600703 沪市 三安光电

公司代码：600703                                                      公司简称：三安光电
          三安光电股份有限公司

            2020 年年度报告


                            重要提示

一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不
  存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、未出席董事情况

  未出席董事职务      未出席董事姓名    未出席董事的原因说明      被委托人姓名

      董事                任凯                工作原因                林志强

三、中审众环会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
四、公司负责人林志强、主管会计工作负责人林科闯及会计机构负责人（会计主管人员）黄智俊声明：
  保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
五、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

  经公司董事会研究，2020年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润，利润分配预案如下：

  以截止2020年12月31日公司总股本4,479,341,308股为基数，向全体股东每10股派发现金红利1.50元（含税），派发现金红利总额为671,901,196.20元（含税），剩余未分配利润结转下一年度，不进行资本公积金转增股本。
六、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

  本年度报告内容涉及的未来计划等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。
七、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况
否
八、  是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？
否
九、  是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十、  重大风险提示

  公司已在本报告中阐述公司可能存在的风险，请查阅董事会报告中关于公司未来发展的讨论与分析中可能面对的风险因素内容，公司为应对可能出现的风险已备好对策。
十一、 其他
□适用 √不适用


                              目 录


第一节    释义 ...... 4

第二节    公司简介和主要财务指标...... 6

第三节    公司业务概要 ...... 9

第四节    经营情况讨论与分析 ...... 15

第五节    重要事项 ...... 29

第六节    普通股股份变动及股东情况 ...... 46

第七节    优先股相关情况 ...... 51

第八节    董事、监事、高级管理人员和员工情况...... 52

第九节    公司治理 ...... 58

第十节    公司债券相关情况 ...... 60

第十一节  财务报告 ...... 61
第十二节  备查文件目录 ...... 189

                          第一节 释义

一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义

中国证监会      指 中国证券监督管理委员会

公司本部、本公 指 三安光电股份有限公司或者包含各子公司
司、公司

安徽三安        指 安徽三安光电有限公司

厦门科技        指 厦门市三安光电科技有限公司

天津三安        指 天津三安光电有限公司

厦门三安        指 厦门三安光电有限公司

安瑞光电        指 芜湖安瑞光电有限公司

福建晶安        指 福建晶安光电有限公司

香港三安        指 香港三安光电有限公司

泉州三安        指 泉州三安半导体科技有限公司

三安集成        指 厦门市三安集成电路有限公司

湖北三安        指 湖北三安光电有限公司

湖南三安        指 湖南三安半导体有限责任公司

福建北电        指 福建北电新材料科技有限公司

北京三安        指 北京三安光电有限公司

三安集团        指 福建三安集团有限公司

三安电子        指 厦门三安电子有限公司

安芯投资        指 福建省安芯投资管理有限责任公司

华芯投资        指 华芯投资管理有限责任公司

大基金          指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司

格力电器        指 珠海格力电器股份有限公司

先导高芯        指 长沙先导高芯投资合伙企业（有限合伙）

                    Lighting Emitting Diode，即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是
LED            指 利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩
                    的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。

外延片          指 在一块加热至适当温度的衬底基片上，气态物质（In、Ga、Al、P）有控制的输
                    送到衬底表面，生长出的特定单晶薄膜。

芯片            指 LED 中实现电-光转化功能的核心单元，由 LED 外延片经特定工艺加工而成。

                    英文“Integrated Circuit”，一种微型电子器件或部件，是指采用一定的工
集成电路        指 艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，
                    制作在半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路
                    功能的微型结构。

射频            指 英文“Radio Frequency”，主要指射频通信，包含传输频率、接收频率、中频、
                    基带频率以及上述所对应的元器件。

射频前端、微波 指 英文“RF Frontend Module”，包括发射通路和接收通路，一般由射频功率放
射频                大器、射频滤波器、双工器、射频开关、射频低噪声放大器等芯片组成。

功率放大器、PA  指 英文“Power Amplifier”，是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以
                    驱动某一负载的放大器。

Mini LED        指 介于传统 LED 与 Micro LED 之间的次毫米发光二极管，意指晶粒尺寸约在 100
                    微米的 LED。

                    指将来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后
封装            指 将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超
                    细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连


                    接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑
                    料外壳加以封装保护。

                    又称“电力电子器件”，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率
功率器件        指 的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上），主要有 IGBT、
                    肖特基势垒二极管(SBD)、Power MOSFET 等。

                    主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，一般具有导
电力电子        指 通和阻断电流两大工作特性，主要分为 IGBT、肖特基势垒二极管(SBD)、Power
                    MOSFET 等。

                    主要用于高频工作的电子设备中，用于较大的衰减高频电子设备所产生的高频
滤波器          指 干扰信号。SAW 滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两
                    个声电换能器－叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT)，分别用作发射换
                    能器和接收换能器。

                    蓝宝石，具有硬度高、透光性好、热稳定性好等特点，由于其独特的晶体和机
Sapphire/Al2O3  指 械特性，加工后能够获得超精密纳米尺寸精度的晶片，被广泛应用于 LED 照明
                    衬底领域。

                    钽酸锂(LiTaO3，简称 LT)与铌酸锂(LiNbO3,简称 LN)，是集压电、铁电、热释
LT/LN          指 电、声光及电光等性能于一体的多功能晶体材料，在声表面波滤波器、光通信、
                    激光及光电子等领域中有着广泛的应用。

SiC            指 碳化硅，一种第三代半导体材料，主要应用为半导体照明和显示、电力电子器
                    件、射频领域。

                    氮化镓，一种第三代半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导
GaN            指 率、化学稳定性好等性质，主要应用于光电子、高温大功率器件和高频微波器
                    件领域。

GaAs            指 砷化镓, 一种化合物半导体材料,被广泛应用于光电子、光通信芯片、集成电路
                    衬底、微波射频器件和高速数字电路等领域。

InP            指 磷化铟，一种化合物半导体材料，具有电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被
                    广泛应用于微波及光通信领域。


                  第二节 公司简介和主要财务指标

一、 公司信息

公司的中文名称                          三安光电股份有限公司

公司的中文简称                          三安光电

公司的外文名称                          SANAN OPTOELECTRONICS CO.,LTD

公司的外文名称缩写                      SANAN

公司的法定代表人                        林志强

二、 联系人和联系方式

                                                          董事会秘书

姓名                                    李雪炭

联系地址                                厦门市思明区吕岭路1721-1725号

电话                                    0592-5937117

传真                                    0592-5937117

电子信箱                                600703@sanan-e.com

三、 基本情况