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688012 科创 中微公司


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中微公司:2023年年度报告

公告日期:2024-03-19

中微公司:2023年年度报告 PDF查看PDF原文


公司代码:688012                                          公司简称:中微公司
  中微半导体设备(上海)股份有限公司
            2023 年年度报告


















                          重要提示

一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
  完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险,敬请查阅第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、 普华永道中天会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报

  告。
六、 公司负责人尹志尧、主管会计工作负责人陈伟文及会计机构负责人(会计主管人员)陈伟
  文声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元(含税)。截至 2024年2月29日,公司总股本619,279,423股,扣减回购专用账户的股 数372,306股,以此计算合计拟派发现金红 利185,672,135.10元(含税)。
上述事项已经董事会审议通过,尚需提交股东大会审议。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本年度报告中涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺,投资者及相关人士均应当对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异,敬请投资者注意投资风险。
十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况

十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况


十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否
十三、 其他
□适用 √不适用


                            目录

第一节    释义 ................................................................................................................................... 21第二节    公司简介和主要财务指标............................................................................................... 22第三节    管理层讨论与分析........................................................................................................... 27第四节    公司治理 ........................................................................................................................... 76第五节    环境、社会责任和其他公司治理................................................................................... 99第六节    重要事项 ......................................................................................................................... 106第七节    股份变动及股东情况..................................................................................................... 122第八节    优先股相关情况 ............................................................................................................. 130第九节    债券相关情况 ................................................................................................................. 130第十节    财务报告 ......................................................................................................................... 131

                    载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管
    备查文件目录    人员)签名并盖章的财务报表。

                    载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。


                        第一节  释义

一、 释义
在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义:
常用词语释义

报告期          指  2023年 1 月 1日至 2023年 12 月 31日

公司、本公司、  指  中微半导体设备(上海)股份有限公司
中微公司

股东大会        指  中微半导体设备(上海)股份有限公司股东大会

董事会          指  中微半导体设备(上海)股份有限公司董事会

监事会          指  中微半导体设备(上海)股份有限公司监事会

中国证监会、证  指  中国证券监督管理委员会
监会

上交所          指  上海证券交易所

元、万元、亿元  指  人民币元、人民币万元、人民币亿元

中微亚洲        指  Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. Asia

中微南昌        指  南昌中微半导体设备有限公司

中微临港        指  中微半导体(上海)有限公司

中微汇链        指  中微汇链科技(上海)有限公司

中微惠创        指  中微惠创科技(上海)有限公司

芯汇康          指  芯汇康医疗器械(上海)有限公司

上海创投        指  上海创业投资有限公司

巽鑫投资        指  巽鑫(上海)投资有限公司

南昌智微        指  南昌智微企业管理合伙企业(有限合伙)

Bootes            指  Bootes Pte. Ltd.

Grenade          指  Grenade Pte. Ltd.

励微投资        指  上海励微投资管理合伙企业(有限合伙)

芃徽投资        指  上海芃徽投资管理合伙企业(有限合伙)

拓荆科技        指  拓荆科技股份有限公司

睿励            指  睿励科学仪器(上海)有限公司

DAS 环境专家有  指  DAS Environmental Expert GmbH

限公司

CCP              指  Capacitively Coupled Plasma,电容性耦合的等离子体源

CMOS            指  Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体,
                      指制造大规模集成电路芯片用的一种器件结构

CVD            指  Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积

DRAM          指  Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器

ETCH、刻蚀      指  用化学或物理方法有选择地在硅片表面去除不需要的材料的过程,是
                      与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺,是半导体制造工艺的关
                      键步骤

氮化镓          指  Gallium Nitride,氮和镓的化合物,一种第三代半导体,主要应用为半
                      导体照明和显示、电力电子器件、激光器和探测器等领域

Gartner          指  IT 领域领先的研究与顾问公司,研究范围覆盖从最上游的硬件设计、
                      制造到最下游终端应用的 IT产业全环节

IC、集成电路    指  Integrated Circuit,指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管
                      等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集成在
                      半导体晶片上,封装在一个外壳内,实现特定功能的电路或系统


ICP              指  Inductive Coupled Plasma,电感性耦合的等离子体源

LED            指  Light-Emitting Diode,发光二极管

LED 外延片      指  LED 外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、
                      SiC、Si等)上所生长出的特定单晶薄膜

MEMS          指  Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统

Mini-LED        指  介于传统 LED 与 Micro LED 之间的次毫米发光二极管,意指晶粒尺寸
                      约在 100微米的 LED

Micro LED        指  LED 微缩化和矩阵化技术,将 LED 背光源进行薄膜化、微小化、阵列
                      化,可以让 LED 单元小于 50 微米,与 OLED(Organic Light-Emitting
                      Diode,有机发光二极管)一样能够实现每个像素单独定址,单独驱动
                      发光

MOCVD          指  Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉
                      积,MOCVD设备是 LED 外延片生产过程中的关键设备

SEMI            指  国际半导体设备材料产业协会

ALD            指  Atomic layer deposition,原子层沉积,是一种可以将物质以单原子膜形
                      式一层一层的镀在基底表面的方法

LPCVD          指  Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低压化学气相沉积

EPI              指  Epitaxy,在衬底上生长出
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