  2023 年 1-6 月

 元、万元、亿元            指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

                                ChemicalMechanicalPlanarization，集成电路制造过程中实
 化学机械抛光（CMP）      指  现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯
                                化学的抛光方法不同，CMP 技术由化学作用和机械作用
                                两方面协同完成。

 化学机械抛光液、抛光液、研  指  由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，是化学机械抛光工
 磨液                            艺过程中使用的主要化学材料。

 研磨颗粒、纳米磨料        指  为生产化学机械抛光液所需的关键原材料，主要包括硅溶
                                胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类。

                                通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过
                                程。通常在工艺之间进行，用于去除芯片制造中上一道工
                                序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，
                                去除光阻掩膜或残留，也可根据需要进行硅氧化膜、氮化
 清洗技术                  指  硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀，为下一步工序准备好良
                                好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序
                                步骤 30%以上，而且随着节点的推进，清洗工序的数量和
                                重要性会继续提升。根据清洗介质的不同，目前半导体清
                                洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线，晶圆
                                制造产线上通常以湿法清洗为主。

                                针对不同的工艺需求，采用特定的化学药液和去离子水，
                                对晶圆表面进行无损伤清洗，以去除晶圆制造过程中的颗
 湿法清洗                  指  粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留
                                物等物质，可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手
                                段。

                                是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程
                                中不可缺少的关键性基础化工材料之一，一般要求超净和
 湿电子化学品、工艺化学品  指  高纯，对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高
                                要求。按照组成成分和应用工艺不同，可将湿电子化学品
                                分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。

                                半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光
 光刻                      指  和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工
                                艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。


光刻胶                    指  光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将
                                掩膜版图形转移至衬底上。

                                刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻
光刻胶去除                指  蚀到定义的深度，刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的
                                剩余光刻胶需要从晶圆表面去除。

                                又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去
                                除工艺中使用的化学材料，主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂
光刻胶去除剂、光阻去除剂  指  等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液
                                冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶及其光刻胶
                                刻蚀后残留物。

刻蚀后清洗液              指  一种光刻胶去除剂，应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去
                                除。

光刻胶剥离液              指  一种光刻胶去除剂，应用于厚膜光刻胶去除，包括晶圆级
                                封装以及部分集成电路工艺。

半导体电镀、电化学沉积    指  在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表
                                面形成金属互连。

电镀基础液                指  提供电沉积金属离子，与电镀液添加剂相互作用，在电场
                                作用下实现金属电化学沉积。

                                电镀工艺核心材料，改善镀层性能及电镀质量。在电镀工
电镀液添加剂              指  艺中，电镀液添加剂与基础液相互作用，在电场作用下实
                                现金属电化学沉积。

                                用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材
                                料的过程，主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中湿法刻蚀
刻蚀                      指  指用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学的方式去
                                除硅片表面的材料，干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生
                                物理或化学反应（或结合物理、化学两种反应）的方式将