证券代码：300671 证券简称：富满电子 公告编号：2020-053
深圳市富满电子集团股份有限公司
关于对外投资的补充公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
2020 年 9 月 28 日，深圳市富满电子集团股份有限公司（以下简称“本公司”
或“公司”）与杭州灵芯微电子有限公司（以下简称“灵芯微电子”）在深圳签署了《合作投资与经营 5G 项目协议》，共同出资 3,000 万元人民币设立上海赢矽微电子有限公司（以下简称“项目公司或标的公司”，具体名称以市场监督管理局核准为准）。其中，本公司出资 2,100 万元人民币，占注册资本的 70%；灵芯微电子以知识产权作价出资 900 万元，占注册资本的 30%。关于本次对外投资公司补充公告如下：
一、公司关于 5G 相关情况介绍
公司于 2018 年开始 5G 相关芯片产品研发，并于 2019 年 2 月 12 日获得深圳
市科技创新委员会技术攻关项目“重 20180167 5G 终端的高效率、高线性射频前端芯片关键技术研发”无偿资助 450 万元人民币，批复文号为：深科技创新
〔2019〕33 号及深科技创新计字〔2018〕13049 号，2019 年 3 月 18 日与深圳市
科技创新委员会签订了《深圳市科技计划项目合同书（无偿资助）》。
2018 年 07 月，公司第一款 SPDT 开关 FM1630 研发成功，截止目前公司已研
发出 5G 相关芯片产品 16 款，并于 2019 年 11 月 1 日和 2019 年 11 月 8 日分别获
得集成电路布图登记证书 FM1630 和 FM3418。
二、交易对手方介绍
1、交易对方基本情况
企业名称：杭州灵芯微电子有限公司
法定代表人：陈磊
统一社会信用代码：91330101MA2CFL6P3X
企业类型：有限责任公司(自然人投资或控股)
注册资本：1000 万人民币
成立日期：2018 年 11 月 20 日
注册地：浙江省杭州经济技术开发区 6 号大街 260 号 19 幢 1405 室
经营范围：技术开发、技术服务、技术咨询、成果转让：电子产品、信息
技术、计算机软硬件、电子元器件、家用电器、集成电路、机电设备；批发、零售：传感器及变送器、集成电路、电子元器件、计算机软硬件；货物或技术进出口（国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
杭州灵芯微电子有限公司的控股股东、实际控制人为陈磊，股权结构如下：
序号 股东 股东类型 认缴出资金额（万元） 出资比例（%）
1 陈磊 自然人股东 600.00 60.00
2 马和良 自然人股东 300.00 30.00
3 刘文俊 自然人股东 100.00 10.00
合计： 1000.00 100.00
2、交易对手简介
灵芯微电子主营业务为集成电路的研发，设计，生产及销售。公司创始团队在射频前端领域合计拥有数十年的研发经验，拥有业界领先的泛硅基射频集成技
术及 Sub 6GHz 技术，产品包括全系列射频 SW/ASW/SWAP/Apeture Tuner，业界
性价比最高的 PAM/FEM，泛在物联网 IoT 前端产品等。
灵芯微在 2019 年已经通过 ISO9001 质量体系认证。
3、交易对手法人/CTO 简介
陈磊，微电子学与固体电子学博士，现任杭州灵芯微电子有限公司总经理、CTO。
曾在中国科学院上海高等研究院及国际知名射频芯片原厂工作，负责并参与完成过国家核高基重大专项，上海市科委等十余项科研项目，总项目经费超过5000 万元。已发表 SCI/EI 检索论文十余篇，均为第一作者。申请发明专利 40余项，个人已授权专利十余项。
10 年射频/模拟集成电路从业经验。在射频及模拟电路设计，产品开发和测
试验证方面具有深厚的经验，同时具备运营和市场产品规划经验。
成功带领多条产品线完成量产，包括各种射频功放，开关，功率模组等，产品应用领域包括手机通讯及网络通讯。
多年的绝缘体上硅 SOI 射频电路设计经验，成功带领团队完成了应用于手机
通讯/网络通讯的 SP2T～SP16T SOI 开关设计，并完成了数亿颗的出货。
在 SiGe BiCMOS 工艺(0.18um/0.35um)及 RF CMOS 工艺上
(0.18um/0.13um/90nm)带领团队成功量产经验，并在 GaAs HBT/pHEMT 的几乎所有平台上完成产品设计。
学术生涯里程碑：
国内首篇以 SiGe BiCMOS 功放芯片作为主题的博士论文：Ph.D
Thesis”Key issues study on SiGe BiCMOS Power Amplifier design in
Multi-mode Multi-band Front-end Modules”2011 。
产业生涯里程碑：
国内首颗 SiGe BiCMOS WiFi FEM 产品定义（2016）
国内首颗 SP16T 开关（ (IEEE MWCL, May 2014 ）
国内首颗 802.11ac PA 量产（2013）
国内首条全系列 WiFi PA/SW 产品线（2011-2012）
国内首条 SiGe BiCMOS 商用产线共同创立者（2009-2011）
日本 IEICE 电子情报通信学会会员
IEICE Electronics Society 审稿人
IEEE Microwave and wireless Component Letter 审稿人
个人授权专利（芯片相关）
序号 专利名称 专利号 授权国别或组织
1 一种绝缘体上硅工艺环形 ZL201010122454.8 中国
振荡器
2 一种基于绝缘体上硅工艺 ZL200910197850.4 中国
的 CMOS 射频开关
3 一种 SiGe BiCMOS 全差分E ZL200910197849.1 中国
类功率放大器
4 一种 0.8-2.1GHz SiGe ZL201010272606.2 中国
BiCMOS 宽带低噪声放大器
5 一种5.5GHz SiGe BiCMOS AB ZL201010276619.7 中国
类功率放大器
6 一种锗化硅双极-互补金属
氧化物半导体上变频混频 ZL201010281785.6 中国
器
7 一种射频绝缘体上硅互补
金属氧化物半导体低噪声 ZL201010530879.2 中国
放大器
8 一种改进型双吉尔伯特结 ZL201028531784.1 中国
构射频正交上混频器
9 可编程 CMOS 信号输出缓冲 ZL200810037361.8 中国
器
10 可编程增益放大器 ZL200810034629.2 中国
4、公司核心股东简介
马和良 硕士研究生学历，2009 年毕业于华东师范大学微电子专业，研究
方向为无线通讯中射频集成电路芯片设计。毕业后先后就职于上海镭芯微电子有限公司和上海华虹集成电路有限责任公司，担任射频设计工程师、资深射频模拟设计工程师以及项目经理。参与过国家核高基重大专项项目、上海市科委基金项目、上海市战略性新兴产业发展专项、物联网发展专项资金项目等，积累了大项目研发经验。同时参与了公司十余款量产芯片的研发，累计销售芯片超 3 亿颗，具有丰富的芯片量产经验。
刘文俊 硕士研究生学历，毕业于华中科技大学微电子专业。2007 至 2012
年任职于炬力集成电路设计有限公司，担任模拟电路设计工程师职位。2015 年至今担任深圳市云矽半导体有限公司总经理。先后负责多媒体处理器 SOC 内部电源模组的设计，PMU 芯片的设计。参与研究开发了多款大规模数模混合芯片，累计量产数十亿颗。主要涉及领域：PMU、BUCK、BOOST、LDO、GPIO、OSC 等。
二、备查文件
1、《深圳市科技计划项目合同书（无偿资助）》。
2、集成电路布图登记证书 FM1630 和 FM3418。
特此公告。
深圳市富满电子集团股份有限公司
董事会
2020 年 9 月 29 日
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