公司代码：603690 公司简称：至纯科技
上海至纯洁净系统科技股份有限公司
2022 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
3 公司全体董事出席董事会会议。
4 众华会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
5 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
2022年度拟每10股派发现金红利1.324元（含税），并每10股派送红股2股（含税）（每股面值1元）
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所 至纯科技 603690 无
联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表
姓名 陆磊 张娟
办公地址 上海市闵行区紫海路170号 上海市闵行区紫海路170号
电话 021-80238290 021-80238290
电子信箱 dong_ban@pncs.cn dong_ban@pncs.cn
2 报告期公司主要业务简介
集成电路领域，随着信息化、智能化技术的快速发展，半导体芯片及器件产品在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域得到广泛应用，集成电路市场规模
实现快速增长。根据 WSTS 资料显示，全球半导体产业销售额已从 2000 年的 2,044 亿美元增长
至 2021 年的 5,559 亿美元，并从中国台湾、日本、韩国向中国大陆转移。根据国际半导体设备
与材料协会（SEMI） 的数据，2021 年全球半导体设备市场规模达到 1,030 亿美元，较 2020 年增
长 42.24%，2022 年第三季度全球半导体设备出货金额达到 287.5 亿美元，环比增长 9%，同比
增长 7%，其中中国大陆半导体设备出货金额占比约 26.4%。
根据 SEMI 报告显示，中国大陆、中国台湾和韩国在 2022 年仍是设备支出的前三大目的地。
中国大陆在继 2020 年首次占据榜首后，2023 年将保持这个位置。尽管大多数地区的设备支出预
计将在 2023 年减少，但在 2024 年将恢复增长。根据浙商证券统计数据显示，2022 年中国大陆共
有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投产，总计月产能约为 104.2 万片，与总规划月产能 156.5 万片相比，
产能装载率仅 66.58%。预计中国大陆 2022-2026 年还将新增 25 座 12 英寸晶圆厂，总规划月产能
超过 160 万片，预计截止至 2026 年底，中国大陆 12 英寸晶圆厂的总月产能将超过 276.3 万片，
相比目前提高 165.1%。
目前全球缺芯尚无明显改善迹象，在全球集成电路制造产能持续紧张背景下，近两年我国集成电路相关领域投资活跃，实现半导体器件设备、电子元件及电子专用材料制造投资额的大幅增长，中国大陆正在成为全球半导体产业扩张宝地。中国跃升全球半导体第一大市场，但自给率仅27%，中国近年出台的十三五计划，在《中国制造 2025》中明确制定目标至 2020 年晶圆自给率将达到 40%、2025 年达 50%，中国庞大资金与相关配套政策扶植下，估计未来几年半导体建设仍蓬勃发展。
公司目前 80%的业务服务于集成电路领域，主营业务主要包括半导体制程设备、系统集成及支持设备的研发和生产销售，以及由此衍生的部件材料及专业服务。
1、制程设备
半导体设备是半导体技术迭代的基石，是半导体产业的发动机。芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道工艺设备投资占总设备投资的 80%以上。公司提供湿法清洗设备，包括湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备，聚焦晶圆制造的前道工艺，主要应用于扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等关键工序段前后。高端产品包括 SPM 高温硫酸、去胶、晶背清洗等清洗设备。
单片高温 SPM 工艺主要用在刻蚀以及离子注入之后的有机物清洗，目的是把晶圆表面反应后残余的光刻胶聚合物清除干净。单片 SPM 工艺应用贯穿整个先进半导体的前、中段工艺，清洗工
艺次数超过 30 道，是所有湿法工艺中应用最多的一种设备。此外 SPM 工艺被广泛应用在浅槽隔离（STI）、接触孔刻蚀后（CT）等高深宽结构，以及鳍式晶体管（FinFET） 、电容（capacitor）等高度复杂图形区域，故 SPM 工艺被公认是 28/14nm 性能要求最高的工艺，也是最具挑战的湿法工艺设备。在至纯科技的单片 SPM 获得突破之前，所有的单片 SPM 设备全部由国外厂商所垄断。此外公司开发硫酸回收系统与单片 SPM 设备搭配使用，最高可以实现 80%以上的硫酸回收，单台每年可为用户节省 160~180 万美金的硫酸费用，同时降低用户对危废排放的压力。公司单片清洗机台设计采用类国际一流设备的架构，拥有自己专利和技术布局。目前产品的各项工艺指标与国际大厂设备是相匹配的，并可实现 37 纳米以下少于 20 个剩余颗粒的处理。
Backside clean（晶背清洗）工艺是在芯片制造工艺中相当重要的湿法工艺。半导体生产过程中，对于污染是很重视的，尤其是金属污染。一旦有金属污染将损失巨大。半导体生产设备中，最高单价的就是光刻机，晶圆背面清洗的功能就是将背面的金属污染物清除，把颗粒洗净，让晶圆以最佳状态进入光刻机，避免光刻机因晶圆背面缺陷问题(金属和颗粒)而停机。晶圆背面清洗的重要性及步骤数量随着工艺进步和金属层的增加而增加。目前国内晶圆厂商用的最多的是由海外大厂制造的机台，而公司目前已实现 Backside etch（背面蚀刻）功能，达到客户的验收标准。通过背面单片机台清洗后，可实现 40 纳米以上少于 10 个剩余颗粒的处理。同时金属污染可控制在 1E+9（原子/平方厘米）以内。目前产品的各项工艺指标可对标国际大厂设备指标。截至目前，核心工序段的高阶设备累计订单量近 20 台。
公司产品如下所示：
产品系列 产品图片 应用领域 技术特点
单片清洗设备
覆盖 40-7nm 制程，重 ·高温硫酸回收，有助于节约客户
成本
点应用于去胶清洗、
离子注入后清洗、化 ·高温/高浓度化学品稳定应用
S300-HS ·高稳定化学品混配系统
学研磨后清洗、镍铂
金属去除等工艺 ·反应腔模组化设计
·高洁精度零部
可覆盖全制程晶背清 ·特有的晶圆翻转系统
S300-BS 洗需求 ·良好的晶背刻蚀均匀性
覆盖 40-28nm 制程， ·更好的机械设计，缩短等待时间
重点应用于接触孔清
洗、炉管前清洗、薄 ·通过化学品回收有效为客户降低
S300-CL 运营成本
膜沉积前后清洗等工
艺 ·工艺可随世代提升的显著优势
覆盖 90-7nm 制程，重 ·高稳定化学品混配系统
点应用于后段有机物 ·良好的化学品回收能力
S300-SV 清洗及高介电常数金 ·反应腔模组化设计
属清洗工艺 ·高洁精度零部件
槽式清洗设备
重点覆盖 28nm 氮化
B300-HT 硅去除 ·流场优化：重新设计槽体,均匀性
与颗粒表现佳
·浓度控制：可自动侦测并添加药
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