688019 科创 安集科技

公司代码：688019                                                公司简称：安集科技
  安集微电子科技（上海）股份有限公司

          2022 年半年度报告


                          重要提示

一、本公司董事会、监事会及董事（除未出席的董事外）、监事、高级管理人员保证半年度报告
  内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和
  连带的法律责任。
二、重大风险提示

  公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。
三、未出席董事情况

  未出席董事职务    未出席董事姓名    未出席董事的原因说明      被委托人姓名

      董事              陈大同              个人原因                无

四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人 Shumin Wang(王淑敏)、主管会计工作负责人 Zhang Ming（张明）及会计机构负
  责人（会计主管人员）Zhang Ming（张明）声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、
  完整。
六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无。
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否

十二、其他
□适用 √不适用


                        目录


第一节    释义...... 5
第二节    公司简介和主要财务指标 ...... 8
第三节    管理层讨论与分析......11
第四节    公司治理......30
第五节    环境与社会责任......32
第六节    重要事项......35
第七节    股份变动及股东情况......50
第八节    优先股相关情况......55
第九节    债券相关情况......56
第十节    财务报告......57

                    报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文
    备查文件目录    及公告的原稿

                    载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表


                        第一节  释义

在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
 常用词语释义

 安集科技、公司      指  安集微电子科技（上海）股份有限公司

 Anji Cayman        指  Anji Microelectronics Co., Ltd.，公司控股股东

 上海安集            指  安集微电子（上海）有限公司,公司全资子公司

 宁波安集            指  宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司

 台湾安集            指  台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司

 安集投资            指  宁波安集股权投资有限公司，公司全资子公司

 北京安集            指  北京安集微电子科技有限公司，公司全资子公司

 安集材料            指  上海安集电子材料有限公司，公司全资子公司

 安特纳米            指  山东安特纳米材料有限公司，安集投资的参股公司

 股东大会            指  安集微电子科技（上海）股份有限公司股东大会

 董事会              指  安集微电子科技（上海）股份有限公司董事会

 监事会              指  安集微电子科技（上海）股份有限公司监事会

 高级管理人员        指  公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书

 《公司章程》        指  《安集微电子科技（上海）股份有限公司章程》

 《公司法》          指  《中华人民共和国公司法》

 《证券法》          指  《中华人民共和国证券法》

 中国证监会          指  中国证券监督管理委员会

 上交所              指  上海证券交易所

 报告期              指  2022 年 1 月 1 日-6 月 30 日

 元、万元、亿元      指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

                          Chemical Mechanical Planarization，集成电路制造过程中实现
 化学机械抛光（CMP） 指  晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛
                          光方法不同，CMP 技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。

                          是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可
                          缺少的关键性基础化工材料之一，一般要求超净和高纯，对生产、
 湿电子化学品        指  包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和
                          应用工艺不同，可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿
                          化学品两大类

 化学机械抛光液/抛  指  又称“化学机械研磨液”，由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，
 光液                    是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料

 研磨颗粒            指  化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用氧化硅，氧化铝，氧化
                          铈等胶体颗粒分散于抛光液中

                          半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影
 光刻                指  在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上
                          的图形转移到所在衬底上

 光刻胶              指  光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版
                          图形转移至衬底上

 光刻胶去除          指  刻蚀之后，图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层
                          的光刻胶层不再需要了，而要从表面去掉

                          又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去除工艺中
 光刻胶去除剂/光阻  指  使用的化学材料，主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通
 去除剂                  过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，
                          去除半导体晶片上的光刻胶

 刻蚀后清洗液        指  一种光刻胶去除剂，应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除

 光刻胶剥离液        指  一种光刻胶去除剂，应用于厚膜光刻胶去除，包括晶圆级封装以


                        及部分集成电路工艺

                        Integrated Circuit，是一种微型电子器件或部件。采用一定的
芯片、集成电路（IC） 指  工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及
                        布线互连一起，制作在半导体晶片或介质基片上，然后封装在一
                        个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构

逻辑芯片            指  一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。

                        又称“存储器”，是指利用电能方式存储信息的半导体介质器件，
存储芯片            指  其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U
                        盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域

DRAM                指  动态随机存取存储器，属于易失性存储器

NAND                指  闪存，属于非易失性存储器

2D NAND            指  存储单元为平面结构的一种 NAND 存储器

3D NAND            指  一种通过把存储单元堆叠在一起来解决 2D 或者平面 NAND 闪存限
                        制的三维芯片闪存类型

                        半导体集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶
晶圆（wafer）      指  圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电
                        性功能的集成电路产品

                        处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封
先进封装            指  装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D 封
                        装等均被认为属于先进封装范畴

                        Wafer-Level Packaging，在晶圆上封装芯片，而不是先将晶圆切
                        割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的
晶圆级封装（WLP）  指  速度与可靠性以及更低的功耗，并为用于移动消费电子产品、高
                        端超级计算、游戏、人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了
                        更广泛的形状系数

铜阻挡层            指  集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料，目的是
                        防止铜和绝缘介质发生扩散或反应

摩尔定律            指  当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24
                        个月便会增加一倍，性能也将提升一倍

                        当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限，摩尔定律不能沿用原
超越摩尔            指  来的方法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。只能通过引入
                        更加创新的三维集成来提升芯片性能，包括革命性的新材料，芯
                        片内的三维堆积，芯片之间的三维互联

技术节点            指  泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”，尺寸越小，表明工艺
                        水平越高，如 130nm、90nm、28nm、14nm、7nm 等等

平坦化              指  在