公司代码：605111 公司简称：新洁能
无锡新洁能股份有限公司
2021 年年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司全体董事出席董事会会议。
三、 天衡会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
四、公司负责人朱袁正、主管会计工作负责人陆虹及会计机构负责人（会计主管人员）邱莹莹
声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
五、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司拟以现有总股本142,821,000股为基数，向全体股东每10股派发现金红利5.75元（含税），预计派发现金红利82,122,075.00元（含税），剩余未分配利润结转以后年度分配；拟以资本公积向全体股东每10股转增4股，预计拟转增57,128,400股。如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额及每股转增比例不变，相应调整每股分配金额以及转增数量。
六、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告所涉及公司未来发展计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
七、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
九、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十、 重大风险提示
公司已在本报告中详细描述存在的风险因素，请查阅本报告中“公司关于公司未来发展的讨论与分析”中可能面对的风险部分的内容。
十一、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 3
第二节 公司简介和主要财务指标......7
第三节 管理层讨论与分析......11
第四节 公司治理...... 37
第五节 环境与社会责任...... 55
第六节 重要事项...... 57
第七节 股份变动及股东情况...... 71
第八节 优先股相关情况...... 80
第九节 债券相关情况...... 81
第十节 财务报告...... 82
载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并
盖章的财务报告。
备查文件目录 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文
及公告的原稿。
第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、新洁 指 无锡新洁能股份有限公司
能
新洁能香港 指 新洁能功率半导体（香港）有限公司
新洁能深圳分公司 指 无锡新洁能股份有限公司深圳分公司
新洁能宁波分公司 指 无锡新洁能股份有限公司宁波分公司
电基集成 指 无锡电基集成科技有限公司
金兰半导体 指 金兰功率半导体（无锡）有限公司
源微半导体 指 江苏源微半导体科技有限公司（曾用名：中山源微半导体有
限公司）
国硅集成 指 国硅集成电路技术（无锡）有限公司
临盈投资 指 嘉兴临盈股权投资合伙企业（有限合伙）
富力鑫 指 无锡富力鑫企业管理合伙企业（有限合伙）
临芯投资 指 上海临芯投资管理有限公司
泰兴永志 指 泰兴市永志电子器件有限公司
上海贝岭 指 上海贝岭股份有限公司，上市公司（600171）
国联创投 指 无锡国联创投基金企业（有限合伙）
中汇金玖 指 上海中汇金玖四期股权投资基金管理合伙企业（有限合伙）
达晨创投 指 深圳市达晨创联股权投资基金合伙企业（有限合伙）
金浦新投 指 上海金浦新兴产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）
君熠投资 指 无锡君熠投资企业（有限合伙）
祥禾涌安 指 上海祥禾涌安股权投资合伙企业（有限合伙）
金投控股 指 无锡金投控股有限公司
华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司，华虹半导体有限公司
（01347.HK）的子公司
长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，上市公司（600584）
华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司
日月光 指 日月光投资控股股份有限公司（ASX.US），全球领先半导体
封装与测试制造服务公司
捷敏电子 指 捷敏电子（上海）有限公司
英飞凌（Infineon） 指 德国英飞凌技术股份有限公司，1999 年成立，是全球领先的
半导体公司之一
WSTS 指 世界半导体贸易统计组织
报告期 指 2021年度
元 指 人民币元
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把
一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线
IC 或集成电路 指 互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片
上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型
结构。
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导
体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往
分立器件 指 往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成
本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸
管、MOSFET、IGBT 等。
MOSFET 、 功 率 金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结
MOSFET 指 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分
立器件使用以实现特定功能。
沟 槽 型 功 率 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低
MOSFET 、 Trench- 指 导通损耗等特点。
MOSFET
超结功率 MOSFET、 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的
超结 MOSFET 或 SJ- 指 “硅限”，特别适用于 500V~900V 高压应用领域，具有工作频
MOSFET 率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点，目前
主要用在高端电源管理领域。
屏 蔽 栅 功 率 基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET 的
MOSFET、屏蔽栅沟 指 “硅限”，特别适用于 30V~300V 电压应用领域，具有导通电阻
槽型功率 MOSFET、 低、开关损耗小、频率特性好等特点。目前主要用于高端电
SGT或 SGT-MOSFET 源管理、电机驱动、汽车电子等领域。
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶体管的
优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能
IGBT 指 力高、工作频率高等特点，适用于600V~6500V高压大电流领
域。与功率 MOSFET 相比，更侧重于大电流、低频应用领
域。
功率驱动 IC 指 又 称 栅 极 驱 动 器 IC ， 是 控 制 信 号 与 功 率 开 关 器 件
（MOSFET、IGBT等）的信号集成电路产品。
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在
功率模块 指 一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度
高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电
子产品。
又称晶圆材料片，制造半导体器件的基本材料，在晶圆片上
晶圆 指 通过半导体加工工艺，可加工制作成各种集成电路或分立器
件，而成为有特定电性功能的半导体产品。
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封
芯片 指 装测试可以形成半导体器件产品。每片8英寸芯片包含数百颗
至数万颗数量不等的单芯片。
已经封装好的 MOSFET、IGBT 等产品。芯片制作完成后，需
功率器件 指 要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、
散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、
电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。
流片 指
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