公司代码：605358 公司简称：立昂微
杭州立昂微电子股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
3 公司全体董事出席董事会会议。
4 中汇会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
5 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
以实施权益分派股权登记日登记的总股本（扣除回购专户中股份数量）为基数，向全体股东每10股派发0.85元现金红利（含税）。截至2024年3月31日，公司总股本为676,855,027股,扣除回购专户中股份数量2,593,500股，现金股利分派的股份基数为674,261,527股，以此计算预计派发现金红利57,312,229.80元（含税）。
如在利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并将另行公告具体调整情况。
本利润分配预案尚需提交公司股东大会审议。
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上交所 立昂微 605358 /
联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表
姓名 吴能云 李志鹏
办公地址 杭州经济技术开发区20号大街199号 杭州经济技术开发区20号大街199号
电话 0571-86597238 0571-86597238
电子信箱 wny@li-on.com lizhipeng@li-on.com
2 报告期公司主要业务简介
2023 年，受到全球经济持续疲软、通货膨胀高企、消费需求减弱、地缘政治危机等多重因素影响，全球半导体行业呈现波动下行的趋势。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2023年全球半导体产业销售额达 5,201.26 亿美元，同比下降 9.4%。2023 年中国半导体行业同样面临行业周期下行、市场低迷、贸易环境不稳定等多重考验，2023 年国内半导体行业进出口同比下降。
根据海关总署公布的 2023 年度进出口主要商品数据，2023 年全年集成电路出口 2,678.30 亿个，
同比下降 1.8%；全年集成电路进口 4,796 亿个，同比下降 10.8%。
2023 年，面对市场下滑、订单不足、折旧成本高企等现实挑战，公司牢把方向、紧判大局、抓住节点、负压前行。凭借独立自主的核心技术研发体系，高效的市场快速反应能力，准确把握定制化产品与客户库存回补等订单机会，紧抓光伏、工控、汽车电子等领域中的结构性机会，在产品价格下降的大趋势下，不断加大研发投入，持续提升技术研发水平；不断加大市场开拓力度，增加市场占有率，成功开发标志性大客户，为公司实现可持续发展打下坚实基础。
报告期内，公司实现营业收入 268,966.99 万元，较上年同期的 291,421.63 万元下降 7.71%；
实现营业利润-9,870.76 万元，较上年同期的 71,645.57 万元下降 113.78%；剔除利息、折旧摊销等因素的影响后，EBITDA（息税折旧摊销前利润）为 86,696.93 万元，较上年同期的 134,922.98 万元
下降 35.74%；实现归属于上市公司股东的净利润 6,575.25 万元，较上年同期的 68,778.99 万元下
降 90.44%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-10,552.44 万元，较上年同期的 55,653.97 万元下降 118.96%。
影响 2023 年度公司业绩下降的主要因素有：
1、产能扩产带来的成本压力。公司部分募投项目自 2022 年 6 月开始陆续转固，相应的折旧
费用、水电气等固定成本相比上年同期增加了 14,355.25 万元，叠加 2022 年下半年开始市场需求下滑，抛光片产能利用率下降，给公司带来了较大的成本压力；
2、收购嘉兴金瑞泓产生阶段性的亏损。2022 年 3 月份公司收购了嘉兴金瑞泓，2023 年仍处
于产能爬坡过程中，相比上年同期亏损增加 8,073.76 万元；
3、计提的可转换债券利息费用大幅增加。公司 2022 年 11 月发行了 33.90 亿元的可转换债券，
2023 年度计提利息费用 12,630.54 万元，较上年同期增加 10,976.82 万元，影响了业绩；
4、产品降价导致毛利率大幅下降。受宏观经济、市场需求方面的影响，公司主要产品售价相
比 2022 年有所下滑，其中半导体硅片折合 6 英寸的平均售价下降 12.86%，半导体功率器件芯片
的平均售价下降 12.33%，叠加固定成本增加和抛光片产能利用率下降的影响，导致综合毛利率由
2022 年度的 40.99%下降至 2023 年的 19.57%，减少了 21.42 个百分点。
5、公允价值变动收益减少。2023 年度公司持有的上市公司股票股价变动产生公允价值变动
收益 1,822.72 万元，与上年同期的 3,341.63 万元相比，减少 1,518.91 万元。
报告期内，经营活动产生的现金流量净额为 102,679.73 万元，与上年同期的 119,454.25 万元
相比，减少 16,774.52 万元，降幅 14.04%；投资活动产生的现金净流出 186,068.49 万元，与上年
