公司代码：605111 公司简称：新洁能
无锡新洁能股份有限公司
2023 年半年度报告
重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司全体董事出席董事会会议。
三、 本半年度报告未经审计。
四、 公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹声
明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无。
六、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
七、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“可能面对的风险”的内容。
十一、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 7
第三节 管理层讨论与分析......10
第四节 公司治理......31
第五节 环境与社会责任......33
第六节 重要事项......35
第七节 股份变动及股东情况......47
第八节 优先股相关情况......56
第九节 债券相关情况......57
第十节 财务报告......58
载有公司负责人朱袁正先生、主管会计工作负责人陆虹女士、会计机构
负责人（会计主管人员）邱莹莹女士签名并盖章的半年度财务报表。
备查文件目录 载有法定代表人朱袁正先生签名的半年度报告文本。
报告期内在《上海证券报》、《中国证券报》、《证券时报》和《证券
日报》上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、新洁能 指 无锡新洁能股份有限公司
新洁能香港 指 新洁能功率半导体（香港）有限公司
新洁能深圳分公司 指 无锡新洁能股份有限公司深圳分公司
新洁能宁波分公司 指 无锡新洁能股份有限公司宁波分公司
电基集成 指 无锡电基集成科技有限公司
金兰半导体 指 金兰功率半导体（无锡）有限公司
国硅集成 指 国硅集成电路技术（无锡）有限公司
源微半导体 指 江苏源微半导体科技有限公司（曾用名：中山源微半导体有限公司）
临盈投资 指 嘉兴临盈股权投资合伙企业（有限合伙）
富力鑫 指 无锡富力鑫企业管理合伙企业（有限合伙）
临芯投资 指 上海临芯投资管理有限公司
泰兴永志 指 泰兴市永志电子器件有限公司
常州臻晶 指 常州臻晶半导体有限公司
上海贝岭 指 上海贝岭股份有限公司，上市公司（600171.SH）
华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司，华虹半导体有限公司
（01347.HK/688347.SH）的子公司
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，上市公司（600584.SH）
日月光 指 日月光投资控股股份有限公司（ASX.US），全球领先半导体封装
与测试制造服务公司
捷敏电子 指 捷敏电子（上海）有限公司
英飞凌（Infineon） 指 德国英飞凌技术股份有限公司，1999 年成立，是全球领先的半导
体公司之一
WSTS 指 世界半导体贸易统计组织
非公开发行 指 无锡新洁能股份有限公司 2021 年度非公开发行 A 股股票
中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会
报告期 指 2023 年度 1-6 月
元 指 人民币元
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个电
IC 或集成电路 指 路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制
作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管
壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制备
分立器件 指 工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成
电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主
要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。
MOSFET 、 功 率 金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，
MOSFET 指 目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用
以实现特定功能。
沟 槽 型 功 率 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通
MOSFET 、 Trench- 指 损耗等特点。
MOSFET
超结功率 MOSFET、 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
超结 MOSFET 或 SJ- 指 限”，特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工作频率高、
MOSFET 导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前主要用在高端
电源管理领域。
屏 蔽 栅 功 率 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的“硅
MOSFET、屏蔽栅沟 指 限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导通电阻低、开
槽型功率 MOSFET、 关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、电机
SGT或SGT-MOSFET 驱动、汽车电子等领域。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的优点，
IGBT 指 如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频
率高等特点，适用于 600V~6500V 高压大电流领域。与功率
MOSFET 相比，更侧重于大电流、低频应用领域。
功率驱动 IC 指 又称栅极驱动器 IC，是控制信号与功率开关器件（MOSFET、IGBT
等）的信号集成电路产品。
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，
功率模块 指 形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制
能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
又称晶圆材料片，制造半导体器件的基本材料，在晶圆片上通过半
晶圆 指 导体加工工艺，可加工制作成各种集成电路或分立器件，而成为有
特定电性功能的半导体产品。
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测试
芯片 指 可以形成半导体器件产品。每片 8 英寸芯片包含数百颗至数万颗
数量不等的单芯片。
已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。芯片制作完成后，需要封
功率器件 指 装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电
气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件和
有源器件构成完整的电路系统。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。
IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装测
试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司。
Fabless 指 半导体行业中，“没有制造业务、只专注于设计”的一种运作模式，
也用来指未拥有芯片制造工厂的 IC 或功率器件设计公司。
Foundry 指 半导体行业中专门负责生产、制造芯片的厂家，其依据设计企业提
供的方案，提供芯片代工服务。
芯片代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆材
料、光刻、刻烛、离子注入、电镀等环节制造出芯片。
封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器
封装测试、封测 指 件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需
求，整个过程被称为封装测试。
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