公司代码:688019 公司简称:安集科技
安集微电子科技(上海)股份有限公司
2020 年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完
整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险,敬请查阅本报告第四节“经营情况的讨论与分析”。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人 Shumin Wang、主管会计工作负责人杨逊及会计机构负责人(会计主管人员)洪
亮声明:保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述,不构成公司对投资者的实质承诺,请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?
否
十一、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标...... 6
第三节 公司业务概要 ...... 9
第四节 经营情况的讨论与分析...... 20
第五节 重要事项 ...... 27
第六节 股份变动及股东情况...... 42
第七节 优先股相关情况 ...... 47
第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况...... 47
第九节 公司债券相关情况...... 49
第十节 财务报告 ...... 49
第十一节 备查文件目录 ...... 161
第一节 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义
安集科技、公司 指 安集微电子科技(上海)股份有限公司
Anji Cayman 指 Anji Microelectronics Co., Ltd.,公司控股股东
上海安集 指 安集微电子(上海)有限公司,公司全资子公司
宁波安集 指 宁波安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
台湾安集 指 台湾安集微电子科技有限公司,公司全资子公司
安续投资 指 上海安续投资中心(有限合伙)
国家“02 专项” 指 国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工
艺专项”
股东大会 指 安集微电子科技(上海)股份有限公司股东大会
董事会 指 安集微电子科技(上海)股份有限公司董事会
监事会 指 安集微电子科技(上海)股份有限公司监事会
高级管理人员 指 公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书
《公司章程》 指 《安集微电子科技(上海)股份有限公司章程》
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所 指 上海证券交易所
报告期 指 2020 年 1 月 1 日至 2020 年 6 月 30 日
元、万元 指 人民币元、人民币万元
Chemical Mechanical Planarization,集成电路制造过
化学机械抛光(CMP) 指 程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机
械或纯化学的抛光方法不同,CMP 技术由化学作用和机械
作用两方面协同完成。
又称“化学机械研磨液”,由纳米级研磨颗粒和高纯化学
化学机械抛光液/抛光液 指 品组成,是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材
料。
研磨颗粒 指 化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用硅溶胶和气相
二氧化硅。
半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光
光刻 指 和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工
艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。
光刻胶 指 光刻中采用的感光物质,其利用光照反应后溶解度不同将
掩膜版图形转移至衬底上。
光刻胶去除 指 刻蚀之后,图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀
阻挡层的光刻胶层不再需要了,而要从表面去掉。
又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”,是光刻胶去
光刻胶去除剂/光阻去除剂 指 除工艺中使用的化学材料,主要由极性有机溶剂、强碱和
/或水等组成,通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用
清洗液冲洗半导体晶片,去除半导体晶片上的光刻胶。
Integrated Circuit,是一种微型电子器件或部件。采用
一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和
芯片、集成电路(IC) 指 电感等元件及布线互连一起,制作在半导体晶片或介质基
片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的
微型结构。
逻辑芯片 指 一种通用芯片,它的逻辑功能按照用户对器件编程来确
定。
又称“存储器”,是指利用电能方式存储信息的半导体介
存储芯片 指 质设备,其存储与读取过程体现为电子的存储或释放,广
泛应用于内存、U 盘、消费电子、智能终端、固态存储硬
盘等领域。
DRAM 指 动态随机存取存储器,属于易失性存储器。
NAND 指 闪存,属于非易失性存储器。
2D NAND 指 存储单元为平面结构的一种 NAND 存储器。
3D NAND 指 一种新兴的闪存类型,通过把存储单元堆叠在一起来解决
2D 或者平面 NAND 闪存带来的限制。
硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆
晶圆(wafer) 指 形,故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结
构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
处于前沿的封装形式和技术。目前,带有倒装芯片(FC)
先进封装 指 结构的封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)、
2.5D 封装、3D 封装等均被认为属于先进封装范畴。
Wafer-Level Packaging,在晶圆上封装芯片,而不是先
将晶圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大
晶圆级封装(WLP) 指 的带宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗,并为用于
移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智能和物
联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。
铜阻挡层 指 集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料,
目的是防止铜和绝缘介质发生反应。
发光二极管(LED) 指 Light Emitting Diode,一种固态的半导体器件,它可以
直接把电转化为光。
Organic Light-Emitting Diode,其原理是在两电极之间
有机发光二极管(OLED) 指 夹上有机发光层,当正负极电子在此有机材料中相遇时就
会发光。
Fin Field-Effect Transistor,一种新的互补式金氧半
鳍 式 场 效 应 晶 体 管 指 导体晶体管,FinFET 命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非
(FinFET)