同期的 474,491.64 万元相比，减少 288,423.15 万元，降幅 60.79%，主要系上年同期支付了收购嘉
兴金瑞泓的股权款及本期购建固定资产支付的现金相比上年同期大幅减少共同影响所致；筹资活动产生的现金净流出 67,526.34 万元，较上年同期减少 398,650.01 万元（上年同期为净流入331,123.67 万元），主要系公司上年同期发行 33.90 亿元可转换债券、本期银行借款减少及本期支
付远期回购义务款项共同影响所致。
报告期末，公司总资产 1,827,599.25 万元，较期初下降 1.43%；总负债 873,025.85 万元，较期
初上升 0.11%；归属于上市公司股东的净资产 797,235.30 万元，较期初下降 2.83%。
报告期内，公司开展的经营工作主要情况如下：
1、紧抓市场机遇，销量创出新高
面对半导体市场的新形势新变化，公司及时部署和动态调整硅片与芯片板块的产能匹配、产能分工，深入调研和分析市场，积极协同客户，加快产品结构调整，发挥重掺产品优势，在市场需求变化中寻求增量，多措并举抓销量。半导体硅片折合 6 英寸销量 984.36 万片（含对立昂微母
公司的销量 192.50 万片），较上年同期增长 0.72%。功率器件芯片销量 171.58 万片，较上年同期
增长 8.87%，创下历史新高，出现了沟槽 SBD 和 FRD 芯片快速上量、IGBT 芯片开始小批量出货等
积极变化，实现了在清洁能源、车规、工控及消费电子领域的全覆盖，使得公司抗风险能力加大。化合物射频芯片销量 1.79 万片，较上年同期增长 141.19%，亦创下新高。
2、坚定创新战略，实现技术突破
报告期内，公司研发费用支出 27,921.11 万元，占营业收入比例为 10.38%；上年同期研发费
用支出 27,182.45 万元，占营业收入比例为 9.33%。公司始终保持研发的高投入，报告期内公司研发项目主要以大尺寸半导体硅片的生产工艺技术、化合物半导体射频芯片的生产工艺技术和高端的功率器件芯片的生产工艺技术研发为主。
在半导体硅片领域，公司 12 英寸产品已覆盖 14nm 以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及
客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。轻掺产品不断拓展客户群体，重掺产品和技术继续保持全球领先优势。
12 英寸硅片开发了双极型-CMOS-DMOS(BCD)器件用、高压集成电路（HVIC）及电源管理集成电路（PMIC）器件用硅抛光片；动态随机存取存储器（DRAM）器件用（高带宽存储器 HBM）、闪
存器件用（NOR 型和 NAND 型 Flash）硅抛光片；逻辑器件用（Logic IC）、图像传感器（CIS）器件
用及 BCD 器件用硅外延片；IGBT 器件用及 Super Junction 器件用厚层硅外延片；金属-氧化物-半导
体场效应晶体管（MOSFET）器件用超低阻重掺磷、重掺砷衬底硅外延片；以及超平整度（Super Flat）
硅抛光片等共计 11 类新产品，其中 8 类新产品已经进入批量供货，累计新产品发货量 43 万片。
开发了 BMD 增强工艺、金属吸杂工艺、轻掺单晶缺陷联合表征技术等 17 项 12 英寸新技术，
大幅度改善了 Logic、CIS、BCD 等器件用硅片产品的体金属问题，解决了颗粒监控片产品经客户端重复使用后出现表面缺陷的问题，大大提升了硅片的可重复使用次数。
6-8 英寸硅片开发了低中压 MOSFET 器件用超低阻重掺磷、重掺砷衬底硅外延片、IGBT 和 FRD
器件用厚外延片、滤波器用超高阻硅抛光片等 40 余项新产品和新技术，并在主要客户量产产品上得到了全面应用，为新产品及时推出和产品性能提升提供技术保障。
在功率器件芯片领域，光伏用沟槽肖特基产品面对客户降本需求和其它 6 英寸、8 英寸晶圆
厂竞争，完成了光伏用沟槽肖特基产品正向导通压降温度特性改善等新产品开发。电源用沟槽肖特基产品完成高压器件芯片原型产品工程验证。FRD 产品在重要客户量产顺利实施。在快恢复二极管产品、高压和超结 MOS 产品、IGBT 产品等方面，保证重要客户按计划推进产品开发及工程样品试制考核合格。全年共开发了 150 个新产品，转量产 75 个。
在化合物射频芯片领域，产品技术在多个创新领域有重大突破，技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声 0.13μm pHEMT 工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。开发了二维可寻址 VCSEL 工艺技术，配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL 阵列芯片，能充分适应车载雷达的技术指标需求，将是国内首个进入量产的大功率 VCSEL技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达 VCSEL 芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域，积极推进了近 20 项新技术的开发，并及时支撑客户超过 400 套研发版的流片验证和磨合，有效支撑客户量产流片。
2023 年度公司获得授权专利 15 件（
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